马瑶，副教授，硕士生导师，博士，微电子学系系主任。
邮箱：mayao@scu.edu.cn

个人简介
四川大学凝聚态物理专业博士。2017年晋升为副教授。主要从事先进半导体材料、微电子器件的可靠性、辐照效应及抗辐照加固研究。在IEEE Transactions on Electron Devices, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research, B，Microelectronics reliability等知名期刊发表学术论文30余篇，其中，一作/通讯作者10余篇。承担和参与科研项目10余项。2012年至2013年美国亚利桑那州立大学访问****。与美国，加拿大，意大利，瑞士等多个国家的高校和研究机构建立了长期的合作关系。
主讲课程
2 专业必修课程《半导体材料及IC工艺原理（双语）》
2 专业必修课程《毕业实习》
2 专业选修课《微电子器件设计与工艺实验》
2 专业选修课《半导体物理前沿》
2 研究生课程《微电子器件可靠性分析》
社会任职
1. IEEE Member;
2. 《IEEE Transactions on Nuclear Science》，《Journal of Materials Chemistry C》，《电源学报》审稿人
承担科研项目情况
1. 横向项目，21H0211，碳化硅深能级瞬态谱（DLTS）表征，2021/03-2021/06，6.36万，在研，主持。
2. 横向项目，21H0111，高精度芯片用大尺寸电阻率均匀单晶硅磨片研制，2021/20-2021/09，8万，在研，参与。
3. GF项目，2020/07-2022/06，30万元，在研，主持。
4. GF项目，2020/07-2021/12，40万元，在研，参与。
5. 横向项目，20H1199，IGBT器件开关速度的机理研究，2021/01-2021/12，10万元，在研，主持。
6. 横向项目，20H0386，二元金属氧化物薄膜辐照效应试验，2020/06-2021/06，10万元，在研，主持。
7. 横向项目，20H1198，高可靠性新型功率半导体器件的研究，2020/10-2023/10，15万元，在研，主持。
8. GF项目，2020/06-2020/12，4.5万元，已结题，主持。
9. 横向项目，10H1022，功率器件抗辐照研究，2019/11-2021/11，5万元，在研，参与。
10. GF项目，2019/05-2019/10，11.4万元，已结题，主持。
11. 国家自然科学基金青年基金，**，载流子存储增强型超结IGBT的优化设计及开关可靠性机理研究，2019/01-2021/12，24万元，在研，参与。
12. 横向项目，HG**，非易失存储器单元辐照效应试验，2018/09-2019/12，4.5万元，已结题，主持。
13. 国家自然科学基金青年基金，**，重离子辐照对4H-SiC SBD电学性能退化机制与物理建模的研究，2018/01-2020/12，25万元，已结题，参与。
14. GF项目，2017/09-2018/06，11.2万元，已结题，主持。
15. 国家自然科学基金青年基金，**，应用于中红外血糖检测的光子晶体，2017/01-2019/12，19万，已结题，参与。
16. GF项目，2017/01-2017/12，29.91万元，已结题，主持。
17. GF项目，2016/01-2016/12，15.8万元，已结题，主持。
18. 国家自然科学基金青年基金，**，基于有机单晶的自旋电子器件，2015/01-2017/12，26万元，已结题，参与。
19. 四川大学青年教师科研基金，2014SCU11047，深亚微米器件中高能单粒子辐照研究，2014/04-2015/12，8万元，已结题，主持。
20. 国家自然科学基金面上项目，**，集成电路中高能单粒子径迹的电子学特性研究，2012/01-2015/12，64.5万元，已结题，参与。
译著：
《现代集成电路和电子系统的地球环境辐射效》，毕津顺，马瑶，王天琦，电子工业出版社
期刊论文
[1] RunzeZhang, Yun Li, Siting Ming, Min Gong, Wei Liu, Bingyan Liu, Zhimei Yang, Yao Ma*, Jinshun Bi* , Kai Xi , PengWang, Jifeng Han，Atomic Migration Behaviors induced by Au Ions in HfO2/Si Stack，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B，2020, 474：23-28.
[2] Shu-rui Cao, Xiao-yu Ke, Si-ting Ming, Duo-wei Wang, Tong Li, Bing-yan Liu, Yao Ma*, Study of γ-ray radiation influence on SiO₂/HfO₂/Al₂O₃/HfO₂/Al₂O₃ memory capacitor by C–V and DLTS, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 30: 11079–11085.
[3] Zhimei Yang，Fan Lan，Yun Li，Min Gong，Mingmin Huang，Bo Gao，Junkui Hu，Yao Ma*，The effect of the interfacial states by swift heavy ion induced atomic migration in 4H-SiCSchottky barrier diodes, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 2018, 436: 244-248.
[4] Yun Li, Yao Ma*, Wei Lin, Peng Dong, Zhimei Yang, Min Gong, Jinshun Bi, Bo Li, Kai Xi, Gaobo Xu, Study of γ-ray irradiationin fluence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS, Superlattices and Microstructures, 2018, 120: 313-318.
[5] YaoMa, Gao Bo*, Min Gong, Maureen Willis, Zhimei Yang, Mingyue Guan, YunLi. High Fluence Swift Heavy Ion Structure Modification of the SiO₂/Si Interface and Gate Insulator in 65nm MOSFETs. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B，2017, 396C：56-60.
[6] YaoMa, Pengfei Xu, Mingyue Guan, Filippo Boi, Gao Bo*, Min Gong, Xue Wu, Yuxin Wang, Hua Wang, ZengQiang Niao Analysis of deep level defects in bipolarjunction transistors irradiated by 2 MeV electrons, Microelectronics Reliability, 2017, 79: 149–152.
[7] Yao Ma，Gao Bo*，Chang Chen，Xin Zhao，Zheng Qiang，Min Gong，Single wavelength oxygen saturation detection fusing optical absorption and scattering properties: a phantom study，Spectroscopy and Spcetral Analysis, 2017, 37: 2652-2656.
[8] ZhimeiYang, Yun Li, Yao Ma*, Min Gong , Mingmin Huang , Bo Gao, Li lai，XTEMinvestigation of recovery on electrical degradation of 4H-SiC Schottky barrierdiode by swift heavy 209Bi ions irradiation, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B, 2017, 407：304-309.
[9] BoGao, Yao Ma,* Yang Liu, Min Gong，Influence ofthe heterojunction spacer on the performance of AlGaN/GaN/AlGaN resonant tunneling diodes，IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64: 1.
[10] Yao Ma, Zhimei Yang*, Min Gong , Bo Gao, Yun Li , Wei Lin, Jinbo Li,Zhuohui Xia，Swift heavy ion irradiation induced electrical degradation in deca-nanometer MOSFETs, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2016, 383：160-163.
[11] 马瑶，龚敏*，刘鑫，胥鹏飞，林巍，冷宏强，重离子辐照SiO₂/Si结构变温光致发光谱研究，光散射学报，2016, 28：369-373.
[12] Mingmin. Huang, Rui. Li, Z. Yang*, Yao Ma, Yun. Li, Xi. Zhang, Ming. Gong. A multi -epi Superjunction MOSFET with a lightly-doped MOS-Channel diode for improvingreverse recovery[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(5): 2401-2407.
[13] Shaomin Wang，Rongbin Hu，Gang Chen，ChengtaoLuo，Min Gong，YunLi，Mingmin Huang，Yao Ma，Zhimei Yang*. Investigation of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Irradiated with 6 MeV Au Ionsat Low Temperature[J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2021, 494-495:53-58.
[14] Duowei Wang, Rongbin Hu, Gang Chen, ChangqinTang, Yao Ma, Min Gong, Qingkui Yu, Shuang Cao, Yun Li, Mingmin Huang, Zhimei Yang*. Heavy ion radiation and temperature effects on SiC schottkybarrier diode[J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2021, 491:52-58.
[15] Mingmin Huang, Zhimei Yang, Shaomin Wang, Jiyuan Liu, Min Gong, Yao Ma, Jie Liu, Pengfei Zhai, Youmei Sun, Yun Li*, Recrystallization effects in GeV Bi ion implanted 4H-SiC Schottky barrier diodeinvestigated by cross-sectional Micro-Raman spectroscopy. Nuclear Instruments and Methods in PhysicsResearch B, 2020, 478: 5-10.
[16] Fan Lan, Min Gong, Mingmin Huang, Yun Li, Shaomin Wang, Jie Liu, Youmei Sun, PengfeiZhai, Yao Ma, Zhimei Yang*, Effects of ultraviolet illumination on 4H-SiC Schottky barrier diodes irradiated byswift heavy ions, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B, 2020, 465:6-10.
[17] Jiayu Zhu, Yun Li, Shaomin Wang, Hongxia Wang, Min Gong, Mingmin Huang, Yao Ma, Zhimei Yang*. Study on SOI structure irradiated by electron and annealled treatment using C–V, FTIR and PL. Superlattices and Microstructures 2020 , 139:106393.
[18] Rui Li, Mingmin Huang*, Zhimei Yang, Yao Ma, Min Gong, Carrier-storage-enhanced Superjunction IGBT with n-Si and p-3C-SiCpillars, Electronics Letters, 2019, 55(25): 1353-1355.
