2014年诺贝尔物理学奖的启示
2014 NOBEL PRIZE IN PHYSICS ENLIGHTENMENT 葛惟昆; 1:清华大学物理系 2:北京大学物理学院 摘要(Abstract)：

世人瞩目的诺贝尔物理学奖在2014年授予蓝光发光二极管(LED)的三位发明者,他们的经历值得借鉴,也发人深省,带来许多有益的启示,引发我们更深入地理解基础与应用的关系和更恰当地评价物理研究的科学价值和社会价值.

关键词(KeyWords)： 蓝色发光二级管;;2014年诺贝尔物理奖;;半导体技术;;应用研究;;物理学工作的价值观

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作者(Author): 葛惟昆;

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参考文献(References)： [1]Amano H,Kito M,Hiramatsu K,Akasaki I.P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electronbeam irradiation(LEEBI)[J].Jpn.J.of Appl.Phys.Part2Letters,1989,28(12):2112-2114.
[2]Nakamura S,Harada Y,Sehno M.Novel metalorganic chemical vapor deposition system for GaN growth[J].Appl.Phys.Lett.1991,58(16):2021-2023.
[3]Nakamura S,Iwasa N,Sehno M,Mukai T.Hole compensation mechanism of p-type GaN films[J].Jpn.J.of Appl.Phys.Part 1,1992,31(5A):1258-1266.
[4]Nakamura S,Muka T,Sehno M.Candela-class highbrightness InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-lightemitting diodes[J].Appl.Phys.Lett.1994,64(13):1687-1689.
[5]GaN substrates fresh from China[EB/OL].(2014-11-26).[2014-11-29].http://www.compoundsemiconductor.net/article/95806-gan-substrates-fresh-from-china.html.


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