刘晓彦 职称：教授
研究所：微纳电子学研究院
研究领域：微纳电子器件模型、模拟，新型计算方法与硬件实现
办公电话：86-10-6275 6793
电子邮件：liuxiaoyan@pku.edu.cn
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教育背景
· 1984/09—1988/06，北京大学计算机系，理学学士
· 1988/09—1991/06，北京大学计算机系，理学硕士，导师: 韩汝琦
· 1997/09—2001/06，北京大学计算机系，理学博士，导师: 韩汝琦
主要研究领域
目前主要从事新型微纳电子器件模型、模拟，新型计算方法与硬件实现等方面研究

主要荣誉与获奖
2006年入选教育部新世纪优秀人才；获得国家技术发明二等奖，北京市发明一等奖等奖励。

研究成果概况
目前主要从事新型微纳电子器件模型、模拟，新型计算方法与硬件实现等方面研究。在半导体器件的蒙特卡罗模拟方法、新型存储器模型模拟、新型微纳电子器件模拟等方面取得一系列创新性成果。先后主持了国家973、863课题、重大专项课题、重大研发计划课题、国家自然科学基金项目等多项国家科研项目以及与华为、三星、富士通等公司的合作项目，均出色地完成了研究任务。在国内外权威学术刊物和国际会议上发表论文二百余篇，H因子19。合作出版教材1本。获得国家技术发明二等奖，北京市发明一等奖等奖励。现任北京市有源显示工程技术研究中心主任，微电子学系副系主任。2006年入选教育部新世纪优秀人才。IEEE EDS 化合物半导体器件与电路委员会委员，《半导体学报》编委。
先后主持了国家973、863课题、重大专项课题、重大研发计划课题、国家自然科学基金项目等多项国家科研项目以及与华为、三星、富士通等公司的合作项目，均出色地完成了研究任务。
代表性学术论著
代表论文：
1. Xiaoyan Liu, Peng Huang, Bin Gao, Haitong Li, Yudi Zhao, Jinfeng Kang， Reliability Simulation of TMO RRAM，22nd IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits，IPFA 2015 Jun.29 -July.2, I-15，Taiwan （Invited）
2. Pengying Chang, Xiaoyan Liu*, Shaoyan Di, and Gang Du, “Evaluation of Ballistic Transport in III-V Based p-Channel MOSFETs”, IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 64, no. 3, pp. 1053-1059, 2017.
3. Pengying Chang, Xiaoyan Liu*, Lang Zeng, Kangliang Wei, Gang Du, Investigation of hole mobility in strained InSb ultrathin body pMOSFETs，IEEE Transactions on Electron Devices, v 62, n 3, p 947-954, March 2015
4. H. Jiang, X. Liu*, N. Xu, Y. He, G. Du, and X. Zhang, Investigation of self-heating effect on hot carrier degradation in multiple-fin SOI FinFETs, IEEE Electron Device Letters, vol. 36, no. 12, pp. 1258-1260, 2015
5. Pengying Chang, Xiaoyan Liu*, Gang Du, and Xing Zhang, Assessment of Hole Mobility in Strained InSb, GaSb and InGaSb Based Ultra-Thin Body pMOSFETs with Different Surface Orientations, International Electron Devices Meeting , pp. 7.7, 2014
6. P. Huang, X. Liu*, B. Chen, H. Li, Y. Wang, Y. Deng, K. Wei, L. Zeng, B. Gao, G. Du, X. Zhang, and J. Kang, “A Physics-Based Compact Model of Metal-Oxide-Based RRAM DC and AC Operations,” IEEE Trans. Electron Devices, 60, pp. 4090-4097, 2013.
7. P. Huang, X.Y. Liu*, W.H. Li, Y.X. Deng, B. Chen, Y. Lu, B. Gao, L. Zeng, K.L. Wei, G. Du, X. Zhang, and J.F. Kang, A Physical Based Analytic Model of RRAM Operation for Circuit Simulation, IEDM 2012
8. Fei Liu, Xiaoyan Liu*, and Jinfeng Kang，Energy gap tuning in uniaxial strained zigzag graphene nanoribbons，Appl. Phys. Lett. 98, 213502 ,2011
9. Zeng L, Liu XY＊, Zhao YN, et al., A Computational Study of Dopant-Segregated Schottky Barrier MOSFETs , IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol.: 9, No.1, 108-113 ,JAN 2010
10. Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang; Lei Sun, Ruqi Han. Threshold Voltage Model for MOSFETs with High-K Gate Dielectrics, IEEE Electron Device Lett. Vol.23, No.8, 2002,270
主要学术任职
北京市有源显示工程技术研究中心主任，微电子学系副系主任。IEEE EDS 化合物半导体器件与电路委员会委员，《半导体学报》编委。