王燕：女，1967年出生，1984年考入西安交通大学电子系，1988年获学士学位，同年免试进入西安交通大学电子系攻读硕士学位，于1991年获得物理电子技术工学硕士学位。同年考入中国科学院半导体研究所攻读博士学位，于1995年获得半导体物理与器件专业理学博士学位。1999年进入清华大学微电子学研究所CAD室工作，2004年晋升为教授。现任微电子学研究所分管教学的副所长。在国内外期刊和会议发表学术论文近100篇。

研究方向：半导体物理与集成电路CAD技术
教学工作：
1本科生专业核心课《固体物理学》（48学时）
2研究生课程《纳米电子器件》（32学时）
在研项目：
1. 硅基毫米波元器件建模关键技术研究（自然科学基金）
2. 60 GHz 射频CMOS芯片与模块研制（863）
3. 碳基存储器件和新型射频电路（973）
4. 新结构器件物理与模型、模拟研究（973）
5. 多壁碳纳米管高频特性及其微波近场探（中-新国际合作项目）
6. 集成电路工艺浮动相关的模型模拟研究 （国家重大科技专项）
7. 65nm工艺建模和IP设计（国家重大科技专项）
近三年代表性论文：

1. Gao,Mingzhi, Ye,Zuochang, Wang, Yan, Yu, Zhiping, “Efficient Full-chip Statistical Leakage Analysis Based on Fast Matrix Vector Product” , Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems.(to be published)
2. Yang Tang, Zuochang Ye, Yan Wang，“Broadband Compact Model for On-Chip mm-Wave Transformers and Baluns with Emphasis on Capacitive Coupling Effects”, CICC 2011, San Jose.
3. Xiaoxu Cheng and Yan Wang, A Surface-Potential-Based Compact Model for AlGaN/GaN MODFETs, IEEE Trans. Electron Devices, Vol.58, No.2 2011, P448.
4. Li Yu, Yang Tang, Yan Wang，A concisely asymmetric modeling of double-p equivalent circuit for on-chip spiral inductors， Solid-State Electronics 54 (2010) 343–348.
5. Minzhi. Gao, zuochang Ye, Yan Wang, Zhiping Yu, Efficient Tail Estimation for Massive Correlated Log-normal Sums — With Applications in Statistical Leakage Analysis, DAC 2010, June.
6.Yang Tang, Li Zhang, Yan Wang，Accurate small signal modeling and extraction of silicon MOSFET for RF IC application，Solid-State Electronics，2010.
7. Linhan Lin，Siping Guo，Xianzhong Sun，Jiayou Feng ，Yan Wang，Synthesis and Photoluminescence Properties of Porous Silicon Nanowire Arrays，Nanoscale Res Lett (2010) 5:1822–1828.
8. Xiaoxu Cheng and Yan Wang，Fast simulation of three Dimensional Grain growth for Cu-interconnects ，SISPAD 2010, September.
9. Xiaoxu Cheng, Miao Li, Yan Wang, An analytical model for current–voltage characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in presence of self-heating effect, Solid-State Electronics 54 (2010) 42–47.
10. Cheng, Xiaoxu; Wang, Yan，A new analytical high frequency noise parameter model for AlGaN/GaN HEMT. Solid-State Electronics, vol. 54, issue 11, 2010，pp. 1300-1303.
11. Xiang Ji, Yan Wang，First-principle calculation for luminescent-effects of Si and Zn impurities in GaN， SISPAD 2010，Sept.6-8.
12. Xiaoxu Cheng, Miao Li, and Yan Wang，Physics-Based Compact Model for AlGaN/GaN MODFETs With Close-Formed I–V and C–V Characteristics, IEEE Trans. Electron Devices, VOL. 56, NO. 12, P2881( 2009).
13. LI Miao, WANG Yan, 2-D Analytical Model for Current–Voltage Charactristics and Transconductance of AlGaN/GaN MODFET ，IEEE Trans. Electron Devices, Vol.55, no.1, p261-267, 2008.

通信地址：北京清华大学东主楼9区116房间，邮编100084 Tel.
E-MAIL: wangy46@tsinghua.edu.cn