基本情况：
全知觉，男，江西临川人，博士，副研究员，硕士生导师，南昌大学材料科学研究所所长。1999年与2002年毕业于华北工学院分获学士、硕士学位；2007年1月毕业于中国科学院上海技术物理研究所获理学博士学位。荣获2006年度上海－应用材料研究与发展基金研究生奖学金。担任Optics Letter、Journal of Applied Physics等多家国际SCI学术刊物的论文评审人。参与和主持国家及江西省重大专项、国家及江西省自然科学基金等10余项；发表论文60余篇，获授权及申请专利10余项。
曾任职于中芯国际（上海）、晶能光电（江西）等高科技公司，从事半导体材料与器件的研究及产业化工作。现就职于南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，研究方向：半导体材料生长与器件制备、半导体器件性能分析及数值模拟。
联系方式：
地 址： 南昌市高新区艾溪湖北路679号南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心
邮 编: 330096
E-mail: quanzhijue@ncu.edu.cn.
承担课题情况：
(1) 主持国家自然科学基金面上项目：氮化镓基发光二极管中V坑空穴注入的研究；项目号 **；直接经费66万；执行年限：2017.01-2020.12.
(2) 主持江西省重点研发计划一般项目：硅衬底GaN基垂直结构LED超大芯片的制造技术；项目号20171BBE50052；经费20万；执行年限：2017.01-2019.12.
(3) 主持江西省自然科学基金面上项目：InGaN/GaN多量子阱发光二极管中V型缺陷的作用及其机理研究；项目号20161BAB201011；经费5万；执行年限：2016.01-2017.12.
(4) 主持国家自然科学基金地区项目：GaN基蓝光LED内量子效率的温度droop效应研究；项目号**；经费45万；执行年限：2014.01-2017.12.
发表论文情况：
1） 潘洪英，全知觉*；p层空穴浓度及厚度对InGaN同质结太阳电池性能的影响机理研究,物理学报，68(19), 196103 (2019)。 （SCI）
2） 许毅;吴庆丰；周圣军；潘拴；吴小明；张建立；全知觉*；GaN基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响，发光学报, 05期, pp674-680（2018） （EI）
3） Z. J. Quan*, J. L. Liu, F. Fang, G. X. Wang, F. Y. Jiang, Effect of V-shaped Pit area ratio on quantum efficiency of blue InGaN/GaN multiple-quantum well light-emitting diodes, Opt. Quant. Electron., 2016, 48(3), 195:1-8 （SCI）
4） Zhijue Quan*, Junlin Liu, Fang Fang, Guangxu Wang, and Fengyi Jiang, A new interpretation for performance improvement of high-efficiency vertical blue light-emitting diodes by InGaN/GaN superlattices, Journal of Applied Physics, 2015, 118, 193102:1-6 （SCI）
5） Z. J. Quan*, J. L. Liu, F. Fang, and F. Y. Jiang, Effect of V-shaped pit density on quantum efficiency of blue InGaN/GaN multiple-quantum well light-emitting diodes: Simulation, the 15th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2015, Taipei, china, 2015.9.7-11. (Poster).
6） 武芹;全知觉*;王立;刘文;张建立;江风益；Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响，发光学报, 04期, pp466-471（2015）
7） Zhijue Quan*, Li Wang, Changda Zheng, Junlin Liu, and Fengyi Jiang, Roles of V-shaped pits on the improvement of quantum efficiency in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes[J], Journal of Applied Physics, 116(18), 183107 (2014） （SCI）
8） Z.J. Quan, G.B. Chen, L.Z. Sun, Z.H. Ye, Z.F. Li, and W. Lu，Effects of carrier degeneracy and conduction band non-parabolicity on the simulation of HgCdTe photovoltaic devices，Infrared physics & technology, 50: 1-8 (2007). （SCI）
9） Z.J. Quan, X.S. Chen, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu, Z.F. Li and W. Lu, Modeling of dark characteristics for long-wavelength HgCdTe photodiode，Optical and Quantum Electronics, DOI 10.1007/s11082-006-9046-4, (2007). （SCI）
10） Z.J. Quan, Z.F. Li, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu and W. Lu，Parameter determination from resistance-voltage curve for long-wavelength HgCdTe photodiode，J. appl. Phys., 100: 084503(2006). （SCI）
11） 全知觉，孙立忠，叶振华，李志锋，陆卫；碲镉汞异质结能带结构的优化设计,物理学报，55(7), 3611-3616 (2006)。 （SCI）
12） 全知觉，叶振华，胡伟达，李志锋，陆卫；降低平面型碲镉汞焦平面阵列光谱串音的结构优化研究，红外与毫米波学报，Vol.25(5):329-332（2006）。 （SCI）
13） 全知觉，李志锋，胡伟达，叶振华，陆卫；光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究，红外与毫米波学报，Vol.27(2):92-96（2006）。 （SCI）
14） Z.J. Quan, Z.F. Li, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu and W. Lu，Study on parameters extraction from the dark characteristics of LW HgCdTe photodiode, The 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics (IRMMW-THz2006), Sep.18-22, 2006, Shanghai (China). (Poster).
15） Quan Zhijue，Chen Xiaoshuang，Lu Wei，The modeling of dark characteristics for longwavelength HgCdTe photodiode，6th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices，29-30，Nanyang Technol Univ, Singapore, SINGAPORE，2006.9.11-2006.9.14
16） Z.J. Quan, G.B. Chen, L.Z. Sun, Z.H. Ye, Z.F. Li, and W. Lu，Effects of material natures on the simulation of HgCdTe photovoltaic devices，The 30th International Conference on Infrared and Millimeter Waves (IRMMW2005), Sep. 29-Oct. 3, 2005, New York (America). (Poster).