个人资料
个人概况
研究领域
开授课程
科研项目
论文
科技成果
荣誉奖励
工作经历
学位： 博士
毕业院校： 西安电子科技大学
邮件： xuxiaobo@chd.edu.cn
电话：
出生年月： 1983-11-15
办公地点： 雁塔校区第二教学楼
个人资料
学院： 电子与控制工程学院
性别： 男
出生年月： 1983-11-15
职称： 副教授
学位： 博士
学历： 博士
毕业院校： 西安电子科技大学
联系电话：
电子邮箱： xuxiaobo@chd.edu.cn
通讯地址：
邮编：
传真：
办公地址： 雁塔校区第二教学楼
教育经历： 2002.09—2006.07，合肥工业大学，理学院，本科/学士；
2006.09—2009.03，西安电子科技大学，微电子学院，研究生/硕士；戴显英教授；
2009.09—2012.03，西安电子科技大学，微电子学院，研究生/博士；张鹤鸣教授。
个人简介
徐小波，男，籍贯安徽安庆，1983年11月生，副教授，硕士生导师。先后在合肥工业大学微电子学专业、西安电子科技大学电力电子与电力传动专业、西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业攻读学士、硕士和博士学位。2012年4月至今在长安大学电子与控制工程学院电子科学与技术系从事教学科研工作。在教学方面，指导学生参加电子竞赛获陕西省一等奖1次，国家二等奖1次，主持教改项目4项；在科研方面，主持国家自然科学基金、博士后科学基金、陕西省自然科学基金，中央高校基金多项，参与项目多项。申请发明专利2项，和他人合作获发明专利2项。在IEEE Transactions on Electrons Devices、Solid State Electronics、Superlattices and Microstructures、Chinese Physics B、Chinese Physics Letters等期刊公开发表第一作者学术论文20多篇，其中13篇SCI收录(二区3篇，三区6篇，四区4篇)，6篇EI收录，担任IEEE Microwave and Wireless Components Letters、Journal of Physics and Chemistry of Solids、International Journal of Electronics,IET Circuits, Devices & Systems,IETE Journal of Research等国外顶级期刊审稿人。
主要研究领域或方向：基于深度学习的电学参数提取及优化算法研究，基于大数据在太阳能电池性能提高中的应用，电路设计领域中的SPICE模型参数建模及可靠性算法分析。
社会职务
研究领域
1、基于深度学习的电学参数提取及优化算法研究
2、基于大数据在太阳电池性能提高中的应用
3、电路设计领域中的SPICE模型参数建模及可靠性算法分析。
开授课程
曾经开授课程:
1、高频电子线路
2、电路可靠性与最优化设计
3、微机原理与接口技术
4、面向对象程序设计
5、单片机
6、C语言程序设计
7、半导体光伏技术
8、自动控制原理
9、半导体物理
2018-2019学年开授课程：自动控制原理、面向对象程序设计
科研项目
1)NB-IoT系统频谱共享与干扰机制研究,宁夏回族自治区无线电管理委员办公室，资助号：0, 2019/09-2020/12，负责人。
2) 高性能SOI横向对称三极管机理研究, 陕西省自然科学基金面上项目，资助号：2018JM6067， 2018/01-2019/12，负责人
3）长安大学2018年中央高校“双一流”引导专项资金本科教学建设项目：基于AMPS软件实现《半导体光伏技术》教学的探索，资助号：4，2018.01～2019.12，负责人
4) 低辐照对钙钛矿太阳电池的影响研究,长安大学研究生科研创新实践项目，2018.06～2018.12。指导教师。
5)中央高校教育教学改革专项资金本科教学与创新创业教育建设项目，核心课程建设：高频电子线路，资助号:5, 2017.01～2018.12，负责人。
6）SOI横向对称三极管电学参数研究，中央高校基本科研业务费， 资助号：1，2018.01-2020.12，负责人。
7）高性能薄膜SOI硅锗异质结晶体管机理研究，国家自然科学基金，资助号：**，2016.01-2018.12,负责人。
8）应变UTBB FDSOI MOSFET 载流子迁移率研究，陕西省自然科学基金，资助号：2017JQ4025， 2017/01-2018/12，主要参与人员
9） 城市轨道交通电客车制动能量回收系统研究与设计(2), 中央高校基本科研业务费(创新团队)，2016.1-2017.12.主要参与人员
10） GaN基MOS-HEMT器件辐照损伤机理与可靠性研究，中央高校基本科研业务费 NO. 2， 2016/01/?2017/12，主要参与人员
11）SOI集电结耗尽SiGeHBT关键参数研究，陕西省自然科学基本科研业务费,资助号: 2014JQ8344, 2014.05-2017.01,负责人。
12）新型结构半永久性碳化硅微型同位素电池研究，陕西省自然科学基金NO. 2015JM6357,经费2万元，2014.1-2015.12,主要参加人。
13）基于碳化硅材料的高温半导体温度传感器研究，西安市科技计划项目NO. CXY1441(9),经费6万元，2014.1-2015.12,主要参加人。
