姓名：张硕
职称：助教
所在研究所：辐射物理与核材料研究所
通讯地址：甘肃省兰州市天水南路222号，兰州大学核科学与技术学院，730000
电子邮件：zhangshuo@lzu.edu.cn

研究方向：
1. 材料（半导体、金属以及合金等）辐照效应的研究
2. 卢瑟福沟道背散射的模拟

教育简历（按时间倒序排序）：
1. 2011/09 – 2017/12, 兰州大学，核科学与技术学院，硕博连读研究生；
2. 2014/10 – 2016/10, 芬兰赫尔辛基大学，物理系，联合培养博士；
3. 2007/09 – 2011/06, 兰州大学，核科学与技术学院，大学本科；
4. 2003/09 – 2006/06，河北省新乐市第一中学，高中。

工作简历（按时间倒序排序）：
1. 2018/03-至今，兰州大学，核科学与技术学院，助教

主要科研成果（按时间倒序排序。其中，本人姓名加粗显示，通讯作者姓名后加注上标“*”）：
1. S. Zhang, O. H. Pakarinen, M. Backholm, F. Djurabekova, K. Nordlund, J. Keinonen, T.S. Wang*, Absence of single critical dose for the amorphization of quartz under ion irradiation, J. Phys. Cond. Matt. 30: 015403 (2018)
2. S. Zhang^*, K. Nordlund, F. Djurabekova, F. Granberg, Y. Zhang and T.S. Wang, Radiation damage buildup by athermal defect reactions in nickel and concentrated nickel alloys, Mater. Res. Lett. Vol. 5(6): 433-439 (2017)
3. T.P.C. Klaver^*, S. Zhang, and K. Nordlund, MD and BCA simulations of He and H bombardment of fuzz in bcc elements, J. Nucl. Mater. 492: 113 (2017).
4. Y. Zhang^*, H. Xue, E. Zarkadoula, R. Sachan, C. Ostrouchov, P. Liu, X. Wang, S. Zhang,T.S. Wang and W.J. Weber, Coupled electronic and atomic effects on defect evolution in silicon carbide under ion irradiation, Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. in press (2017)
5. S. Zhang^*, K. Nordlund, F. Djurabekova, Y. Zhang, G. Velisa, and T. S. Wang, Simulation of Rutherford backscattering spectrometry from arbitrary atom structures, Phys. Rev. E 94, 043319 (2016)