基本信息
叶小玲女中国科学院半导体研究所
电子邮件： xlye@semi.ac.cn
通信地址： 北京市清华东路甲35号中国科学院半导体研究所
邮政编码：

研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学

招生方向半导体低维结构材料物理


教育背景1998-09--2001-06中国科学院研究生院工学博士
1995-09--1998-06中国科技大学国家同步辐射实验室工学硕士
1991-09--1995-06中国科学技术大学物理系理学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2003-11~现在,中国科学院半导体研究所,副研究员
2001-07~2003-10,中国科学院半导体研究所,助理研究员
1998-09~2001-06,中国科学院研究生院,工学博士
1995-09~1998-06,中国科技大学国家同步辐射实验室,工学硕士
1991-09~1995-06,中国科学技术大学物理系,理学学士

社会兼职

教授课程半导体光学


专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文（1）Quantitative investigation of intrinsic shear strain and asymmetric interface conditions in semiconductor superlattices,Journal of Applied Physics,2019-08,第3作者
（2）InAs-based interband cascade lasers at 4.0um operating at room temperature,Journal of semiconductors,2018-11,第9作者
（3）Defect Formation and Elimination During the Growth of GaSb Epilayer,JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY,2018-11,第3作者
（4）Fabrication of Low-Density Long-Wavelength InAs Quantum Dots using a Formation-Dissolution-Regrowth Method,Chinese Physics Letters,2013,第2作者
（5）Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled In As quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities,Microelectronic Engineering,2012,第3作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 量子级联探测材料的光电转换机理、制备及性能, 参与,国家级,2013-01--2017-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生