硅压阻输出微传感器的1/f噪声
| 外文标题 | 1/f Noise in Silicon-Based Piezoresistive Microsensor |
| 文献类型 | 期刊 |
| 作者 | 于晓梅[1];江兴流[2] |
| 机构 | [1]北京航空航天大学物理系!北京100083,北京航空航天大学物理系!北京100083,丹麦技术大学微电子中心,丹麦技术大学微电子中心,丹麦技术大学微电子中心 [2]北京航空航天大学物理系!北京100083,北京航空航天大学物理系!北京100083,丹麦技术大学微电子中心,丹麦技术大学微电子中心,丹麦技术大学微电子中心 ↓ |
| 来源信息 | 年:2001卷:22期:9页码范围:1182-1187 |
| 期刊信息 | 半导体学报ISSN:0253-4177 |
| 关键词 | 悬臂梁;1/f噪声;压敏;Hooge因子 |
| 摘要 | 从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声.选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料,设计了16种不同尺寸的力敏Wheastone电桥,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火,共获得256种压阻输出的微传感器.测量所有器件的噪声,并对噪声谱进行理论分析,实验结果表明单晶硅具有最低的1/f噪声和Hooge因子(α)的值,而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅.几何尺寸大的力敏电阻具有低的1/f噪声,但α值不受器件尺寸的影响.掺杂浓度增加10倍时,不同器件的1/f噪声降低介于35%-50%之间.相比950℃、10min退火条件,1050℃、30min的高温长时间退火的器件,其1/f噪声降低约65%. |
| 收录情况 | PKU |
| 所属部门 | 电子信息工程学院 |
| 链接地址 | http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bdtxb200109019.aspx |
| DOI | 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.019 |
| 人气指数 | 3 |
| 浏览次数 | 3 |
| 基金 | 国家留学基金委留学基金 |
全文
影响因子：
dc:title:硅压阻输出微传感器的1/f噪声
dc:creator:于晓梅;江兴流;J.THAYSEN,等
dc:date: publishDate:2001-09-08
dc:type:期刊
dc:format: Media：半导体学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：半导体学报.2001,22(9),1182-1187.
dc:identifier:DOI：10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.019
dc: identifier:ISBN:0253-4177
