删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)

华南理工大学2013年博士3390数字集成电路分析与设计考试大纲

华南理工大学 免费考研网/2012-10-27

一、主要考试内容
1.MOS晶体管及其模型,MOS晶体管的结构、特性方程,垮导、阈值电压,MOS电容,速度饱和,短沟道效应,spice模拟中的深亚微米MOSFET模型参数,BSIM模型概况和应用特点;
2.CMOSIC的主要工艺流程,控版图设计规则和电学设计规则,CMOS逻辑门单元版图识读;
3.CMOS门电路:反相器、基本逻辑门、异或门、多路选择器、触发器和锁存器、CMOS门电路的功耗。传输门及典型传输门逻辑电路;
4.CMOSIC的功耗分析,传输延迟,和门电路的噪声容限;
5.VerilogHDL或VHDL硬件描述语言,语言的数据类型,语法,主要语句及其描述方法,运用语言描述一些典型单元的设计;
6.半导体存储器:SRAM,DRAM,EEPROM,FlashRAM等典型单元架构,工作(写读擦)原理,相应存储器构成;
二、建议参考书(与上述考试内容的相关内容);
1、《数字集成电路分析与设计》(第三版),DavidA.Hodges,HorzceG.Jacjson&ResveA.Saheh英文版:清华大学出版社,2004.8;中文版,蒋安平等译,电子工业出版社,2005.9.
2、IC设计基础,任艳颖,王彬编著,西安电子科技大学出版社。
3.CMOS集成电路设计,陈贵灿,邵志标,程军,林长贵,西安交通大学出版社。
相关话题/博士 大纲