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纳米硅薄膜研究的最新进展

外文标题	Research Development on Fabrications、Structures and Properties ofnanometer Silicon Film Materials
文献类型	期刊
作者	彭英才[1];何宇亮[2]
机构	[1]河北大学电子与信息工程学院,北京航空航天大学材料物理与化学研究中心 [2]河北大学电子与信息工程学院,北京航空航天大学材料物理与化学研究中心 ↓
来源信息	年:1999期:1页码范围:42-55
期刊信息	稀有金属ISSN:0258-7076
关键词	纳米硅薄膜;制备方法;结构特征;输运性质;光学特性
摘要	纳米硅薄膜(nc-Si:H) 是一种新型低维人工半导体材料,它具有新颖的结构特征与独特的物理性质.综合评述了这种材料在制备方法、结构特征、输运性质和发光特性等方面的最新研究进展,并指出了今后的发展方向.
收录情况	PKUCSCD
所属部门	材料科学与工程学院
链接地址	http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_xyjs199901009.aspx
DOI	10.3969/j.issn.0258-7076.1999.01.009
人气指数	2
浏览次数	2
基金	中国科学院资助项目; 河北省自然科学基金

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dc:title:纳米硅薄膜研究的最新进展
dc:creator:彭英才;何宇亮
dc:date: publishDate:1999-01-04
dc:type:期刊
dc:format: Media：稀有金属
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：稀有金属.1999,42-55.
dc:identifier:DOI：10.3969/j.issn.0258-7076.1999.01.009
dc: identifier:ISBN:0258-7076