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华中科技大学2015博士考试大纲-集成电路原理与设计

华中科技大学 免费考研网/2015-08-21

博士研究生入学考试《集成电路原理与设计》考试大纲

半导体集成电路 张廷庆

第一章 集成电路的寄生效应

集成电路的双极型工艺,典型PN结隔离工艺,集成电路元件结构和寄生效应;多结晶体管埃伯斯-莫尔模型,集成电路晶体管有源寄生效应的形成过程,集成电路中的寄生电容和效应。

第二章 双极逻辑集成电路

双极型逻辑集成电路的发展过程,简易TTL与非门的逻辑结构,六管单元TTL与非门的工作原理及功耗计算,TTL电路的温度特性,TTL门电路的逻辑是如何扩展。

第三章 TTL中大规模集成电路

TTL芯片电路的简化逻辑门,单管逻辑门的功能,简化触发器结构,了解TTL中大规模集成电路的实际结构,双极型存储器结构,双极型门阵列结构与原理。

第四章 TTL电路版图设计

结合集成电路工艺的确定,熟悉集成电路版图设计的一般程序,版图设计的基本尺寸确定,集成晶体管版图,二极管版图,肖特基势垒二极管版图,集成电阻的版图。

第五章 ECL和I2L电路

ECL和I2L的电路结构,工作原理和特点,如何用这类型的电路实现逻辑运算。

第六章 nMOS逻辑集成电路

电阻负载MOS倒相器,E/E MOS倒相器,E/DMOS倒相器,自举负载MOS倒相器的结构和原理;了解这些电路的速度,静态功耗等特点,弄清楚有比电路的定义;什么是静态MOS电路。

第七章 CMOS集成电路

重点是CMOS倒相器和CMOS传输门的基本结构和工作原理,用这两类结构如何实现各种大规模逻辑电路,注意这类电路的转换特性和阈值损失原因;结合MOS工艺和版图结构,了解CMOS电路中的栅锁效应。

第八章 动态和准静态MOS电路

理解栅电容的电荷存储效应,这种动态电路的输入阻抗,对信号的作用;动态倒相器和电路单元的基本结构和原理,各种动态和准静态MOS电路单元。

第九章 MOS集成电路的版图设计

MOS集成电路的工艺设计和选择,MOS集成电路版图的设计规则,MOS集成电路各种单元电路的版图设计。

第十章 MOS大规模集成电路

MOS大规模集成电路的特点,计算机辅助设计的流程,HMOS,MOS存储器,算术逻辑单元,半定制逻辑单元的设计实例。

第十一章 模拟集成电路中的特殊元件

了解集成电路芯片的横向pnp晶体管,纵向pnp,超增益晶体管,隐埋齐纳二极管,集成电容器,薄膜电阻等等器件的结构,工作原理以及应用特点。

第十二章 双极型模拟集成电路中的基本单元

差分放大器,恒流源,有源负载,基准源,模拟开关等等单元的结构,芯片实现和工作原理

第十三章集成运算放大器

集成电路的运算放大器的原理,频率特性和补偿方式,大信号情况下运放的瞬态特性,转移速率与补偿的优化,uA741通用放大器的基本结构和工作原理,提高集成运放性能的一些方法,如何提高输入阻抗,从工艺角度如何减小集成运放的性能漂移。

第十四章 模拟集成电路

电压比较器,D/A转换器,A/D转换器等单元的结构,工作原理和芯片实现。

第十五章 模拟集成电路的版图设计

双极型模拟集成电路版图的设计特点,各种器件的图形结构,隔离问题;工艺相容技术,uA741运算放大器的版图设计和分析。

模拟CMOS集成电路设计 拉扎维

第一章 集成电路设计绪论

模拟集成电路的重要性,CMOS模拟集成电路的特点和设计一般概念,MOS模拟集成电路与双极型模拟集成电路的区别,CMOS模拟集成电路与工艺发展的关系,模拟集成电路设计中器件的物理效应与模型应用问题。

第二章 MOS器件物理基础

MOSFET的结构,MOS器件的I/V特性,阈值电压,导通电阻,器件的工作区域,体效应系数,沟道长度调制系数,亚阈值问题,器件模型与SPICE仿真要求。

第三章 单击放大器

各种负载下的共源级放大器,包括带源极负反馈的共源级问题;源跟随器结构,共栅级结构,共源共栅的特点,从跨导的分析,与增益的关系,优化动态范围的情况下,如何提高放大器的增益。

第四章 差动放大器

单端与差动的工作方式,基本差分对的定量分析(叠加法);共模响应与电路参数对称的关系;简单差分对和Cascade差分对,吉尔伯特单元的结构与特点。

第五章 无源与有源电流镜

基本电流镜,共源共栅电流镜的准确性与电压裕度的优化,有源电流镜,采用有源电流镜负载的差分放大器。大信号分析,小信号分析,有源电流镜的差分对共模特性。

第六章 放大器的频率特性

密勒效应,极点与节点的关联;共源级,源跟随器,共栅级,共源共栅级,差分对等电路的传输函数,极点频率,与处理方式。

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