华中科技大学博士研究生入学考试
《半导体光电器件》考试大纲

（科目代码： 3555 ）

第一部分 考试说明

一、考试性质

全国博士研究生入学考试是为高等学校招收博士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀硕士毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有良好的电子学理论基础，并有利于高等学校在专业上择优选拔。

考试对象为参加当年全国博士研究生入学考试的硕士毕业生，或具有同等学力的在职人员。

二、考试的学科范围

考试内容包括：固体物理和半导体物理的基本概念与原理，以及其在光、电、热方面的应用。考试要点详见本纲第二部分。

三、评价目标

本课程考试的目的是考察学生对半导体物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用其解决光电器件领域相关问题的能力。

四、考试形式与试卷结构

（1）答卷方式：闭卷，笔试。

（2）答题时间：180分钟。

（3）各部分内容的考查比例：满分100分。

固体物理 约15％

半导体基本概念 约30％

半导体同质与异质结 约30％

半导体光电热效应及器件 约35％

（4）题型比例：

概念型（包括简答、判断、简单计算等） 约20%

分析型 约20%

计算型 约60%

第二部分 考查要点

二、考察要点

1.晶体结构与能带理论

晶向、晶面、晶体点阵，点群的基本概念，几种固体结合的特性，晶格振动，光学波、声学波，晶格热传导，倒易空间，布里渊区

2.半导体基本概念

金属、半导体和绝缘体的区分，禁带宽度，掺杂类型与浓度计算，晶体缺陷，费米分布函数，本征和杂质半导体的载流子浓度，电导率与迁移率及其与杂质浓度和温度的关系，非平衡载流子的寿命与复合，载流子的迁移与扩散

3. 半导体同质与异质结

PN结及其能带图，PN结电流电压特性，PN结电容与击穿，欧姆接触和肖特基接触，表面态和MIS结构的CV特性，半导体异质结及其能带结构，半导体量子阱，GaN机半导体异质结构

4.半导体的光、电、热效应及其器件

半导体光学常数和光吸收，光电导和光电探测器，半导体发光和发光二极管，热电效应和温差电动势，太阳能电池与场效应晶体管工作原理及表征。

第三部分 考试样题（略）