张章¹,
李超¹,
韩婷婷¹,
许傲¹,
程心^1,,,
刘钢²,
解光军¹
1.合肥工业大学电子科学与应用物理学院 合肥 230601
2.上海交通大学电子信息与电气学院 上海 200240
基金项目:国家自然科学基金(U19A2053, 61674049)，中央高校基本科研业务费(JZ2020YYPY0089)，中国科学院红外成像材料与器件重点实室开放课题(IMDKFJJ-19-04)

详细信息

作者简介:张章：男，1982年生，教授，研究方向为集成电路设计及基于混合器件的AI神经形态芯片设计
李超：男，1998年生，硕士生，研究方向为基于混合器件的AI神经形态芯片设计
韩婷婷：女，1998年生，硕士生，研究方向为基于混合器件的AI神经形态芯片设计
许傲：男，1998年生，硕士生，研究方向为基于混合器件的AI神经形态芯片设计
程心：女，1985年生，副教授，研究方向为集成电路设计
刘钢：男，1982年生，教授，研究方向为基于新型半导体材料的非冯忆阻逻辑器件与神经形态器件
解光军：男，1970年生，教授，研究方向为集成电路及新型器件电路设计

通讯作者:程心　xcheng@hfut.edu.cn

中图分类号:TN601

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出版历程

收稿日期:2020-12-31
修回日期:2021-03-18
网络出版日期:2021-04-02
刊出日期:2021-06-18

Review of the Fused Technology of Sensing, Storage and Computing Based on Memristor

Zhang ZHANG¹,
Chao LI¹,
Tingting HAN¹,
Ao XU¹,
Xin CHENG^1,,,
Gang LIU²,
Guangjun XIE¹
1. School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230601, China
2. School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China
Funds:The National Natural Science Foundation of China (U19A2053, 61674049), The Fundamental Research Funds for Central Universities (JZ2020YYPY0089), Key Laboratory of CAS (IMDKFJJ-19-04)


摘要
摘要:忆阻器的低功耗、高响应、纳米级、非易失性等特性，在实现非冯·诺依曼计算架构中展现出巨大潜力。基于忆阻器的高密度横梁阵列可实现数据存储及并行计算一体的逻辑电路和类脑计算电路。此外，纳米传感器与忆阻器进一步集成，采集的信号直接送往忆阻器阵列进行运算和存储，感知、存储与计算一体化的芯片技术成为新的研究热点。该文对基于忆阻器的存算一体技术、感存算一体技术的研究现状进行综述，并给出研究前景展望。
关键词:忆阻器/
感存算一体/
非冯·诺依曼计算架构
Abstract:Because of its low power consumption, high response, nanometer level, non-volatility and other characteristics, the memristor shows great development potential in the realization of non-von Neumann computing architecture. The high-density cross-array structure based on memristors can build logic circuits and brain-like computing circuits integrating data storage and parallel computing. In addition, the nanosensor and the memristor are further integrated, and the collected signals are calculated and stored in the memristor array. The chip technology integrating sensing, storage and computing become a new research focus. The research on the memristor-based storage-calculation integrated technology and sense-storage-calculated integrated technology are reviewed in this summary paper, and outding prospect of the research prospects are given.
Key words:Memristor/
Integration of sensing, storage and computing/
Non-von Neumann



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