14）SOI集电结耗尽SiGe HBT关键理论研究，中国博士后科学基金一等资助,资助号: 2013M540732, 2013.07?2017.05,负责人。
15）硅基应变集成器件性能增强机理研究，（编号：ZZ），2009.01-2012.12，国家部委，主要参与人员
16）硅基应变器件模型与参数提取研究，（编号：ZZ），2009.01-2012.12，国家部委，主要参与人员
17）应变Si nm CMOS关键理论与技术研究，2011.1-2015.12，国家部委，主要参与人员
18）公路基础设施既有信息接入与交通运行状态影响评估技术研究（60），交通运输部重大专项，2011.4-2014.3.主要参与人员
论文
[1] Xiaobo Xu, Xiaocheng Zhang, Zhaowu Huang, Shaoyou Xie, Wenping Gu, Xiaoyan Wang, in Zhang and Zan Zhang Current Characteristics Estimation of Si PV Modules Based on Artificial Neural Network Modeling, Materials, 2019, 12(9), 3037(1)-3037(12) (SCI IF: 2.972).
[2] Wang Xiao-Yan, Xu Xiao-Bo, Wang Hui-Feng,Analytical model for uniaxial strained Si inversion layer electron effective mobility,IET Circuits, Devices & Systems, 2019, 13(3), 414-491 (SCI IF: 1.277).
[3] Wang Xiao-Yan, Xu Xiao-Bo, Wang Hui-Feng, An analytical model for the electron effective mobility in a strained silicon inversion layer, Chinese Journal of Physics, 2018,56, 2095-2103 (SCI IF: 2.544).
[4]Lin Zhang, Hong-Liang Cheng, Xiao-Chuan Hu, Xiao-BoXu,Model and optimal design of 147Pm SiC-based betavoltaic cell, 2018, 123, 60-70 (SCI IF: 2.385 ) .
[5] Wenping Gu, Xiaobo Xu, Lin Zhang, Zhiyuan Gao, Xiaochuan Hu and Zan Zhang，Study on Neutron Irradiation-Induced Structural Defects of GaN-Based Heterostructures, 2018, 8, 198(1)-198(9).
[6] 徐小波，李瑞雪，全部耗尽SOI SiGe HBT 集电结渡越时间模型研究， 微电子学，2018， 48(4)，496-499.
[7] 李瑞雪，徐小波，谷文萍， 一种基于光强变化的太阳电池参数提取方法，电子器件，2019, 42(4), 856-860;
[8]Xiao-Bo Xu，Wen-Ping Gu, Si Quan, Zan Zhang, Lin Zhang. Early effect of box, triangular and trapezoidal Ge profiles for SiGe HBTs. Superlattices and Microstructures, 2017. 603-609 (SCI IF: 2.123).
[9]Xiao-Bo Xu，Xiao-Yan Wang, Wen-Ping Gu, Si Quan, Zan Zhang. Study on influences of CdZnS buffer layer on CdTe solar cells. Superlattices and Microstructures, 109, 2017, 463-469 (SCI IF: 2.123)
[10]Xiaobo Xu，Xiaoyan Wang, Wenping Gu, Si Quan. Current Crowding Effect of Equilateral Polygon Emitter Transistors.IEEE Transactions on Electron Devices，64(6), 2017, 2770-2772. (SCI IF: 2.605 )
[11]徐小波，张林，王晓艳, 谷文萍，胡辉勇, 葛建华，Si和SiGe三极管Early效应电路仿真模型综述，电子学报，44(7)，2016, pp 1763-1771 ( EI)
[12]徐小波,王晓艳, 谷文萍, 张林, 全思, 葛建华,低光强下CdTe太阳电池的性能研究.半导体光电, 37(6), 2016, pp 796-799.
[13]徐小波，王晓艳，李艳波，胡辉勇，葛建华, SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究,微电子学, 45(5)，2015，pp 681-684.
[14]Xu Xiao-Bo, Zhang Bin, Yang Yin-Tang, and Li Yue-Jin, An analytical model of SiGe heterojunction bipolar transistors on SOI substrate for large current situation, Chinese Physics Letters, 2013, 30(2): 028502-1~4; (SCI: 0003**IF: 0.8)
[15]Xiao-Bo XuHe-Ming Zhang, Hui-Yong Hu, and Jiang-Tao Qu, Early effect of SiGe heterojunction bipolar transistors, Solid State Electronics, 2012, 72(6): 1-3; (SCI: 001 SCI IF: 1.58)
[16]Xu Xiao-Bo, Zhang He-Ming, Hu Hui-yong, Ma Jian-Li), and Xu Li-Jun, Analytical base–collector depletion capacitance in vertical SiGe heterojunction bipolar transistors fabricated on CMOS-compatible silicon on insulator, Chinese Physics B, 2011 20(1): 018502-1~5; (SCI: 102 SCIIF: 1.223)
[17]Xu Xiao-Bo, Zhang He-Ming, Hu Hui-yong, and Ma Jian-li, Early effect modeling of silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors, Chinese Physics B, 2011 20(5): 058502-1~6; (SCI: 075 IF:1.223)
[18]Xu Xiao-Bo, Zhang He-Ming, Hu Hui-yong, and Qu Jiang-tao, Substrate bias effects on collector resistance in SiGe heterojunction bipolar transistors on thin film silicon-on-insulator, Chinese Physics B, 2011 20(5): 058503-1~5; (SCI: 076 IF: 1.223)
[19]Xu Xiao-Bo, and Zhang He-Ming, An analytical avalanche multplcation model for partially depleted silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors, Chinese Physics letters, 2011 28(7): 078505-1~4; (SCI: 088 IF: 0.8)
[20]Xu Xiao-Bo, Xu Kai-Xuan, Zhang He-Ming, and Qin Shan-Shan A device model for thin silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors with saturation effects, Chinese Physics B, 2011 20(9): 098501-1~5; (SCI: 078 IF: 1.223)
[21]Xu Xiao-Bo, Zhang He-Ming, Hu Hui-yong, Li Yu-Chen, and Qu Jiang-Tao, Weak avalanche multiplication in SiGe HBTs on thin film SOI, Chinese Physics B, 2011 20(10): 108502-1~6; (SCI: 077 IF: 1.223)
[22]Xiaobo Xu, Heming Zhang, Huiyong Hu, Jianli Ma, and Lijun Xu, Generalized Early voltage model of bipolar transistors for linearly graded germanium in base, Applied Mechanics and Materials, 2012 110-116: 3311-3315; (EI)
[23]Xiaobo Xu, Heming Zhang, Huiyong Hu, Shanshan Qin, and Jiangtao Qu, Collector resistance of accumulation-subcollector transistors for SOI SiGe BiCMOS technology, Applied Mechanics and Materials, 2012 110-116: 5452-5456; (EI)
[24]徐小波，张鹤鸣，胡辉勇，许立军，马建立，SOI部分耗尽SiGe HBT 集电结空间电荷区模型，物理学报，2011 60(7): 078502-1~9; (SCI: 119 IF: 1.013)
[25]徐小波，张鹤鸣，胡辉勇，SOI部分耗尽SiGe HBT 集电结耗尽电荷和电容改进模型，物理学报，2011 60(11): 118501-1~5; (SCI: 115 IF: 1.013)
[26]Xiaobo Xu, Kaixuan Xu, and Heming Zhang, Collector depletion region investigation of SOI SiGe HBTs, IEEE 2011 International Conference on Electric Information and Control Engineering (ICEICE 2011), Wu Han, China, 2011.04, 2039-2043; (EI)
[27]Xiaobo Xu, Heming Zhang, Huiyong Hu, Jiangtao Qu, Jianli Ma, and Shanshan Qin, Negative substrate bias effects on collector resistance in SiGe HBTs on thin film SOI, IEEE 2011 International Conference on Electric Information and Control Engineering (ICEICE 2011), Wu Han, China, 2011.04, 2380-2382; (EI)
[28]Xiaobo Xu, Heming Zhang, Huiyong Hu, Jiangtao Qu, and Jianli Ma, Weak avalanche multiplication model for fully depleted silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors, IEEE 2010 International Conference on Modeling, Simulation and Control (ICMSC 2010), Cairo, Egypt, 2010.11; (EI)
