黄铭敏，副教授，硕士生导师，博士
邮箱：mmhuang@scu.edu.cn

个人简介
2009年6月获得电子科技大学微电子技术专业学士学位，2016年6月获得电子科技大大学微电子学与固体电子学博士学位。2016年7月加入四川大学物理学院微电子系，任助理研究员。2019年2月赴美国哈佛大学短期访学。2020年9月晋升为副教授。2021年6月增列为硕士生导师（学科：电子科学与技术）。目前主要从事功率半导体器件的设计、辐照效应、抗辐照及应用可靠性研究。主持国家自然科学基金青年基金项目、四川省科技计划项目、中国博士后基金面上项目和多项横向项目。已在IEEE EDL、IEEE TED等知名期刊及国际会议上发表论文20余篇，其中一作/通讯作者SCI论文11篇。已获授权中国发明专利14项。

教育及工作经历
2 2005.09-2009.07 电子科技大学，电子科学与技术（微电子技术），工学学士；
2 2009.09-2016.06 电子科技大学，电子薄膜与集成器件国家重点实验室，
微电子学与固体电学，工学博士（硕博连读）；
2 2016.07-2020.09 四川大学物理学院微电子学系，微电子技术四川省重点实验室，
助理研究员；
2 2020.09至今， 四川大学物理学院微电子学系，微电子技术四川省重点实验室，
副教授。
主讲课程
2 《微电子工艺与器件模拟》
2 《功率半导体器件》
2 《微电子专题研讨》
研究方向
2 功率半导体器件与功率集成
2 功率半导体器件辐照效应与抗辐照加固
社会任职
2 IEEE Member；
2 《Electronics Letters》、《IEEE Access》、《Journal of Computational Electronics》等SCI期刊审稿人；
承担科研项目情况
2 国家自然科学基金青年项目，**，载流子存储增强型超结IGBT的优化设计及开关可靠性机理研究，主持；
2 中国博士后基金面上项目，2018M643476，载流子存储增强型超结IGBT的结构改进研究，主持；
2 四川省科技计划项目，2020YJ0005，新型超结IGBT的研究，主持；
2 国家自然科学基金面上项目，**，单晶硅中晶体缺陷诱生负介电常数新效应机理及应用研究，参与；
2 横向项目，高可靠性新型功率半导体器件的研究，主持；
2 横向项目，IGBT开关速度的机理研究，主持
2 横向项目，功率器件抗辐照研究，主持
2 横向项目，移动式测控系统，主持
论文和专利
2 一作/通讯SCI期刊论文（时间倒序）
[1] M. Huang, R. Li, Z. Yang, Y. Ma, Y. Li, X. Zhang, M. Gong. A multi-epi Superjunction MOSFET with a lightly-doped MOS-Channel diode for improving reverse recovery, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(5): 2401-2407.
[2] Y. Li, M. Gong, Z. Yang, P. Su, Y. Ma, S. Fan, M. Huang*, Novel phenomenon of negative permittivity in silicon-based PiN diodes induced by electron irradiation, Superlattices and Microstructures, 2021, 149: 106755.
[3] J. Li, M. Huang*, Z. Yang, Y. Ma, M. Gong, Snapback-free reverse conducting IGBT with p-float and n-ring surrounding trench-collector, Electronics Letters, 2020, 56(24): 1137-1140.
[4] M. Huang , Z. Yang, S. Wang, J. Liu, M. Gong, Y. Ma, J. Liu, P. Zhai, Y. Sun, Y. Li*, Recrystallization effects in GeV Bi ion implanted 4H-SiC Schottky barrier diode investigated by cross-sectional Micro-Raman spectroscopy. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2020, 478: 5-10.
[5] M. Huang, J. Li, C. Xie, L. Lai*, M. Gong, Snapback-free reverse conducting IGBT with p-poly trench-collectors, Electronics Letters, 2020, 56(3): 153-155.
[6] M. Huang, Y. Deng, L. Lai, Z. Yang, M. Gong. A vertical superjunction MOSFET with n-Si and p-3C-SiC pillars. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(9): 3922-3928.
[7] R. Li, M. Huang*, Z. Yang, Y. Ma, M. Gong, Carrier-storage-enhanced Superjunction IGBT with n-Si and p-3C-SiC pillars, Electronics Letters, 2019, 55(25): 1353-1355. (Feature Article)
[8] F. Liu, M. Huang*, R. Li, L. Lai, M. Gong. Low-loss reverse blocking IGBT with PNM structure and trench collectors. Electronics Letters, 2019, 55, (6), pp. 350-351.
[9] M. Huang, B. Gao, Z. Yang, L, Lai, M. Gong. A carrier-storage enhanced Superjunction IGBT with ultralow loss and on-state voltage. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(2): 264-267.
[10] M. Huang, X. Chen. Theory of an improved vertical power MOSFET using high-k insulator. Superlattices and Microstructures, 2015, 88: 244-253.
[11] M. Huang, X. Chen. Vertical power Schottky barrier diodes using a high-k insulator. Semiconductor Science and Technology, 2015, 30(10): 105021.
2 其它SCI期刊论文（时间倒序）
[12] S. Wang, R. Hu, G. Chen, C. Luo, M. Gong, Y. Li, M. Huang, Y. Ma, Z. Yang. Investigation of 4H-SiC Schottky barrier diodes irradiated with 6 MeV Au ions at low temperature. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 2021, 494-495(4):53-58.
