半导体的霍尔电压
HALL VOLTAGE OF SEMICONDUCTORS 刘凤艳;丁晓红;杨红卫;韩守振; 1:北京工业大学应用数理学院 摘要(Abstract)：

在霍尔效应实验中,当通过N型和P型半导体中的电流和外加磁场都不变时,这两类半导体中霍尔电压的方向相反.这一现象一方面可以解释为N型和P型半导体中多数载流子种类不同,分别为带负电的电子和带正电的空穴;另一方面也可以理解为,不管是N型还是P型半导体,参与导电的载流子都是电子,只是因为不同类型的半导体中电子与晶格的相互作用不同,或者说是包含了与晶格相互作用在内的电子的有效质量不同,导致了霍尔电压的反向.

关键词(KeyWords)： 霍尔电压;;有效质量;;半导体;;空穴

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作者(Author): 刘凤艳;丁晓红;杨红卫;韩守振;

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