黎明 职称：研究员
研究所：微纳电子学研究院
研究领域：纳米器件与工艺
办公电话：86-
电子邮件：liming.ime@pku.edu.cn
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研究成果概况
黎明，现任北京大学信息科学技术学院“百人计划”特聘研究员，从事微纳电子器件技术研究，博士生导师。2003年至2011年间曾就职于三星电子半导体研发中心，从事先进半导体器件与工艺技术研发，先后在多桥接沟道器件（MBCFET，即现在的Nanosheet FET），围栅纳米线器件等领域取得重要成果，在2009年VLSI会议上首次发表了栅长10纳米以下的围栅纳米线器件。还在22纳米大规模集成电路技术研发中担任器件模块的负责人。2011年加入北京大学后继续从事微纳尺度新器件技术的研究，在围栅纳米线和高迁移率沟道器件方面取得了丰富的成果，担任了国家重大专项、重点研发计划、863计划、自然科学基金面上项目等多个课题的负责人。目前已发表学术论文60多篇，取得授权专利48项。此外，还担任了IEEE EDL, T-ED, Nanotechnology, Scientific Report, APL等专业期刊的审稿人，担任了Nanotechnology的客座编辑。