中文关键词:有机场效应晶体管萘二酰亚胺核位修饰硒杂环 英文关键词:Organic field effect transistorNaphthalene diimideNuclear-position modificationSelenium heterocyclic |
基金项目:国家自然科学基金项目(21602208)和河南省科技厅科技攻关项目(182102210616)资助 |
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中文摘要: |
萘二酰亚胺(NDI)类化合物由于其较好的平面性和较强的接受电子能力,被广泛应用于有机场效应晶体管(OFETs)和有机太阳能电池中(OSCs)。然而,高迁移率的n型和双极性NDI类半导体材料较少。基于此,本文设计合成了核位硒杂环修饰的NDI衍生物,通过引入1,2-二硒苯和1,2-二硒萘基团,对其能级进行了有效的调控,获得了两个新型的窄带隙NDI衍生物。通过溶液旋涂法,制备了两种材料的底栅底接触场效应晶体管器件,二者在空气中都表现出n型半导体特性,退火温度为120℃时性能达到最优,分别为1×10-3cm2·V-1·s-1(4)和5×10-3cm2·V-1·s-1(5)。同时,通过原子力显微镜和X射线衍射对材料薄膜的退火过程进行了研究。 |
英文摘要: |
Naphthalene diimide (NDI) compounds are widely used in organic field effect transistors (OFETs) and organic solar cells (OSCs) due to their good planarity and strong ability to accept electrons. However, there are fewer high-mobility n-type and bipolar NDI-based semiconductor materials. Based on this, we design and synthesize two NDI derivative containing selenium heterocycle. By introducing 1,2-diselenobenzene and 1,2-diselonaphthalene groups, the energy level is effectively regulated and two narrow band gap naphthalene diimide derivatives are obtained. Through solution spin coating method, the field effect transistor devices with bottom gate and bottom contact of two materials are prepared. Both of them show n-type semiconductor characteristics in air, and their electron mobilities reach 1×10-3cm2·V-1·s-1 (4) and 5×10-3cm2·V-1·s-1 (5) respeetively when annealed at 120℃. At the same time, the annealing process of the film has been studied by atomic force microscope and X-ray diffraction. |
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