于庆凯首先详细介绍了单晶石墨烯的两种主要生长方法，一种是Small and Addressable Array，另一种是Large Single Crystal。后面又重点阐述了单晶畴石墨烯在铜-镍合金表面快速生长的机理、单晶畴石墨烯的表征以及单晶畴的排列对石墨烯电学特性的影响。于庆凯随后还介绍了多晶石墨烯在储能、热电元器件与石墨烯/铜合金方面的应用探索。最后,与会师生、员工与于庆凯就铜基底表面处理、单晶生长机理、铜镍合金的比例催化等问题进行了热烈的讨论。在回答专业学术问题的同时，于庆凯还分享了他在科研工作中的思考与感悟，并道出“一个非凡的成就，需要一个非凡的证明”与大家共勉。
报告结束后，于庆凯参观了动力锂电池实验室，并和实验室相关人员进一步探讨当前石墨烯研究热点以及当前在石墨烯研究遇到的挑战，为将来进一步在相关领域开展合作奠定了基础。
报告人简介：
于庆凯2011年获密歇根大学硕士学位，2006年获休斯顿大学博士学位，博士毕业后留校做研究助理，2011年到德克萨斯州立大学电子工程系做助理教授，2017年晋升为副教授。于庆凯最早提出并实践了在铜表面用化学气相沉积的方法生长石墨烯，在镍箔上生长石墨烯的工作也被广泛引用。他多年来从事材料的生长、表征和器件研究，先后在Nature Materials, Nature Nanotechnology, Nano Letters, Advanced Materials, ACS Nano, Applied Physics Letters等著名期刊发表学术文章50余篇，主持多项美国国家科学基金、能源部、国防部及工业界项目。
于庆凯做报告
于庆凯报告现场
(动力锂电 苏月宾)
