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基于HEMT的单片微波集成放大器设计

北京航空航天大学 辅仁网/2017-07-06
文献详情


基于HEMT的单片微波集成放大器设计
外文标题S-Band MMIC Amplifier Design Using HEMT
文献类型期刊
作者杨学斌[1];吕善伟[2];苏东林[3];王良臣[4]
机构
通讯作者Yang, Xuebin
来源信息年:2000卷:26期:3页码范围:290-292
期刊信息北京航空航天大学学报ISSN:1001-5965
关键词微波晶体管放大器;微波集成电路;仿真;高电子迁移率三极管
摘要介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法,电路核心为高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT).针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑,在HEMT的输入端并联一个200Ω电阻,用HP-EESOF公司的Libra 2.1软件进行了小信号电路仿真与设计.仿真结果表明设计的放大器是绝对稳定的,在2～3GHz频带内增益为14.2dB,纹波小于0.4dB,噪声系数约2.7dB,满足实用要求.
收录情况EI(2001025400659)PKUCSCD
所属部门电子信息工程学院
链接地址http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bjhkhtdxxb200003012.aspx
DOI10.3969/j.issn.1001-5965.2000.03.012
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影响因子：


科学与技术系苏东林

dc:title:基于HEMT的单片微波集成放大器设计
dc:creator:杨学斌;吕善伟;苏东林,等
dc:date: publishDate:2000-06-01
dc:type:期刊
dc:format: Media：北京航空航天大学学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：北京航空航天大学学报.2000,26(3),290-292.
dc:identifier:DOI：10.3969/j.issn.1001-5965.2000.03.012
dc: identifier:ISBN:1001-5965
相关话题/电子工程系 北京航空航天大学 设计 微波 半导体
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