[19] Zhe Chen, Peng Dong, Meng Xie, Yun Li, Xuegong Yu, Yao Ma, Study of gamma-ray radiation effects on the passivation properties of atomic layer deposited Al₂O₃ on silicon using deep-level transient spectroscopy, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 30: 1148–1152.
[20] Peng Dong, Ping Yang, Xuegong Yu, Lin Chen,Yao Ma, Moo Li, Gang Dai, Jian Zhang, Effect of Germanium Doping on the Production and Evolution of Divacancy Complexes in Neutron Irradiated Czochralski Silicon, Journal of Electronic Materials, 2018, 47: 5019-5024.
[21] Yang Zhimei, Ma Yao, Gong Min, Li Yun, Huang Mingmin, Gao Bo, Zhao Xin*, Recrystallization effects of swift heavy Bi-209 ions irradiation on electrical degradation in 4H-SiC Schottky barrierdiode, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: BeamInteractions with Materials and Atoms, 2017, 401: 51-55.
[22] Peng Dong, Xuegong Yu, Yao Ma, Meng Xie, Yun Li, Chunlai Huang, Mo Li, Gang Dai, Jian Zhang,A deep-level transient spectroscopy study of gamma-ray irradiation on the passivation properties of silicon nitride layer on silicon, AIP Advances 7, 085112 (2017)
[23] 王靖宇, 邓春纲, 马瑶, 李芸,杨治美*, 龚敏. 反向外延生长3C-SiC薄膜中残余应力的工艺优化. 光散射学报, 2017, 04:376-380.
[24] 王飞,杨治美*, 马瑶, 龚敏. SOI基3C-SiC薄膜的光谱表征[J].光散射学报, 2017, 02:187-190.
[25] Yun Li, Ping Su*, Zhimei Yang, Yao Ma, Min Gong*, Effect of swift heavy Kr ions on complex permittivity of silicon PINdiode, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, 2016, 388:1-4.
[26] 苏平，龚敏，马瑶，高博，石瑞英，陈昶，史同飞，曹先存，孟祥豪，罗代升，超薄GaMnAs外延膜空穴浓度应变弛豫研究，物理学报，2011.60(2): 027105.
[27] 刘丹单，邬齐荣，马瑶，龚敏，CMOS电路的低功耗逻辑综合，四川大学学报（自然科学版），2007,44(1)：106-110.
[28] 谢宛玲，杨治美，钟志亲，吴健，林海，马瑶，袁菁，龚敏^*，肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应，光散射学报，2006,18(3)：277-281.

会议论文
[1] Duowei Wang, Changqin Tang, Meiju Xiang, Yao Ma*, Electron Radiation and Temperature Effects on SiC Schottky Barrier Diode, 4th International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices（ICREED2021）, Xi’an, 26th-29th May 2021.
[2] Bowen Yu, Nan Yang, Xiaoyu Deng, Zhao Wang, Yao Ma*, The Different Electron Radiation Methods Effects on 4H-SiC Epilayers, 4th International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices（ICREED2021）, Xian, 26th-29th May 2021.
[3] 杨治美*，李元梁，李芸，龚敏，马瑶，黄铭敏. 重离子辐照对4H-SiC肖特基势垒二极管界面的影响[C].全国半导体物理学术年会，2019年7月，中国，杭州。
[4] Zhimei Yang, Yao Ma*, Xin Zhao, Yun Li, Bo Gao, Chang Chen, Min Gong, Compared Current-Voltage Characteristics of Silicon and Cubic Silicon Carbide pn-junction based on the Silicon Substrate, IEEE International nanoelectronics conference (INEC), Chengdu, 9th-11th May 2016.

获奖及荣誉
1. 2020年第二届全国高校混合式教学设计创新大赛特等奖项目组成员
2. 2019年四川大学本科课堂教学质量优秀奖
3. 2019四川大学物理学院优秀共产党员
4. 2018年四川大学大学生创新创业教育优秀指导教师
5. 2018年四川大学本科课堂教学质量优秀奖
6. 2017年四川大学大学生创新创业教育优秀指导教师
7. 2017年四川大学本科课堂教学质量优秀奖
8. 2017年四川大学优秀毕业论文指导三等奖（两项）
9. 2017年四川大学优秀毕业论文指导一等奖
10. 2016 - 2017年四川大学优秀实习指导教师三等奖
11. 2016年四川大学大学生创新创业教育优秀指导教师
12. 2015年四川大学本科课堂教学质量优秀奖