采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置
| 文献类型 | 专利 |
| 发明人 | 张跃[1];袁洪涛[2];谷景华[3] |
| 机构 | 北京航空航天大学 ↓ |
| 申请人 | 北京航空航天大学 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 年度 | 2003 |
| 专利申请日期 | 2003-12-15 |
| 专利公开日期 | 2004-11-17 |
| 专利公开号 | CN1546742 |
| 专利申请号 | CN200310121111.X |
| 国家或地区 | 北京 |
| 人气指数 | 1 |
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| 摘要 | 本发明公开了一种采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置，经该方法沉积出的ZnO一维晶须材料具有规整排列、定向生长、高密度的形貌特征；与传统金属有机物化学气相沉积的方法不同的是，该技术采用沿基片法向方向垂直沉积金属有机物，在垂直于基片的方向上形成一定的浓度梯度和温度梯度，使得材料在此方向上的生长速度较快，有利于一维晶须的形成和生长；制备得到的ZnO晶须阵列为圆柱状晶须阵列、长锥状晶须阵列、板条状晶须阵列；该装置中喷嘴装置可以同时进行三种不同的金属有机物掺混沉积，用来进行精确的组分掺杂或多组分体系化合物晶须的生长。 |
影响因子：
dc:title:采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置
dc:creator:张跃;袁洪涛;谷景华
dc:date: publishDate:2003-12-15
dc:type:专利
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dc:identifier: LnterrelatedLiterature：2003.
dc:identifier:DOI：
dc: identifier:ISBN:
