二维码（扫一下试试看！） | | CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析 | | SEE Evaluation Method for DFF Cell Based CMOS/SOI Technology | | 投稿时间：2016-03-05 | | DOI：10.15918/j.tbit1001-0645.2018.01.011 | | 中文关键词:抗辐射集成电路双移位寄存器链CMOS/SOI单粒子效应单粒子闩锁单粒子翻转 | | English Keywords:radiation-hardened DFFdual shift-register chainCMOS/SOIsingle-event effectsingle-event latch-upsingle-event upset | | 基金项目: | | 作者 | 单位 | | 李海松 | 西安微电子技术研究所, 陕西, 西安 710054 | | 蒋轶虎 | 西安微电子技术研究所, 陕西, 西安 710054 | | 杨博 | 西安微电子技术研究所, 陕西, 西安 710054 | | 岳红菊 | 西安微电子技术研究所, 陕西, 西安 710054 | | 唐威 | 西安微电子技术研究所, 陕西, 西安 710054 |
| | 摘要点击次数:891 | | 全文下载次数:635 | | 中文摘要: | | 针对定制设计中的触发器单元，提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法，利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器，分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.实验结果表明，该抗辐射触发器不仅对单粒子闩锁效应免疫，而且具有非常高的抗单粒子翻转的能力. | | English Summary: | | A dual shift-register chain structure was proposed for D flip-flop (DFF) cell's single-event effect (SEE) evaluation. Based the structure, the SEE performance of radiation-hardened DFF cell with common structure and made of 0.35μm CMOS/SOI technology was evaluated in Beijing Accelerator Nuclear Physics National Laboratory and Lanzhou National Laboratory of Heavy Ion Accelerator. The experimental results show that the DFF cells can be immune from single-event latch-up (SEL) and have high quality for standing up to single-event upset (SEU). | | 查看全文查看/发表评论下载PDF阅读器 | |
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