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插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究

中国人民大学 辅仁网/2017-07-03

文献详情
插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究
外文标题:Theoretical study of the electronic structures and magnetic properties of intercalated ternary iron-selenide superconductors
文献类型:期刊
作者:卢仲毅[1]闫循旺[2]高淼[3]向涛[4]
机构:中国人民大学物理系,北京,100872;中国人民大学物理系,北京100872/中国科学院理论物理研究所,北京100190;中国科学院理论物理研究所,北京100190/中国科学院物理研究所,北京100190

年:2011
期刊名称:物理
卷:40
期:8
页码范围:527-534
增刊:增刊
收录情况:中文核心期刊要目总览中国科技核心期刊
语言:中文
ISSN:0379-4148
链接地址:http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_wl201108008.aspx
基金:国家自然科学基金
关键词:铁基超导体;反铁磁半金属;三元铁硒化合物;反铁磁半导体;电子结构计算
摘要:最近发现的插层三元铁硒超导体AyFexSe2(A=K,Rb,Cs和/或Tl)显示诸多新颖现象.为了澄清这些现象,作者分别计算了没有铁空位的基于完整四方FeSe层的AFe2Se2,含有四分之一铁空位的4×2或2×2超结构的AFe1.5Se2,以及含有五分之一铁空位的槡5×槡5超结构的A0.8Fe1.6Se2三种情况下的电子结构和相应的磁构型,发现AFe2Se2是双共线反铁磁的半金属,而AFe1.5Se2和A0.8Fe1.6Se2则是分别具有数十和数百毫电子伏特能隙的反铁磁半导体,并分别处于共线反铁磁长程序和区块化棋盘反铁磁长程序中.作者还分析和讨论了AyFexSe2的这些基本电子结构可能对超导性质的影响.
作者其他论文



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