一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法
文献类型 | 专利 |
发明人 | 于维平[1];张世超[2];刘兆喆[3];曹高萍[4];杨裕生[5] |
机构 | 北京航空航天大学 ↓ |
申请人 | 北京航空航天大学 |
专利类型 | 发明专利 |
年度 | 2003 |
专利申请日期 | 2003-09-28 |
专利公开日期 | 2004-04-28 |
专利公开号 | CN1492080 |
专利申请号 | CN03154425.8 |
国家或地区 | 北京 |
摘要 | 本发明公开了一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法,是采用电沉积一步成型直接把活性物质、导电剂、粘结剂沉积在基体上。其制备方法,第一步:配制电沉积溶液;第二步:除去基体表面的氧化层;第三步:将经第二步处理后的基体浸入第一步已配制好的电沉积水溶液中开始电沉积氢氧化镍材料;第四步:将经第三步处理后的基体放入去离子水中浸泡1~10小时后取出,并进行干燥处理;第五步:将上述干燥后的基体取出,使用压片机将带有沉积物质的集流体材料压制成型,然后在真空状态下在超级电容器的电解液中浸泡1~10小时,取出后装入模拟电容器中,接入电池测试系统进行测试。 |
影响因子:
dc:title:一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法
dc:creator:于维平;张世超;刘兆喆,等
dc:date: publishDate:2003-09-28
dc:type:专利
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dc:identifier: LnterrelatedLiterature:2003.
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