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纳米硅薄膜的氧化特性

北京航空航天大学 辅仁网/2017-07-06

文献详情


纳米硅薄膜的氧化特性
外文标题Oxidization Influence on Hydrogenated Nano-crystalline Silicon Film's Properties
文献类型期刊
作者Liu, Ming[1];Fu, Dongfeng[2];Cui, Zhixie[3];Jiang, Xingliu[4]
机构
通讯作者Liu, Ming
来源信息年:1999卷:25期:1页码范围:96-99
期刊信息北京航空航天大学学报ISSN:1001-5965
关键词光致发光;表面复合;量子效应;表面态
摘要将nc-Si:H薄膜进行等离子和高温氧化处理,测量了样品的氢、氧含量,Raman谱、红外吸收谱、光致发光(PL).结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中,但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同,Raman谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响.用晶粒-表面模型对氧化引起的光致发光(PL) 蓝移进行了解释.
收录情况EI(1999414768253)PKUCSCD
链接地址http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bjhkhtdxxb199901026.aspx
DOI10.3969/j.issn.1001-5965.1999.01.026



影响因子:


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dc:title:纳米硅薄膜的氧化特性
dc:creator:刘明;傅东锋;崔志燮,等
dc:date: publishDate:1999-02-28
dc:type:期刊
dc:format: Media:北京航空航天大学学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature:北京航空航天大学学报.1999,96-99.
dc:identifier:DOI:10.3969/j.issn.1001-5965.1999.01.026
dc: identifier:ISBN:1001-5965
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