[29]Qin Shan-Shan, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Wang Guan-Yu, Wang Xiao-Yan, Xu Xiao-Bo, and Qu Jiang-Tao, A two-dimensional subthreshold current model for strained-Si MOSFET, Science in China: Series G，2011, 54(12): 21811~2185; (SCI: 011)
[30]Qin Shanshan Zhang Heming, Hu Huiyong, Xu Xiaobo, and Wang Xiaoyan, An analytical model for the subthreshold current of fully depleted strained-SOI MOSFET , Applied Mechanics and Materials, 2012, 110-116: 3332-3337; (EI)
[31]Song Jian Jun, Shan Heng Sheng, Zhang He Ming, Hu Hui Yong, Wang Guan Yu, Ma Jian Li, Xu Xiao Bo, Model of DOS near the top of valence band in strained Si1-xGex/(001)Si, Recent Trends in Materials and Mechanical Engineering Materials, Mechatronics and Automation, 2011, 55-57: 979-982; (EI)
[32]Qu Jiangtao, Zhang, Heming, Hu, Huiyong, Xu, Xiaobo, Wang, Guan-Yu, and Wang, Xiao-Yan, The impact of Drain-Induced Barrier Lowering effect on threshold voltage for small-scaled strained Si/SiGe nMOSFET, Applied Mechanics and Materials, 2012, 110-116: 5457-5463; (EI)
[33]Qu Jiang Tao, Zhang He Ming, Xu Xiao Bo, and Qin Shan Shan, Study of Drain Induced Barrier Lowering(DIBL) effect for strained Si Nmosfet, Procedia Engineering, 2011, 16: 298-305; (EI)
[34]Qu Jiang-Tao, Zhang He-Ming, Qin Shan-Shan, Xu Xiao-Bo, and Hu Hui-Yong, Study of threshold voltage modeling for small-scaled strained Si nMOSFET, IEEE 2011 International Conference on Electric Information and Control Engineering (ICEICE 2011), Wu Han, China, 2011.04, 4507-4510; (EI)
[35]屈江涛，张鹤鸣，秦珊珊，徐小波，王晓艳，胡辉勇，小尺寸应变Si NMOSFET物理模型的研究，物理学报，2011，60(9): 098501-1~7; (SCI: 113)
[36]屈江涛，张鹤鸣，胡辉勇，徐小波，王晓艳，小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电流电压特性的研究，电子科技大学学报, 2012, 41(2): 311-316；(EI)
[37]张滨，杨银堂，李跃进，徐小波，SOI SiGe HBT电学性能研究，物理学报，2012, 61(23), 238502-1~9; (SCI index source)
[38]Jian-Li Ma, He-Ming Zhang, Jian-Jun Song, Qun Wei, Xiao-Yan Wang, Guan-Yu Wang, and Xiao-Bo Xu, Energy Band Structure of Silicon Under Uniaxial Stress in the (110) Plane Along an Arbitrary Direction, Chinese Journal of Physics 2011, 49(6): 1244~1254; (SCI: 012)
[39]马建立，张鹤鸣，宋建军，王晓艳，王冠宇，徐小波，单轴<111>应力硅价带结构计算，物理学报2011，60(8): 087101-1~8 (SCI: 077);
[40]Jian-Li Ma, He-Ming Zhang, Xiao-Yan Wang, Qun Wei, Guan-Yu Wang and Xiao-Bo Xu,
[41]Ma Jianli, Zhang Heming, Song Jianjun, Wang Guanyu, Wang Xiaoyan, and Xu Xiaobo. Impact of [110]/(001) uniaxial stress on valence band structure and hole effective mass of silicon, 2011, Journal of Semiconductors, 32(2): 022002-1~5; (EI)
[42]Xu Li-Jun, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Xu Xiao-Bo, and Ma, Jian-Li, The study of direct tunneling current in strained MOS device with silicon nitride stack gate dielectric, Applied Mechanics and Materials, 2012, 110-116: 5442-5446; (EI)
[43]Xu Li-Jun, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Xu Xiao-Bo, and Ma, Jian-Li, The study of parallel strain distribution in channel of PMOSFET with silicon-germanium source and drain regions, IEEE 2011 International Conference on Electric Information and Control Engineering (ICEICE 2011), Wu Han, China, 2011.04, 4677-4680; (EI)
[44]Yuchen Li, Heming Zhang, Huiyong Hu, Xiaobo Xu, Chunyu Zhou, and Bin Wang, A Compact Threshold Voltage Model for the Novel High-Speed Semiconductor Device IMOS, 2011 International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC 2011), 2011, 1-2；(EI)
[45]李妤晨,张鹤鸣,张玉明,胡辉勇,徐小波,秦珊珊,王冠宇，新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型，物理学报，2012，61(4)：047303-1~5；(SCI: 068)
科技成果
荣誉奖励
工作经历
2012.04至今，长安大学，电子与控制工程学院，教师
