一种制备氧化锌晶须阵列材料的装置
| 文献类型 | 专利 |
| 发明人 | 张跃[1];袁洪涛[2];谷景华[3] |
| 机构 | 北京航空航天大学 ↓ |
| 申请人 | 北京航空航天大学 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 年度 | 2003 |
| 专利申请日期 | 2003-12-15 |
| 专利公开日期 | 2005-04-27 |
| 专利公开号 | CN2695450 |
| 专利申请号 | CN200320127643.X |
| 摘要 | 本实用新型公开了一种制备氧化锌晶须阵列材料的装置，所述的装置顺着气路通道依次安装有控制氮气流量的流量计、去除氮气中水分的液氮冷阱、将金属有机物气化的气化室、容纳金属有机物气体的喷嘴装置，以及位于喷嘴装置下方对基片加热的基片台，该装置制备得到的ZnO晶须阵列为圆柱状晶须阵列、长锥状晶须阵列、板条状晶须阵列；该装置中的喷嘴可以同时进行三种不同金属有机物渗混沉积，用来进行精确的组分掺杂或多组分体系化合物晶须的生长。 |
影响因子：
dc:title:一种制备氧化锌晶须阵列材料的装置
dc:creator:张跃;袁洪涛;谷景华
dc:date: publishDate:2003-12-15
dc:type:专利
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dc:identifier: LnterrelatedLiterature：2003.
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dc: identifier:ISBN:
