采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备一维氧化物阵列材料的方法及其装置
| 文献类型 | 专利 |
| 发明人 | 张跃[1];袁洪涛[2];谷景华[3] |
| 机构 | 北京航空航天大学 ↓ |
| 申请人 | 北京航空航天大学 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 年度 | 2003 |
| 专利申请日期 | 2003-12-15 |
| 专利公开日期 | 2004-11-17 |
| 专利公开号 | CN1546741 |
| 专利申请号 | CN200310121110.5 |
| 国家或地区 | 北京 |
| 人气指数 | 1 |
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| 摘要 | 本发明公开了一种采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备一维氧化物阵列材料的方法及其装置，经该方法沉积出的一维晶须阵列材料具有规整排列、定向生长、高密度的形貌特征；与传统金属有机物化学气相沉积的方法不同的是，该技术采用沿基片法向方向垂直沉积金属有机物，在垂直于基片的方向上形成一定的浓度梯度和温度梯度，使得材料在此方向上的生长速度较快，有利于一维晶须的形成和生长；制备得到的一维氧化物晶须阵列为圆柱状晶须阵列、长锥状晶须阵列、板条状晶须阵列、棱柱状晶须阵列；该装置中喷嘴装置的设计可以同时进行三种不同的金属有机物沉积，用来进行精确的组分掺杂或多组分体系化合物晶须的生长。 |
影响因子：
dc:title:采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备一维氧化物阵列材料的方法及其装置
dc:creator:张跃;袁洪涛;谷景华
dc:date: publishDate:2003-12-15
dc:type:专利
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dc:identifier: LnterrelatedLiterature：2003.
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dc: identifier:ISBN:
