1980 – 1983于江西省井冈山大学物理系学习; 1988 – 1991于中国科学院上海应用物理研究所学习获理学硕士学位;于1995 – 1998年于中国科学院上海应用物理研究所学习获理学博士学位。于2002 – 2004年于新加坡南洋理工大学工作二年。

主要从事的研究工作: 1.半导体材料和金属氧化陶瓷材料的离子束改性; 2.制冷型和非制冷型红外探测薄膜材料的制备; 3.制冷型和非制冷型红外探测器的研制等;

近年来发表的部分论文

[1] D.Z. Xie, B.K.A. Ngoi, Y.Q. Fu, A.S.Ong, B.H. Lim, “Etching characteristics of TiNi thin film by focused ion beam”,Applied Surface Science, Vol.225， (2004)54

[2] D. Z. Xie, B. K. A. Ngoi, A. S. Ong,Y. Q. Fu and B. H. Lim. “Focused ion beam micromachining of TiNi film on Si(1 11)”, Nucl.Inst. and Meth. Vol.211, No.3, (2003)p363

[3] D.Z.Xie, B.K.A. Ngoi, W.Zhou, Y.Q.Fu, “Thermalannealing behavior of nanoscale ripple fabricated by focused ion beam” AppliedSurface Science, Vol.227， (2004)250

[4] 谢东珠，郭献东，刘天东等，“带耦合光栅的量子阱红外探测器研制”，

<<红外技术>>，Vol.24,No.6, (2002) p77

[5] DONGZHU XIE,Dezhang Zhu, Dexin Cao, Jianqing Cao, Haochang Pan, Hongjie Xu"Modification of c-axis sapphire implanted with high dose Yttriumions". Nucl. Inst. andMeth. B149(1999)136.

[6] XIE DONGZHU, Zhu Dezhang, Pang Haochangand Xu Hongjie and Ren Zongxin

"Enhanced Etching of sapphiredamaged by ion implantation". J. Phys. D: AppliedPhysics, 31(1998)1647