王光绪，博士，副研究员，赣江****。国家硅基LED工程技术研究中心副主任，科技部重点领域创新团队“半导体照明技术创新团队”核心成员。入选江西省“青年井冈****奖励计划”，南昌大学“赣江****”，南昌高新区“优秀科技工作者”。
致力于具有高光效高可靠性的硅衬底GaN基LED芯片及光源的开发和研究工作，有多项单元技术的突破，是硅基LED芯片的主要贡献人之一。主持国家工信部工业强基项目，国家自然科学基金，中央引导地方基金，江西省工业领域科技支撑项目4项，以项目骨干参加国家重点研发计划项目，工信部电子发展基金，国家自然科学基金重点项目，江西省自然科学基金项目4项。近年来发表论文30余篇，已获授权专利14余项。
指导学生参加第四届中国“互联网+”大学生创新创业大赛荣获金奖，并获优秀导师称号。
Email：guangxuwang@ncu.edu.cn
主持科研项目情况：
1.主持，第二代硅衬底GaN基高功率LED薄膜转移技术的研究，江西省工业领域科技支撑项目，项目编号：20151BBE50111. (2015.01~2016.12). 20万
2.主持，超高反射率的Ag基欧姆接触层与p-GaN表面改性的协同研究，国家自然科学基金青年项目，项目编号：**. (2017.01~2019.12). 23万
3.主持，硅衬底GaN基LED及无荧光粉多基色白光LED模组技术及生产线实施方案，国家工业强基工程项目，0714-EMTC02-5593 /7. (2015.10-2018.10)，1900万
4.主持，多色合一全光谱LED灯珠封装平台建设，中央引导地方基金，2018ZDD20003,（2018.01-2019.12）, 73万
5.项目骨干参与，高品质、全光谱无机半导体照明材料、器件、灯具产业化制造技术，国家重点研发计划项目，2016YFB**.（2016.07-2020.06），7473万
6.项目骨干参与(排名第三)，高效GaN基绿光LED研究，国家自然科学基金重点项目，**.（2014.01-2018.12），260万
7.LED芯片技术带头人，　LED生产用关键装备MOCVD研发与产业化，工信部电子发展基金项目；2013.01-2015.12，600万
发表的论文：
徐帅，王光绪*，吴小明，等. Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理[J]. 发光学报. 2019, 40(7): 865.
Wang G, Deng J, Guo X. Electrohydrodynamic assisted droplet alignment for lens fabrication by droplet evaporation[J]. Journal of Applied Physics. 2018, 123(16): 163102.
王光绪*，陈鹏，刘军林等. 刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响[J]. 物理学报. 2016, 65(8): 88501.
Wang G*, Tao X, Liu J, et al. Temperature-dependent electroluminescence from InGaN/GaN green light-emitting diodes on silicon with different quantum-well structures[J]. Semiconductor Science and Technology. 2015, 30(1): 15018.
Wang G X, Xiong C B, Liu J L, et al. Improving p-type contact characteristics by Ni-assisted annealing and effects on surface morphologic evolution of InGaN LED films grown on Si (111)[J]. Applied Surface Science. 2011, 257(20): 8675-8678.
王光绪，陶喜霞，熊传兵，等. 牺牲 Ni 退火对硅衬底 GaN 基发光二极管 P 型接触影响的研究[J]. 物理学报. 2011, 60(7): 808-813.
王光绪*，熊传兵，王立，等. Si 衬底 LED 薄膜芯片 Ni/Ag 反射镜保护技术[J]. 半导体技术. 2013, 38(4): 283-287.
王光绪，熊传兵，汪延明，等. Si 衬底 GaN 电镀金属基板 LED 芯片性能研究[C]. 第十二届全国 LED 产业研讨与学术会议论文集. 深圳: 2010.
王光绪，熊传兵，刘彦松，等. 硅衬底 GaN 基单量子阱绿光 LED 量子效率的研究[C]. 全国光电子与量子电子学技术大会论文集. 北京: 2011.
王光绪，熊传兵，王立，等. Si基LED薄膜芯片Ni/Ag反射镜保护技术研究[C]. 第十三届全国 LED 产业研讨与学术会议论文集. 武汉: 2012.
授权的专利：
王光绪，刘军林，江风益，一种LED薄膜芯片的半导体基板，ZL0.1。2013-11-20授权
王光绪，刘军林，汤英文，陶喜霞，江风益，一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构，ZL5.2。2017-03-22授权
王光绪，刘军林，江风益，低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法，ZL8.9。2016-04-13授权
王光绪，刘军林，陶喜霞，江风益，一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构， ZL4.8。2017-01-18授权
汤英文，王光绪，刘军林，熊传兵，江风益，能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制备方法及结构，ZL3.3。2017-06-16授权
刘军林，王光绪，陶喜霞，江风益，一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底，ZL4.7。2016-03-02授权
王光绪; 江风益; 刘军林; 吴小明; 全知觉; 张建立，照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，ZL0.1。2018-03-02授权
唐文明，王光绪，全知觉，江风益，一种照明驱蚊两用发光二极管灯具，ZL4.2，2017-01-25授权。
郭醒，王光绪，付江，李树强，张建立，莫春兰，全知觉，刘军林，江风益，一种无荧光粉的全光谱LED封装结构，ZL5.5，2017-08-11授权。
郭醒，王光绪，付江，刘军林，江风益，一种无荧光粉型黄白光LED路灯， ZL3.8,2018-03-13授权。
郭醒，王光绪，付江，李建华，刘军林，江风益，一种直接板上芯片的LED封装结构，ZL5.4,2018-05-15授权
李树强，陈芳，施维，王光绪，江风益;一种薄膜LED芯片结构，ZL0.3, 2018-04-27授权
郭醒，王光绪，付江，刘军林，江风益，一种无荧光粉型黄绿光LED强光手电筒，ZL0.8,2017-12-19授权
王光绪，郭醒，施维，万文华，刘军林，江风益，一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片及其制备方法，CN5.4， 2018.08.22申请
郭醒，王光绪，刘军林，李树强，陈芳，吴小明，江风益，一种具有掩膜层的反极性LED芯片及其制备方法，CN3.0 2018.08.16申请
王光绪，郭醒，陈芳，刘军林，李树强，江风益，一种LED芯片的封装模块及其制备方法， CN6.5 2018.03.30申请
王光绪; 郭醒; 陈芳; 刘军林; 李树强; 江风益; 一种LED芯片的封装模块， CN5.3 2018.12.21授权
李树强，陈芳，郭醒，吴小明，王光绪，刘军林，江风益，一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，ZL1.2，2018-10-12授权
李树强，陈芳，郭醒，吴小明，王光绪，刘军林，江风益，一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法， CN5.1，2018-06-22公开
郭醒，王光绪，张建立，付江，李树强，刘军林，江风益，一种LED芯片的封装产品，ZL6.5，2019,02,22授权