[13] D. Wang, R. Hu, G. Chen, C. Tang, Y. Ma, M. Gong, Q. Yu, S. Cao, Y. Li, M. Huang, Z. Yang. Heavy ion radiation and temperature effects on SiC schottky barrier diode. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 2021, 491(6):52-58.
[14] J. Zhu, S. Wang, H. Wang, M. Gong, M. Huang, Y. Ma, Z. Yang. Study on SOI structure irradiated by electron and annealled treatment using C–V, FTIR and PL. Superlattices and Microstructures, 2020, 139:106393.
[15] F. Lan, M. Gong, M. Huang, Y. Li, S. Wang, J. Liu, Y. Sun, P. Zhai, Y. Ma, Z. Yang. Effects of ultraviolet illumination on 4H-SiC Schottky barrier diodes irradiated by swift heavy ions. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 2020, 465:6-10.
[16] S. Cao, X. Ke, S. Ming, D. Wang, T. Li, B. Liu, Y. Ma, Y. Li, Z. Yang, M. Huang, etc. Study of γ-ray radiation influence on SiO2/HfO2/Al2O3/HfO2/Al2O3 memory capacitor by C–V and DLTS. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 30 (12), 11079-11085.
[17] Z. Yang, F. Lan, Y. Li, M. Gong, M. Huang, B. Gao, J. Hu, Y. Ma. The effect of the interfacial states by swift heavy ion induced atomic migration in 4H-SiC Schottky barrier diodes. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. 2018, 436: 244-248.
[18] Z. Yang, Y. Ma, M. Gong, Y. Li, M. Huang, B. Gao, X. Zhao. Recrystallization effects of swift heavy 209Bi ions irradiation on electrical degradation in 4H-SiC Schottky barrier diode. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 2017, 401:51-55.
[19] Z. Yang, Y. Li, Y. Ma, M. Gong, M. Huang, B. Gao. XTEM investigation of recovery on electrical degradation of 4H-SiC Schottky barrier diode by swift heavy 209Bi ions irradiation. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. 2017, 407: 304-309.
[20] J. Deng, M. Huang, J. Cheng, X. Lyu, X. Chen. A new low specific on-resistance Hk-LDMOS with N-poly diode. Superlattices and Microstructures, 2017, 101: 180-190.
[21] X. Chen, M. Huang. A vertical power MOSFET with an interdigitated drift region using high-k insulator. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59(9): 2430-2437.
2 EI/核心期刊论文（时间倒序）
[22] 明思汀，王多为，唐常钦，马瑶，李芸，杨治美，黄铭敏，龚敏，齐纳二极管电子辐照特性研究，电子封装，2020，20(5): 20-25.
[23] M. Huang, X. Chen. A Superjunction structure using high-k insulator for power devices: Theory and optimization. Journal of Semiconductors, 2016, 37(6):064014（ESCI）.
2 会议论文（时间倒序）
[24] 黄铭敏，杨治美，电荷补偿型垂直导电功率MOSFET的研究进展，第二届全国新型功率半导体器件及应用技术研讨会，昆明，2016，92-94.
[25] X Sun, M Huang, X Chen. Study on a novel junction edge termination for HK-MOSFET. IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC), 2016, 1-2.
[26] M. Huang, X. Chen. Study on layouts design of the voltage sustaining layer using high-k insulator. IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2014, 1-3.（EI）
2 专利
[1] 黄铭敏，一种超结半导体器件，ZL 2.7，授权.
[2] 黄铭敏，一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管，ZL 2.6，授权.
[3] 黄铭敏，一种载流子存储增强的超结IGBT，ZL 4.X，授权.
[4] 黄铭敏，一种双重载流子增强的IGBT，ZL 6.X，授权.
[5] 黄铭敏，一种含有异质结的超结IGBT，ZL 1.X，授权.
[6] 黄铭敏，一种具有低导通压降的超结IGBT ZL 1.5，授权.
[7] 黄铭敏，一种具有增强载流子存储效应的超结IGBT，ZL 8.8，授权.
[8] 黄铭敏，一种载流子存储增强型超结IGBT，ZL 3.5，授权.
[9] 黄铭敏，范林杰，贾璐，一种含有背面槽栅的逆导型IGBT，ZL 5.7，授权.
[10] 黄铭敏，刘峰豪，李睿，一种反向阻断型FS-IGBT，ZL 4.3，授权.
[11] 黄铭敏，集成肖特基二极管的含有p-SiC的超结MOSFET，ZL 8.8，授权.
[12] 黄铭敏，李芸，陈昶，一种含有浮空区及终止环的逆导型IGBT，ZL 1.4，授权.
[13] 黄铭敏，一种含有背面槽型介质及浮空区的逆导型IGBT，ZL 2.X，授权.
[14] 黄铭敏，李睿，李芸，一种含有反向导电槽栅结构的超结MOSFET，ZL 9.X，授权.

获奖及荣誉
2 四川大学大学生创新创业教育优秀指导老师, 2018.12
2 四川大学课堂教学质量优秀奖, 2018.12
2 四川大学大学生创新创业教育优秀指导老师, 2019.12
2 四川大学“探索式-小班化”教学质量优秀奖, 2019.12
2 指导论文获四川大学本科优秀毕业论文一等奖和三等奖各1项, 2020.06
2 四川大学“探索式-小班化”教学质量优秀奖, 2020.12
2 发表论文被SCI期刊《Electronics Letters》评为Feature Article, 2019.12

IET Electronics Letters的专题报道