基本信息
尹志岗男硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件: yzhg@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083
部门/实验室:材料科学重点实验室
研究领域
招生信息
招生专业080501-材料物理与化学
招生方向功能氧化物,多铁性材料
教育背景2002-09--2005-06中国科学院半导体研究所博士1999-09--2002-06北京科技大学硕士1995-09--1999-06东北大学学士
学历
学位
工作经历
工作简历2011-01~现在,中国科学院半导体研究所,副研究员2010-07~2010-09,香港城市大学,访问2005-07~2010-12,中国科学院半导体研究所,助理研究员2002-09~2005-06,中国科学院半导体研究所,博士1999-09~2002-06,北京科技大学,硕士1995-09~1999-06,东北大学,学士
社会兼职
教授课程太阳能电池基础与应用
专利与奖励
奖励信息
专利成果( 1 ) 制备T相BiFeO3薄膜的方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN6.7( 2 ) 基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: 8.5( 3 ) 二氧化钒柔性薄膜及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 3.4
出版信息
发表论文(1)Cesium Lead Inorganic Solar Cell with Efficiency beyond 18% via Reduced Charge Recombination,Advanced Materials,2019-10,第7作者(2)Two-dimensional hexagonal boron-carbon-nitrogen atomic layers,Nanoscale,2019-06,第7作者(3)Surface passivation of perovskite film for efficient solar cells,Nature Photonics,2019-05,第9作者(4)Remote heteroepitaxy of atomic layered hafnium disulfide on sapphire through hexagonal boron nitride,Nanoscale,2019-05,第5作者(5)Epitaxial liftoff of wafer-scale VO2 nanomembranes for flexible, ultrasensitive tactile sensors.,Adv. Mater. Technol.,2019-01,第11作者(6)Controlled growth of unidirectionally aligned hexagonal boron nitride domains on single crystal Ni (111)/MgO thin films,Cryst. Growth Des.,2019-01,第6作者(7)Selective Direct Growth of Atomic Layered HfS2 on Hexagonal Boron Nitride for High Performance Photodetectors,Chemistry of Materials,2018,第5作者(8)Efficient green light-emitting diodes based on quasi-two-dimensional composition and phase engineered perovskite with surface passivation,Nature Communications,2018,第9作者(9)High-performance deep ultraviolet photodetectors based on few-layer hexagonal boron nitride,Nanoscale,2018,第5作者(10)Solvent-controlled growth of inorganic perovskite films in dry environment for efficient and stable solar cells,Nature Communications,2018,第9作者(11)Interface Engineering of High-Performance Perovskite Photodetectors Based on PVP/SnO2 Electron Transport Layer,ACS Applied Materials & Interfaces,2018,第8作者(12)Reversible transition between coherently strained BiFeO3 and the metastable pseudotetragonal phase on (LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7 (001),J. Appl. Phys.,2017,第11作者(13)Epitaxial integration of tetragonal BiFeO3 with silicon for nonvolatile memory applications,J. Cryst. Growth,2017,第11作者(14)Enhanced piezoelectric response of the two tetragonal phase coexisted BiFeO3 epitaxial film,Solid State Commun.,2017,第11作者(15)Formation and local conduction of nanopits in BiFeO3 epitaxial films,J. Mater. Chem. C,2015,第11作者(16)Heteroepitaxy of tetragonal BiFeO3 on hexagonal sapphire(0001),ACS Appl. Mater. Interfaces,2014,第11作者(17)Tetragonal-tetragonal-monoclinic-rhombohedral transition: strain relaxation of heavily compressed BiFeO3 epitaxial thin films,Appl. Phys. Lett.,2014,第11作者(18)Biaxial stress-induced giant bandgap shift in BiFeO3 epitaxial films,Phys. Status Solidi (RRL) ,2012,第11作者(19)Persistent photoconductivity in ZnO nanostructures induced by surface oxygen vacancy,Phys. Status Solidi (RRL) ,2012,第11作者
发表著作
科研活动
科研项目( 1 ) 面向非易失存储的四方相BiFeO3与Si外延集成, 主持,国家级,2015-01--2018-12( 2 ) 低维半导体异质结构材料及激光器研究, 参与,国家级,2016-07--2020-07( 3 ) 柔性无机铁电/铁磁复合多层膜研究, 主持,省级,2017-01--2019-12( 4 ) 新型半导体自旋电子材料的可控制备与多场调控, 参与,国家级,2017-07--2021-06( 5 ) 铁电栅极调控ZnMgO/ZnO界面二维电子气及其非易失存储应用研究, 主持,国家级,2019-01--2022-12
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)
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