一种采用电沉积法制备氧化钴材料的方法
| 文献类型 | 专利 |
| 发明人 | 于维平[1] |
| 机构 | 北京航空航天大学 ↓ |
| 申请人 | 北京航空航天大学 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 年度 | 2003 |
| 专利申请日期 | 2003-10-31 |
| 专利公开日期 | 2004-10-27 |
| 专利公开号 | CN1540037 |
| 专利申请号 | CN200310103382.2 |
| 国家或地区 | 北京 |
| 摘要 | 本发明公开了一种制备钴基氧化物材料的方法，是采用电沉积直接把活性物质沉积在铜箔集流体基体上，然后经热处理制备钴基氧化物材料。其制备方法，第一步：配制电沉积溶液；第二步：除去基体表面的氧化层；第三步：将经第二步处理后的基体浸入第一步已配制好的电沉积水溶液中开始电沉积氢氧化钴材料；第四步：将经第三步处理后的基体放入去离子水中浸泡1～5小时后取出，并进行干燥处理；第五步：将经第四步处理后的基体热处理；第六步：将上述热处理后的钴基氧化物材料取出，以纯锂片为对电极，电解液为1M LiPF6/EC+DMC(1∶1)，电池隔膜为微孔聚丙烯膜，在充满氩气的手套箱中进行模拟电池的装配。采用LAND电池测试系统在室温下进行恒电流充放电测试。 |
影响因子：
dc:title:一种采用电沉积法制备氧化钴材料的方法
dc:creator:于维平
dc:date: publishDate:2003-10-31
dc:type:专利
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dc:identifier: LnterrelatedLiterature：2003.
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