微电子与固体电子学
未公开
教授
微组装用高性能微波介质陶瓷与片式元件
透明介质调谐器件的设计与关键技术研究
XXX
基于介质陶瓷基板的小型化微带线滤波器集成技术研究
透明介质调谐器件的设计与关键技术研究
高性能电介质及微型电容器
XXX
一种高介电常数温度稳定型陶瓷电容器介质材料
一种多层陶瓷电容器用弛豫铁电材料的制备方法
具有高介电常数高温稳定型陶瓷电容器介质的制备方法
低温烧结X8R型陶瓷电容器介质的制备方法
一种X8R型多层陶瓷电容器介质的制备方法
钽铌酸银纳米粉体的制备方法
中温烧结微波介质陶瓷
一种新型中温烧结温度稳定型微波介质陶瓷
一种新型温度稳定型微波介质陶瓷
一种低损耗微波介质陶瓷及其制备方法
一种新型中温烧结微波介质陶瓷材料
低损耗微波介质陶瓷及其制备方法
一种新型中温烧结微波介质陶瓷材料
具有较低烧结温度的微波介质陶瓷及其制备方法
钛酸钡基陶瓷电容器介质的烧结方法
溶胶凝胶技术制备铌酸镁微波陶瓷粉体
较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷及其制备方法
低介电常数高Q值的高频介质陶瓷及其制备方法
高介瓷料的化学制备方法
高频热稳定电容器瓷料及其制备方法
一种NP0型低温烧结陶瓷电容器介质材料及其制备方法
复合高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法
具有磁电共振特征的颗粒型复合陶瓷材料
中介电常数低损耗的微波介质陶瓷
一种低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法
溶胶包覆法制备钛酸铋钠-钛酸钡复合介质陶瓷的方法
宽工作温度范围多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法
一种铁电薄膜钛酸锶钡的图形化方法
具有高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法
宽工作温度范围的多层陶瓷电容器介质的制备方法
一种高耐压多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法
具有稳定电极结构的薄膜电容器及其制备方法
宽工作温度范围的多层陶瓷电容器介质的制备方法
一种Ti-CA-EG水溶液的制备方法
一种低烧结温度钛酸钡基陶瓷电容器介质的制备方法
高介电常数超宽工作温度的陶瓷电容器介质的制备方法
一种中温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料
一种低温烧结温度稳定型高频介质陶瓷及其制备方法
基于混合电磁耦合的微带双通带滤波器
一种超高工作温度X-R型多层陶瓷电容器介质的制备方法
柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法
一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法
一种BST/BMN复合薄膜压控变容管的制备方法
一种金电极的制备方法
一种透明导电FTO/Ag/FTO复合薄膜的制备方法
全透型铋基焦绿石薄膜压控变容管及其制备方法
一种透明压控薄膜变容管及其制备方法
采用退火方法制备高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷
高介电常数NP0型介质陶瓷及其制备方法
一种片式多层陶瓷电容器用低损耗微波介质陶瓷材料
一种片式多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料
一种中温烧结温度稳定型低损耗微波介质陶瓷材料
一种低温烧结低损耗微波介质陶瓷材料
低温烧结铌酸盐高品质因数微波介质陶瓷材料
一种氧化锌压控变容管的制备方法
碳酸锰掺杂高温稳定型钛酸钡基介质材料
采用退火法制备超宽温稳定型钛酸钡基介质材料的方法
一种高品质因数温度稳定型微波介质陶瓷材料
一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法
一种具有高调谐率铋基薄膜的制备方法
取向BMN薄膜的制备方法
无铅高介电常数多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法
高调谐埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜电容器
BST/BMN/BST多层复合薄膜的制备方法
钛酸锶钡纳米粉体的制备方法
高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷及其制备方法
一种Nb2O5/Cu/Nb2O5结构透明电极的制备方法
一种制备FTO透明导电薄膜的制备方法
一种双层透明导电薄膜及其制备方法
中温烧结X7R型陶瓷电容器介质的制备方法
一种超高温多层陶瓷电容器介质的制备方法
X9R型多层陶瓷电容器用介质材料的制备方法
高介电常数超宽工作温度的陶瓷电容器介质的制备方法
一种铌酸钾钠基多层陶瓷电容器介质材料的制备方法
一种水溶性含铌化合物的制备方法
中温烧结低损耗温度稳定型微波介质陶瓷材料
共面插指电极结构的介质压控微波变容管及其制作方法
透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法
一种低温烧结钛酸锶储能介质陶瓷材料及其制备方法
一种温度稳定型钽铌酸盐微波介质陶瓷
一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料
中温烧结高品质因数的钛酸镁基微波介质陶瓷
一种低损耗温度稳定型高频陶瓷电容器介质及其制备方法
一种低温烧结温度稳定型介质陶瓷材料
低损耗多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法
钛酸锶钡介质薄膜的制备方法
透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管及其制备方法
高品质因数的钛酸镁基微波介质陶瓷及其制备方法
一种中温烧结多层陶瓷电容器介质材料
一种低损耗多层陶瓷电容器介质材料
中温烧结多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法
一种有效提高钛酸钡基介质材料居里温度的方法
一种图形化氧化物介质薄膜的方法
一种片式电容器的高温测试夹具
一种TiO2/TiO2Au/Au结构Au电极的制备方法
一种具有较厚Au电极的制备方法
超宽工作温度范围的多层陶瓷电容器介质及其制备方法
具有磁介电效应的多铁性复合材料及其制备方法
介电可调的铌酸铅薄膜材料
新型中介电常数微波多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷
铌酸铋镁纳米粉体的制备方法
高性能多层陶瓷电容器介质及其制备方法
采用反应烧结法制备高Q值钛酸镁基微波介质陶瓷的方法
铌酸铋镁介质薄膜的制备方法
溶胶凝胶技术制备钽酸镁微波陶瓷粉体的方法
具有超高介电常数的高频介质陶瓷
一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法
一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法
一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法
一种氧化镍压控薄膜变容管的制备方法
一种氧化锌薄膜图形化的方法
一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法
一种BMN介质薄膜微波压控电容器的制备方法
本发明公开了一种高介电常数温度稳定型陶瓷电容器介质材料，化学式为(Bi1.5Mn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7；先将原料Bi2O3、Nb2O5、MnCO3、ZnO按上述化学式称量配料，经球磨、烘干、过筛、煅烧，合成主晶相；再外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，经球磨、烘干、过筛、压成坯体；坯体于950～1000℃烧结，制成高介电常数温度稳定型陶瓷电容器介质材料。
本发明公开了一种多层陶瓷电容器用弛豫铁电材料的制备方法，先将BaCO3、Bi2O3、TiO2、ZnO、ZrO2按(1-x)BaTiO3-xBi(Zn0.5Zr0.5)O3配料，其中，x为0.2～0.5，球磨、烘干、煅烧后制得粉料；粉料经球磨、烘干、造粒后压制成生坯；生坯于1050～1200℃烧结
本发明公开了一种具有高介电常数的高温稳定型陶瓷电容器介质的制备方法，先将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按质量比3:15:10配料，球磨后烘干，于800℃煅烧，制得Na0.5Bi0.5TiO3粉末；该粉末与BaTiO3和Nb2O5按质量比0.5～1.5:3～6:0.1～2配料，再经球磨、烘干后于1000℃烧结，
本发明公开了一种低温烧结X8R型陶瓷电容器介质的制备方法，先按重量比为74.7:265.8称取CoO和Nb2O5，制得CoNb2O6；另按重量比为114.9:265.8称取MnCO3和Nb2O5，制得MnNb2O6；再将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按质量比3:15:10配料，
本发明公开了一种X8R型多层陶瓷电容器介质的制备方法，先将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按质量比3:15:10配料，经球磨、烘干、煅烧，制得Na0.5Bi0.5TiO3粉末；该粉末与BaTiO3按质量比2～6:100配料，球磨、烘干、预烧后得到熔块；
本发明公开了一种以碳酸钾作为共融剂为基础来制备钽铌酸银纳米粉体的溶胶凝胶制备方法，步骤为：(1)配制铌的柠檬酸水溶液，(2)配制钽的柠檬酸水溶液，(3)配制银的柠檬酸水溶液，(4)配制钽铌酸银AgNb0.6Ta0.4O3溶胶、制备纳米粉体；本发明克服了目前由于使用强腐蚀性的氢氟酸等对于制备过程带来的不足，制备出平均粒径为20～50nm的钽铌酸银AgNb0.6Ta0.4O3陶瓷纳米粉体。
本发明公开了一种中温烧结微波介质陶瓷，原料组分及其摩尔百分比含量为MgTiNb2O8。制备步骤为：配料、混合、烘干、过筛，于780℃煅烧3小时合成熔块，再压制成型为坯体，于1100～1200℃烧结，制得MgTiNb2O8微波介质陶瓷。本发明烧结温度低，品质因数高，为36,000～60,000GHz，介电常数为28～32，温度稳定性好，谐振频率温度系数为-7.4～31×10-6/℃，本发明广泛应用于微波技术各个领域。
本发明公开了一种新型中温烧结温度稳定型微波介质陶瓷，其原料组成及其摩尔百分比含量为Ni0.3Zn0.7TiNb2O8，采用NiO、ZnO、Nb2O5和TiO2为原料。经过配料、混合、球磨、烘干，过筛，于760℃合成熔块，再外加聚乙烯醇、球磨、烘干、过筛、压制成坯体，于1040～1140℃烧结，制得多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷；本发明介电常数为38～42，品质因数为43,000～47,000GHz，谐振频率温度系数为2～3.7×10-6/℃；制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
本发明公开了一种新型温度稳定型微波介质陶瓷，其原料组成及其摩尔百分比含量为Mg0.5Zn0.5TiNb2O8，采用MgO、ZnO、Nb2O5和TiO2为原料。经过配料、混合、球磨、烘干，过筛，于860℃合成熔块，再外加聚乙烯醇、球磨、烘干、过筛、压制成坯体，于1060～1180℃烧结，制得多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷；本发明介电常数为29～33，品质因数为61,000～67,000GHz，谐振频率温度系数为-1.2～-7×10-6/℃；制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
本发明公开了一种低损耗微波介质陶瓷，原料组分及其摩尔百分比含量为(Mg1-xMx)1.8Ti1.1O4，其中0.01≤x≤0.1，M＝Zn或Ni。本发明通过简单的固相法制成微波介质陶瓷，其介电常数εr为14.8～16.8，品质因数Q×f为154000～21690GHz，谐振频率温度系数τf为-42～-38ppm/℃-1，烧结温度范围为1250℃～1425℃。
本发明公开了一种新型中温烧结微波介质陶瓷材料，原料组分及其摩尔百分比含量为ZnTiTa2O8；制备步骤为：(1)配料；(2)混料、球磨、烘干、过筛；(3)800℃煅烧合成熔块；(4)将步骤(3)熔块中加入0.35～0.75％聚乙烯醇、球磨、烘干、过筛，再压制成型；(5)将坯体于1100～1200℃烧结，制得ZnTiTa2O8微波介质陶瓷；(6)测试微波介电性能。本发明烧结温度低，
本发明公开了一种低损耗微波介质陶瓷，其原料组分及其摩尔百分比含量为Mg2(Ti1-xSnx)04，其中0＜x＜0.3。制备步骤为：(1)将MgO，TiO2和SnO2分别按Mg2(Ti1-xSnx)O4，0＜x＜0.3，所表示的摩尔百分比进行配料，球磨；(2)烘干，过筛；(3)将粉料于900～1150℃预烧；
本发明公开了一种新型中温烧结微波介质陶瓷，原料组分及其摩尔百分比含量为ZnTiTa2O8。制备步骤：(1)配料(2)一次球磨、烘干(3)于800℃预烧、合成熔块；(4)二次球磨、烘干并压制成型；(5)于1100～1200℃烧结2～6小时。本发明制备工艺简单，烧结温度低、介电常数为36～41、
本发明公开了一种具有较低烧结温度的微波介质陶瓷，其组分为(Mg1－xSnx)TiO3，其中x＝0.03－0.08，其原料摩尔百分比含量为TiO250％、MgO 40－50％、SnO20－10％。采用固相合成工艺，制备步骤为：(1)配料；(2)于1100℃煅烧，合成前驱体、球磨、烘干；(3)制坯、于1150－12
本发明公开了一种钛酸钡基陶瓷电容器介质的烧结方法，步骤为：(1)按原料的质量百分比含量Bi2O325％～35％、Pb3O415％～25％、ZnO 30％～40％，H3BO310％～20％配料，混合，熔融淬冷、磨细、过筛，制备玻璃粉；(2)将初始原料钛酸钡进行预处理，外加Nb2O50.5％～2％，
本发明公开了一种溶胶凝胶技术制备铌酸镁微波陶瓷粉体的方法，步骤为：(1)配制铌的柠檬酸水溶液，(2)配制镁的柠檬酸水溶液，(3)Mg－Nb前驱体溶液、干凝胶以及纳米粉体的获得。本发明克服了目前固相法合成铌酸镁微波陶瓷粉体温度高、粒度大的缺点，在煅烧温度为550～850℃条件下，制备出平均粒径为40～80nm的铌酸镁陶瓷纳米粉体。
本发明公开了一种较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷，原料组分及其质量百分比含量为：Ag2O 40～45％、Nb2O535～46％、Ta2O59～25％，外加添加剂CaF23～7％、B2O32.5～8％。经配料、球磨、烘干、煅烧后合成(Nb，Ta)2O5前驱体，再经二次配料，球磨、烘干，煅烧后合成熔块A
本发明公开了一种低介电常数高Q值的Mg4Nb2O9高频介质陶瓷，原料组分及质量百分比含量为：MgO 20～50％、Nb2O550～80％。制备方法包括：(1)配料；(2)烘干；(3)煅烧熔块；(4)再球磨、烘干；(5)造粒、压制生坯、烧结；(6)涂覆银浆、烧渗电极、焊接引线。
本发明涉及一种高介瓷料的化学制备方法，以分析纯的Ta2O5、Nb2O5、AgNO3、NaNO3为原料，按(AgxNa1－x) [NbyTa1－y]O3组成按特定比例称取Ta2O5、Nb2O5，加入氢氟酸和硝酸，水浴加热溶解，再配比称取AgNO3、NaNO3，加入分析纯柠檬酸得到柠檬酸溶液，将两种溶液混合搅拌，置
本发明公开了一种高频热稳定电容器瓷料及其制备方法。本瓷料的主晶相为ZnTiO3，瓷料按摩尔百分比由ZnO 30－45％，MgO 5－ 20％，TiO250－60％制成。首先按预定的比例配料，再经过球磨、预烧熔块、研磨后二次球磨、炒蜡压片、烧结制成。本发明的介质瓷料具有较高的介电常数和较小的损耗，并且温度系数接近于零。可广泛应用于卫星电视、雷达、移动通讯、电子计算机及现代医学等众多领域。
本发明公开了一种NP0型低温烧结陶瓷电容器介质材料及其制备方法，化学式为Bi2(Zn0.6Mg0.4)2/3Nb4/3O7；首先采用溶胶-凝胶法预合成Bi2(Zn0.6Mg0.4)2/3Nb4/3O7纳米陶瓷粉体，经550～750℃热处理，再经球磨、压制成型，并将坯体于875～950℃烧结，保温4小时，制成陶瓷电容器
本发明公开了一种复合高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法，其原料组分及其摩尔比为：0.8（Bi1.5MgNb1.5O7）-0.2（β_Bi2Zn2/3Nb4/3O7）。首先采用溶胶-凝胶法预合成Bi1.5MgNb1.5O7(BMN)与Bi2Zn2/3Nb4/3O7(β_BZN)纳米陶瓷粉体，再将其按摩尔比4:1混合，外加1.25%聚
本发明公开了一种具有磁电共振特征的颗粒型复合陶瓷材料，其化学式为(100-x)NaNbO3-xNiFe2O4，其中NiFe2O4的摩尔量为x=15～45；以Na2CO3、Nb2O5、NiO和Fe2O3为原料，采用固相法，经配料、球磨、于900~1150℃预烧，再经压制成型，于1100℃~1200℃烧结。本发明具有均匀性好
本发明公开了一种中介电常数低损耗的微波介质陶瓷，其化学式为：Zn(Ta0.8Sb0.2)2O6。本发明通过向ZnTa2O6陶瓷中添加Sb2O3，从而获得复相微波介质陶瓷。提供了一种在相对较低的烧结温度下，具有中等的介电常数、较高的品质因数及稳定的温度系数的微波介质陶瓷材料。其
本发明公开了一种新型低温烧结微波介质陶瓷，其化学式为：ZnZrNb2O8，采用ZnO、Nb2O5和ZrO2为原料。制备方法为：先按ZnZrNb2O8化学式称量配料、混合、球磨、烘干、过筛，再于750℃合成熔块，再经球磨、烘干、过筛后压制成坯体，于900～950℃烧结，制成低温烧结微波介质陶
本发明公开了一种中温烧结复合铌酸盐高频介质陶瓷，其原料组成及其摩尔百分比含量为(1-x)ZnTiNb2O8-xTiO2，其中：0.65≤x≤0.85。制备方法包括：配料，球磨，于920℃煅烧、合成前驱体，造粒，成型，于1020～1170℃烧结1.5～6小时。本发明通过ZnTiNb2O8和TiO2两相陶瓷复合，制得介电常数为34～97，
本发明公开了一种宽工作温度范围多层陶瓷电容器介质材料，原料组成及其质量比为：BaTiO3：Bi(Zn0.5Ti0.5)O3：Nb2O5＝1：0.5～0.7：0.02～0.06；所述Bi(Zn0.5Ti0.5)O3的原料组成及摩尔比为Bi2O3：ZnO：TiO2＝1:1:1；
本发明公开了一种铁电薄膜钛酸锶钡的图形化方法，以图形化的光刻胶作为牺牲层，采用在有机溶剂中超声剥离的方法使铁电薄膜钛酸锶钡图形化。在清洗基片及光刻显影后，将基片放入磁控溅射仪真空室中，使用射频磁控溅射的方法进行铁电薄膜钛酸锶钡的沉积，再于有机溶剂中对基片进行剥离，于750℃退火，制得图形化的铁电薄膜钛酸锶钡。本发明所得图形精度高，调谐元器件具有良好的调谐性能和介电性能；方法简单、介电性能优良，具有良好的应用前景。
本发明公开了一种具有高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法，其表达式为Mg1.6Ti1.2O4；先将MgO,TiO2按化学计量式Mg1.6Ti1.2O4进行配料，球磨4～24小时；再将原料于100～120℃烘干，并于900～1150℃预烧；再经过造粒、压力成型后，于1325℃-1425℃烧结。本发明的微波介质
本发明公开了一种宽工作温度范围的多层陶瓷电容器介质的制备方法，先将K2CO3、Na2CO3、Nb2O5按质量比3～9:3～8:20～40配料，球磨、煅烧后制得K0.5Na0.5NbO3粉末；再将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按质量比3:15:10配料，球磨、煅烧后制得Na0.5Bi0.5TiO3粉末；另将BaTiO3按100g计，
本发明公开了一种高耐压多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法，以BaTiO3粉体为基料，外加质量百分比为0.6～1.8%的(NiO)1-x(NbO2.5)x，其中x=0.6～0.8；0.2～0.7%的(MnO)1-y(NbO2.5)y，其中y=0.4～0.6；0.5～3.5%的CaZrO3及4～7%的玻璃助熔剂。所述(NiO)1-x(NbO2.5)x化合物
本发明公开了一种具有稳定电极结构的薄膜电容器及其制备方法，在基片的上面依次设置有钛过渡层、Pt/Ti合金层、铂电极层、阻挡层和功能薄膜。先将清洗干净后的基片放入磁控溅射仪真空室中，首先进行钛过渡层的溅射沉积，再进行钛和铂的同时溅射，制成Pt/Ti合金层，
本发明公开了一种宽工作温度范围的多层陶瓷电容器介质的制备方法，先将K2CO3、Na2CO3、Nb2O5按质量比3～9:3～8:20～40配料，球磨、煅烧后制得K0.5Na0.5NbO3粉末；再将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按质量比3:15:10配料，球磨、煅烧后制得Na0.5Bi0.5TiO3粉末；另将BaTiO3按100g计，
本发明公开了一种Ti-CA-EG水溶液的制备方法，先将TiO2粉体加入HF中，水浴加热至TiO2全部溶解；再向该溶液中加入氨水，中和反应生成偏钛酸沉淀并抽滤、洗涤该沉淀，将其加到入硝酸中，磁力搅拌至沉淀完全溶解，得到硝酸钛溶液；再向硝酸钛溶液中加入柠檬酸，使其完全溶解
本发明公开了一种低烧结温度钛酸钡基陶瓷电容器介质的制备方法，先将NiO和Nb2O5按重量比为74.7:265.8配料，于800～1000℃烧结，制得NiNb2O6；再将MnCO3和Nb2O5按重量比为114.9:265.8配料，于800～1000℃烧结，制得MnNb2O6；再将BaCO3、CuO和B2O3配料，于700～850℃烧结，
本发明公开了一种高介电常数超宽工作温度的陶瓷电容器介质的制备方法，先将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按质量比3:15:10配料，制得Na0.5Bi0.5TiO3粉末，再与BaTiO3和Nb2O5按质量比1:3.0～7.0:0.1～0.15配料，经750～1000℃煅烧，制得熔块；再将熔块外加1～10wt%ZnO,8wt%玻璃粉及
本发明公开了一种中温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料，其化学式为：0.4Zn0.8Mg0.2ZrNb2O8-0.6TiO2；先将ZnO、MgO、ZrO2、Nb2O5和TiO2分别按化学计量比称量配料；球磨、烘干、过筛后于850℃煅烧，合成前驱体；再压力压成为坯体，于1040～1120℃烧结，制成温度稳定型微波介质陶瓷材料。本发明的介电常数为45～48，品质因数为40,421～43,935GHz，谐振频率温度系数为-13.7～5.5×10-6/℃。制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
本发明公开了一种低温烧结高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷材料，其化学式为Bi1.5NiNb1.5O7‐Bi2Zn2/3Nb4/3O7，摩尔比为0.2:0.8。首先采用溶胶‐凝胶法预合成Bi1.5NiNb1.5O7-Bi2Zn2/3Nb4/3O7纳米陶瓷粉体，再经压力成型为坯体，于850～950℃烧结，制成高频介质陶瓷材料
本发明公开了一种基于混合电磁耦合的微带双通带滤波器，在介质基板上面左右对称地设置有第一谐振器与第二谐振器，第三谐振器与第四谐振器，并左右对称地设置有输入馈线和输出馈线，输入馈线与第一谐振器相连接，输出馈线与第二谐振器相连接；
本发明公开了一种超高工作温度X-R型多层陶瓷电容器介质的制备方法，先将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按质量比3:15:10配料，球磨、烘干、煅烧后制得Na0.5Bi0.5TiO3粉末；该粉末与BaTiO3和Nb2O5按质量比0.5～1.5:3～6:0.1～2配料，预烧后得到熔块；
本发明公开了一种柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，采用固相烧结法制备Zn1-xPxO(x＝0.02～0.1)靶材，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50～200W，进行沉积得到厚度为200～500mm的PZO薄膜。
本发明公开了一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法，首先采用固相烧结法制备BMN即Bi1.5MgNb1.5O7靶材和ZnO靶材，以铜箔为衬底，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar作为溅射气体，在铜箔上进行沉积得到厚度为30～60nm的ZnO薄膜，再沉积得到厚度为150-300nm的Bi1.5MgNb1.5O7薄膜，再利用掩膜版在Bi1.5MgNb1.5O7薄膜上面制备金属电极，制得柔性BMN薄膜压控变容管。
本发明公开了一种BST/BMN复合薄膜压控变容管的制备方法，首先采用固相烧结法制备Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7即BMN靶材和Ba0.6Sr0.4TiO3即BST靶材，采用Pt-Si衬底，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar和O2作为溅射气体，沉积得到厚度为150-300nm的BMN薄膜层与厚度为150-300nm的BST薄膜层，再于700℃进行后退火处理，利用掩膜版在BST薄膜上面制备金属电极，制得BST/BMN复合薄膜压控变容管。
本发明公开了一种金电极的制备方法，首先清洗基片及光刻显影，再将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中，分别装上金属铬与金靶材；在真空度<1.0×10-3Pa条件下，首先溅射沉积铬层厚度为5nm～200nm，再溅射沉积铬、金合金层厚度为3nm～200nm，最后再溅射沉积金层厚度为50nm-1000nm；剥离后制得Cr/CrAu/Au结构的金电极。本发明具有较厚的Au层和优良的吸附性，制备工艺简单，电极性能优良，具有良好的应用前景。
本发明公开了一种透明导电FTO/Ag/FTO复合薄膜的制备方法，首先采用等静压固相反应合成工艺制备FTO靶材，其化学式为SnO2-0.5xFx，其中0.04≤x≤0.3；再采用磁控溅射法，交替溅射，限制层厚，制备出“三文治结构”的FTO/Ag/FTO复合薄膜(底层为FTO薄膜，中间层为Ag薄膜
本发明公开了一种全透型铋基焦绿石薄膜压控变容管的制备方法，首先采用固相烧结法制备铋基焦绿石靶材，以具有AZO薄膜作为底电极层的导电玻璃衬底，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar和O2作为溅射气体，沉积得到铋基焦绿石薄膜，再于氧气气氛中进行后退火处理；再以3at％Al掺杂的ZnO陶瓷为靶材，溅射沉积100～600nm的AZO薄膜，制备透明顶电极，制得全透型铋基焦绿石薄膜压控变容管。本发明的压控变容管透明性高，调谐率适中，且器件稳定性好，为透明通讯和显示设备的开发和应用提供了优良的电子元器件基础。
本发明公开了一种透明压控薄膜变容管的制备方法，首先采用固相烧结法于1000～1150℃烧制Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7靶材；利用磁控溅射沉积技术，使用Ar和O2作为溅射气体，沉积得到Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7薄膜；再于氧气气氛中进行后退火处理，再于薄膜上面制备金属电极，制得透明Bi1.>Zn1.0Nb1.5O7压控薄膜变容管。本发明透明性高，调谐率适中，器件稳定性好，且工艺简单，电极性能优良，具有良好的应用前景，为透明通讯和显示设备的开发和应用提供了优良的元器件基础。
本发明公开了一种采用退火方法制备高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷，目标合成物表达式为MgTiO3，以MgO和TiO2为原料，通过简单固相法，于850～1000℃预烧，于1250℃-1450℃烧结。再采用1100℃～1250℃下退火的方法，以提高制品的品质因数。本发明的介电常数εr为17.3～17.9，品质因数Q×f为240000～270000GHz，谐振频率温度系数τf为-41～-55×10-6/℃。
本发明公开了一种高介电常数NP0型介质陶瓷及其制备方法，化学式为(Bi1.8Zn0.2)(Zn0.5Nb1.5-xSnx)O7.15-x/2(0≤x≤0.1)；本发明采用Bi2O3、Nb2O5、SnO2、ZnO为原料，于750℃下煅烧，于950～1025℃烧结。通过改变焦绿石结构中位于A位的Bi/Zn比例，再采用高离子极化率的Sn4>取代位于B位半径相似的Nb5+，从而提高体系的介电常数。
本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器用低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Zn3(Nb0.8Ta0.2)2O8，采用化学原料ZnO、Nb2O5、Ta2O5，于900℃煅烧合成前驱体，于1100～1180℃烧结。本发明通过使用Ta5+对Nb5+进行了少量取代，有效提高了其品质因数(60,823～98,700GHz)，其烧结温度为：1100～1180℃，介电常数为20～24，谐振频率温度系数为-40～-37×10-6/℃。此外，本发明制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料，其化学式为Zn0.96Ni0.04Zr0.05Ti0.95Nb2O8，采用化学原料ZnO、NiO、Nb2O5、TiO2和ZrO2，于880℃煅烧合成前驱体，于1060～1140℃烧结。本发明通过使用Ni2+和Zr4+对Zn2+及Ti4+进行了少量取代，有效提高了其品质因数(59,010～68700GHz)，其烧结温度为1060～1140℃，介电常数为34～38，谐振频率温度系数为-41～-35×10-6/℃。
本发明公开了一种中温烧结温度稳定型低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Ca0.45Zn0.55TiNb2O8，采用化学原料ZnO、CaO、Nb2O5和TiO2，于850℃煅烧，合成前驱体，于1060～1140℃烧结。本发明使用Ca2+离子对Zn2+离子进行取代，改变了材料的物相组成。本发明的烧结温度为1060～1140℃，介电常数为34～40，品质因数为42,000～51,500GHz，谐振频率温度系数为-10～11×10-6/℃。制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
本发明公开了一种低温烧结低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Ni0.04Zn0.96TiNb2O8+(1～4)wt％B2O3，采用化学原料ZnO、NiO、Nb2O5和TiO2，于900～940℃烧结。本发明在ZnTiNb2O8系陶瓷的基础上，使用B2O3做为烧结助剂，提供一种低温烧结的低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法，并同时保持了相对较好的介电性能。其烧结温度为900～940℃，介电常数为30～36，品质因数为32,100～39,500GHz，谐振频率温度系数为-32～-39×10-6/℃。
本发明公开了一种低温烧结铌酸盐高品质因数微波介质陶瓷材料，其化学式为Ni0.04Zn0.96TiNb2O8+(1-4)wt％CuO，采用化学原料ZnO、NiO、Nb2O5、TiO2和CuO，于850℃煅烧合成前驱体，于900～940℃烧结。本发明从LTCC低温共烧的角度出发，在Ni0.04Zn0.96TiNb2O8体系中通过掺杂少量的低熔点烧结助剂CuO，在降低烧结温度的同时保持优异的微波性能；其介电常数为30～34，品质因数为27,800～41,500GHz，
本发明公开了一种氧化锌压控变容管的制备方法，先将ZnO粉末压制成型，采用固相烧结法于1100℃烧制ZnO靶材；再将Pt-Si衬底清洗干净，利用磁控溅射沉积技术，沉积得到ZnO薄膜，溅射功率100～200W；再于氧气气氛炉中400℃～600℃后退火处理，退火时间5～60min；再利用掩膜版制备金属电极，并利用热蒸镀法或者溅射法制备Au或者Pt电极。本发明的ZnO压控薄膜变容管的调谐率极高（70%以上），驱动电压低（小于80kV/cm），材料价廉，工艺简单、电学性能优良，具有良好的应用前景。
本发明公开了一种碳酸锰掺杂高温稳定型钛酸钡基介质材料的制备方法，先将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按摩尔百分比1:1:4配料，煅烧后制得Na0.5Bi0.5TiO3固体颗粒；再将Na0.5Bi0.5TiO3，BaTiO3，Nb2O5按质量比1：6.2：0.17配料，于1000℃预烧，制得熔块；再外加质量百分比为5%的玻璃粉及质量百分比为4～4.5%的碳酸锰，
本发明公开了一种采用退火法制备超宽温稳定型钛酸钡基介质材料的方法，通过将传统固相工艺法获得的钛酸钡基介质材料进行退火，退火温度为1000℃～1100℃，退火时间为1～8h，最终获得性能优异的超宽温稳定型钛酸钡基介质材料。本发明显著提高了钛酸钡基介质材料的介电常数以及高温段（150℃-310℃）介电常数的稳定性；具有优异的介电性能：εr≥1600，绝缘电阻率大于1011Ω·cm，-55℃～310℃范围内电容量变化率ΔC/C20℃≤±15%，tanδ≤2%。
本发明公开了一种高品质因数温度稳定型微波介质陶瓷材料，其化学式为Zn0.5Mg0.5ZrNb2O8，采用化学原料ZnO、MgO、ZrO2和Nb2O5，于900℃煅烧合成前驱体，于1180～1240℃烧结。本发明使用Mg2+离子对Zn2+离子进行取代，通过提高有序度和堆积密度等手段改善了材料的品质因数和频率温度系数；其烧结温度为1100～1180℃，介电常数为20～24，品质因数为60,823～98,700GHz，谐振频率温度系数为-40～-37×10-6/℃。
本发明公开了一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法：首先清洗基片，再采用磁控溅射方法，以金属Ni为靶材，沉积得到NiO薄膜，再于500-700℃进行后退火处理；最后以ITO为靶材，制备ITO薄膜顶电极，制得高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器。本发明在现有技术的基础上首次采用NiO薄膜制备压控透明电容器，该压控透明电容器调谐率高，驱动电压低，可见光透过性优良，具有良好的应用前景。
本发明公开了一种具有高调谐率铋基薄膜的制备方法：首先清洗衬底基片，再于衬底基片上制得铌酸锌铋诱导层，再于650℃-750℃进行退火处理；再于具有铌酸锌铋诱导层的衬底基片上沉积制备铌酸镁铋薄膜层，最后再于750℃退火处理，制得具有高调谐率铋基结构的铌酸镁铋薄膜。本发明较之现有技术其结晶性更好，取向性和调谐性能均有明显改善，调谐率由30％增至35％。
本发明公开了一种取向BMN薄膜的制备方法，利用衬底与薄膜之间热膨胀系数的影响，采用改进的Sol-Gel工艺，控制薄膜取向生长；首先配制铌的柠檬酸水溶液，其中五氧化二铌与柠檬酸的摩尔比为1:3～1:6；再按Bi1.5MgNb1.5O7的化学计量比称取五水硝酸铋，碳酸镁，加入铌的柠檬酸水溶液中，加热搅拌，加入甲醇稀释，得到铌酸铋镁前驱体溶胶，再将前驱体溶胶均匀地涂覆在SiO2/Si基片上，于500℃热处理；重复旋涂-热处理过程，再于750℃后退火
本发明公开了一种无铅高介电常数多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO3粉体为基料，外加质量百分比为0.6～1.2％的(NiO)1-x(NbO2.5)x，其中x＝0.6～0.8；0.2～0.5％的(MnO)1-y(NbO2.5)y，其中y＝0.4～0.6及3.0～4.0％的CaZrO3。首先合成(NiO)1-x(NbO2.5)x化合物，合成(MnO)1-
本发明公开了一种高调谐埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜电容器，首先在清洗好的基底上采用溶胶-凝胶法沉积BMN薄膜，再在BMN薄膜上采用光刻技术结合磁控溅射工艺制备插指电极，再在制备有插指电极的BMN薄膜上沉积BST薄膜，制得埋入式插指电极BMN/BST双层薄膜；再将该双层薄膜在于50-750℃退火，并通过刻蚀法将插指电极引脚露出，制得BMN/BST双层薄膜电容器。本发明通过BST与BMN薄膜复合从而降低了薄膜介电损耗，提升了薄膜的综合性能，采用埋入式插指电极结构，提高了器件的调谐率。
本发明的公开了一种BST/BMN/BST多层复合薄膜，通过在两BST薄膜中间增加一层低损耗的BMN介质层从而降低薄膜介电损耗。首先制备钛酸锶钡及铌酸铋镁的前驱体溶胶，再分别将上述前躯体溶胶滴在基片上制备相应的薄膜，再于550～750℃进行后退火，得到BST/BMN/BST多层复合薄膜。本发明以碳酸钡、碳酸锶及二氧化钛作为原料，替代部份醇盐及钛酸四丁酯，降低了薄膜的生产成本。碳酸镁代替水合硝酸镁，使化学配比更加精确；
本发明公开了一种钛酸锶钡纳米粉体的制备方法：首先配制钛-柠檬酸-乙二醇溶液，再将钛酸钡、钛酸锶加入上述溶液，制得稳定的钛酸锶钡溶胶；再将的钛酸锶钡溶胶于80～120℃烘干，形成干凝胶；再于600～800℃热处理，得到钛酸钡锶纳米粉体。本发明较之现有技术降低了生产成本，纳米粉体具有粒径小、团聚低、组成均匀等优点，且制备过程简单，周期短，是一种Sol-Gel法制备钛酸锶钡纳米粉体的新工艺，具有广阔的应用前景。
本发明公开了一种高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷，化学式为(Bi1.5Zn0.1Sr0.4)(Zn0.5Nb1.5)O7，x＝0.4；采用Bi2O3、Nb2O5、SrCO3和ZnO为原料，于750℃煅烧，925～1000℃烧结，克服了现有技术温度稳定性较差的缺点，提供了一种满足NP0特性(在温度从-55℃到+125℃的范围之内，电容量温度系数(TCC)≤±30×10-6/℃)的高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷及其制备方法。
本发明公开了一种Nb2O5/Cu/Nb2O5结构透明电极的制备方法，利用掺杂和磁控溅射沉积技术，交替溅射，限制层厚；首先溅射沉积厚度为20nm～120nm的Nb2O5层，再溅射沉积厚度为3nm～20nm的Cu层，最后溅射沉积厚度为20nm～120nm的Nb2O5层。
发明公开了一种制备FTO透明导电薄膜的制备方法，采用等静压固相反应合成工艺制备FTO即SnO2-0.5xFx(0.04≤x≤0.3)靶材，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar和O2作为溅射气体，沉积得到厚度为200～700nm的FTO透明导电薄膜。本发明显著降低了薄膜的电阻率，提高了薄膜中的载流子浓度，可大面积规模化生产，工艺简单，成本低，所制薄膜表面平整，结晶致密，颗粒大小均匀，具有低电阻率、高透明性、重复性和稳定性；薄膜的透过率≥80％，电阻率<5.0×10-3Ω·cm。
本发明公开了一种双层透明导电薄膜及其制备方法，由下层的Cu层和顶层的SnO2层构成，为SnO2/Cu透明导电薄膜；先将SnO2靶材和Cu靶材装入磁控溅射腔体内，真空度抽至1.0×10-5Torr以下，使用Ar和O2作为溅射气体溅射SnO2层，SnO2层厚度为10～120nm；再将真空度抽至5.0×10-5Torr以下，使用Ar作为溅射气体溅射Cu层，Cu层厚度为3～20nm，制得SnO2/Cu双层透明导电薄膜。
本发明公开了一种中温烧结X7R型陶瓷电容器介质的制备方法，先将BaCO3、B2O3、SiO2、MnCO3、Gd2O3、Nb2O5按质量百分比7～9：0.5～1.5：0.5～1.5：1～3：0.5～1.5：7～9配料，球磨、烘干、煅烧后制得粉末A；将粉末A与BaTiO3按质量比0.5～2:48～49.5配料，球磨、烘干、造粒、过筛后压制成生坯；生坯于1100～1150℃烧结，烧渗制备电极，制得X7R型多层陶瓷电容器介质。
本发明公开了一种超高温多层陶瓷电容器介质的制备方法，先将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按质量百分比3:15:10配料，经球磨、烘干、煅烧后制得Na0.5Bi0.5TiO3粉末；该粉末与BaTiO3和Nb2O5按质量比0.5～1.5:3～6:0.1～2配料，再经球磨、烘干、预烧后制得熔块；
本发明公开了一种X9R型多层陶瓷电容器用介质材料的制备方法，先将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按质量比3:15:10配料，球磨、烘干、煅烧后制得Na0.5Bi0.5TiO3粉末；再将该粉末与BaTiO3和Nb2O5按质量比1:6.7:0.17配料，制得熔块A；再将粉末与BaTiO3按质量比1:7～8，
本发明公开了一种高介电常数超宽工作温度的陶瓷电容器介质的制备方法，先将Na2CO3、Bi2O3、TiO2按质量百分比3:15:10配料，烘干、煅烧后制得Na0.5Bi0.5TiO3粉末；该粉末与BaTiO3和Nb2O5按质量比0.5～1.5:3～6:0.1～2配料，再经球磨、烘干后制得熔块；
本发明公开了一种铌酸钾钠基多层陶瓷电容器介质材料的制备方法，先将K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、Bi2O3、ZnO、ZrO2按(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3–xBi(Zn0.5Zr0.5)O3的化学计量比配料，其中，x为0.01～0.1，经球磨、煅烧后制得粉料；再经球磨、烘干、造粒后压制成生坯；生坯于1080～1200℃烧结，烧渗制备电极，制得超宽温低损耗陶瓷电容器介质材料。本发明工作温度为100℃～450℃，
本发明公开了一种水溶性含铌化合物的制备方法，先将五氧化二铌加入氢氟酸中，其摩尔比为1:10，水浴加热至其全部溶解，再向其中加入氨水，生成铌酸沉淀，再经抽滤、洗涤去除F-与NH4+；将铌酸沉淀加入柠檬酸水溶液中，其中五氧化二铌与柠檬酸的摩尔比为1:3～1:6，
本发明公开了一种中温烧结低损耗温度稳定型微波介质陶瓷材料，其化学式为：Zn0.84Ni0.16TiNb2O8-0.18TiO2；先将ZnO、NiO、Nb2O5和TiO2分别按化学计量比称量配料，球磨罐、烘干、过筛后于810℃煅烧，合成前驱体；再将前驱体压制成坯体，于1040～1120℃烧结，制成中温烧结低损耗温度稳定型微波介质陶瓷材料。
本发明公开了一种共面插指电极结构的介质压控微波变容管，在基底的上面依次设置有介质薄膜和插指电极；所述插指电极为Au、Pt或者Al金属制备而成；所述介质薄膜为(BaxSr1-x)TiO3简称BST、Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7简称BZN、Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7简称BMN的铁电或介电材料，采用物理方法或者化学方法制备。
本发明公开了一种透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法：采用固相烧结法制备Bi1.5MgNb1.5O7靶材，烧成温度为1150～1180℃；再将清洁干燥的氧化铟锡玻璃衬底放入磁控溅射样品台上；使用Ar和O2作为溅射气体，沉积得到Bi1.5MgNb1.5O7薄膜，再于氧气气氛炉中进行后退火处理；然后利用掩膜版在Bi1.5MgNb1.5O7薄膜上面制备金属电极。
本发明公开了一种低温烧结钛酸锶储能介质陶瓷材料，其化学式为(Sr0.9Mg0.1)(Ti0.96Zr0.04)O3+xmol%BaCuB2O5（0
本发明公开了一种新型多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料，原料组分及其摩尔百分比含量为ZnTi(Ta1-xNbx)2O8(x＝0.30，0.50)；制备步骤为：(1)配料；(2)球磨、烘干，过筛；(3)于750℃煅烧合成熔块；(4)将熔块中加入0.35～0.75％聚乙烯醇再球磨、烘干、过筛、压制成型(5)于1040～1140℃烧结(6)测试电性能。本发明提供了一种烧结温度为1040～1140℃，
本发明公开了一种中温烧结高品质因数的钛酸镁基微波介质陶瓷，制备步骤为：（1）将MgO，TiO2按MgTiO3的化学计量比称量配料、球磨；（2）烘干、过筛；（3）900℃下煅烧；（4）加入聚乙烯醇二次球磨；（5）烘干，过筛，压制成型，于1120℃-1200℃烧结；（6）物理及介电性能检测。本发明通过加入聚乙烯醇后二次球磨，得到了1140℃中温烧结、具有极高品质因数的MgTiO3基微波介质陶瓷材料
本发明公开了一种低损耗温度稳定型高频陶瓷电容器介质，化学式为(Bi1.8Zn0.2)(Zn0.6Nb1.4-2xSnxWx)O7，x＝0.02～0.05。先将原料Bi2O3、ZnO、Nb2O5、SnO2、WO3按上述化学式称量配料，经球磨、烘干、过筛、煅烧后合成主晶相；
本发明公开了一种低温烧结温度稳定型陶瓷电容器介质材料，其化学式为[Bi1.5(CaxZn1-x)0.5](Zn0.5Nb1.5)O7，x＝0.7～0.75；先将原料Bi2O3、Nb2O5、CaCO3、ZnO按上述化学式称量配料；经球磨、烘干、过筛，于750℃煅烧，合成主晶相；再外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，
本发明公开了一种低损耗多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO3粉体为基料，外加质量百分比为0.4～0.6％的MnCO3；0.6～1.8％的(NiO)1-x(NbO2.5)x，其中x＝0.6～0.8；0.5～3.0％的CaZrO3及4～7％的玻璃助熔剂。首先合成(NiO)1-x(NbO2.5)x化合物，再合成CaZrO3及合成玻璃助熔剂；再经过配料、造粒、成型、排胶后，于1140℃烧结，再于980℃～1050℃退火，获得性能优异的低损耗多层陶瓷电容器介质材料。
本发明公开了一种钛酸锶钡介质薄膜的制备方法：将配置好的钡-锶-柠檬酸-乙二醇溶液加入到钛-柠檬酸-乙二醇水溶液中，得到钛酸锶钡前驱体溶胶，再将该前躯体溶胶均匀涂覆在基底上，得到多层薄膜，再予以干燥，于550～750℃热处理；并重复涂覆和热处理，直至薄膜厚度为300nm；
本发明公开了一种透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管及其制备方法，化学式为BaxSr1-xTiO3，其中x﹦0.5～0.7；首先采用固相烧结法于1350～1500℃烧制BaxSr1-xTiO3靶材，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar和O2作为溅射气体，沉积得到BaxSr1-xTiO3，其中x﹦0.5～0.7的薄膜；再于氧气气氛中进行后退火处理，再于薄膜上面制备金属电极，制得透明钛酸锶钡基薄膜压控变容管。
本发明公开了一种高品质因数的钛酸镁基微波介质陶瓷，其表达式为Mg0.97Zn0.03+xTiO3+x，其中-0.010≤x≤0.050；以MgO,TiO2和ZnO为原料，采用简单固相法，于900～1150℃预烧，于1225℃-1325℃烧结。其介电常数εr为16.91～17.69，品质因数Q×f为134430～277448GHz，谐振频率温度系数τf为-65.45～--47.87×10-6/℃的。本发明省去粉料二次球磨，简化了材料的制备工艺，节省了时间成本和能源成本。
本发明公开了一种中温烧结多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO3粉体为基料，在此基础上，外加质量百分比为0.3～0.6％的Na0.5Bi0.5TiO3；0.6～1.5％的(NiO)1-x(NbO2.5)x，其中x＝0.6～0.8；1.0～3.0％的CaZrO3及4～7％的玻璃助熔剂；所述Na0.5Bi0.5TiO3，是将Na2CO3、Bi2O3和TiO2按摩尔量比为1:1:4合成。本发明通过钛酸铋钠及玻璃助熔剂的添加，可有效促进烧结过程中的传质，
本发明公开了一种低损耗多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO3粉体为基料，在此基础上，外加质量百分比为0.4～0.6％的MnCO3；0.6～1.8％的(NiO)1-x(NbO2.5)x，其中x＝0.6～0.8；0.5～3.0％的CaZrO3及4～7％的玻璃助熔剂；所述(NiO)1-x(NbO2.5)x化合物，是将NiO和Nb2O5按摩尔比1-x：x/2，其中x＝0.6～0.8合成。
本发明公开了一种中温烧结多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法，在BaTiO3基础上，外加质量百分比含量为0.8～1.5%的Ni1-xNbxO1+1.5x，其中x=0.6～0.8（由NiO和Nb2O5按摩尔比(1-x)：(x/2)合成）、0.2～0.5%的Mn1-yNbyO1+1.5y，其中y=0.4～0.6（由NiO和Nb2O5按摩尔比(1-x)：(x/2)合成）、0.2～1.5%的CaZrO3（由CaCO3和ZrO2按摩尔比1:1合成）和4～7%的玻璃助熔剂
本发明公开了一种有效提高钛酸钡基介质材料居里温度的方法，先按Na2CO3、Bi2O3和TiO2的摩尔量比为1:(0.95～0.65):2进行配料，球磨后烘干，再于950℃煅烧，制得钛酸铋钠粉末，再以15～20wt%加入到钛酸钡中，再经球磨后过筛造粒，压制成生坯，于1200℃～1240℃烧结，制得钛酸钡基介质材料。本发明能有效提高钛酸钡基介质材料的居里温度（最高达到200℃），可使MLCC在高温环境（>150℃）中依然保持稳定的介电性能。
本发明公开了一种图形化氧化物介质薄膜的方法，（1）清洗基片及光刻显影；（2）将附有图形化的光刻胶基片用氮气吹干并放入磁控溅射仪的真空室中；（3）当磁控溅射的真空度<9×10-6Pa时，开启磁控溅射仪的直流电源，通入工作气体，进行金电极溅射；（4）步骤（3）停止后，取出基片，在丙酮或酒精中对基片进行剥离，剥离后得到图形化的电极；（5）重复步骤（1）的光刻、显影，将图形化的电极放入真空室中，
本发明公开了一种片式电容器的高温测试夹具，在绝缘基板的上面设置有底电极，底电极的上面设置有底电极接线螺栓；绝缘基板的上面还设置有n个弧状弹性紫铜片的顶电极，且1﹤n﹤20，其一端固定在绝缘基板的上面，另一端与底电极紧密接触；顶电极与底电极紧密接触的中间放置有待测样品；绝缘基板的上面还设置有开路补偿顶电极；通过高温导线与外界的电容测试仪相连接。
本发明公开了一种TiO2/TiO2Au/Au结构Au电极的制备方法，先将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中，装上Ti和Au靶材；然后对Ti靶材进行溅射，制备TiO2层；再同时对Ti和Au靶材进行溅射，制备TiO2Au混合层；再对Au靶材进行溅射，Au层的沉积厚度为50nm-1000nm；
本发明公开了一种具有较厚Au电极的制备方法，电极结构为Ti/TiAu/Au，先将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中，装上Ti和Au靶材；然后对Ti靶材进行溅射，再同时对Ti和Au靶材进行溅射，再对Au靶材进行单独溅射，Au层的沉积厚度为50nm-1000nm；最后取出基片对其进行剥离
本发明公开了一种超宽工作温度范围的多层陶瓷电容器介质及其制备方法，其原料组成及质量比为：Na0.5Bi0.5TiO3：BaTiO3：Nb2O5=1：4.0～7.0：0.1～0.15；所述Na0.5Bi0.5TiO3的原料组成及质量比为Na2CO3：Bi2O3：TiO2=3：15：10；外加质量百分比为1.0～2.0%的MgO，3.0～6.
本发明公开了一种具有磁介电效应的多铁性复合陶瓷材料，其化学式为NaNbO3-NiFe2O4，摩尔比为1:1；以Na2CO3、Nb2O5、NiO和Fe2O3为原料，采用固相法，经配料、球磨、于900~1150℃予烧，再经压制成型，于1100℃~1200℃烧结。本发明具有均匀性好、粗糙度小、无微裂纹，性能稳
本发明公开了一种介电可调的铌酸铅薄膜材料，其化学式及摩尔含量为：PbxNb2O5+x其中x=1.05～1.35。制备方法为：首先制备铅和铌的柠檬酸水溶液，再于该溶液中加入乙二醇，得前驱体溶胶；再将前躯体溶胶滴在基片上，经匀胶，干燥，热处理，重复制备多层薄膜，再于500~700℃
本发明公开了一种新型中介电常数微波多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷，其化学式为NiTiNb2O8，采用NiO、Nb2O5和TiO2为原料；经过配料、混合、球磨、烘干，过筛，于880℃合成熔块，再外加聚乙烯醇、球磨、烘干、过筛、压制成坯体，于1080～1150℃烧结，制得多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷；本发明介电常数为50～60，品质因数为17,000～21,100GHz，谐振频率温度系数为76.7～80.0×10-6/℃；制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
本发明公开了一种铌酸铋镁纳米粉体的制备方法，步骤为：(1)配制铌的柠檬酸水溶液(2)向铌的柠檬酸水溶液中加入乙二醇(3)配制镁和铋的乙二醇溶液(4)将步骤(3)铋的乙二醇溶液和镁的乙二醇溶液加入步骤(2)配置的液体中，搅拌均匀得铋镁铌溶胶；将铋镁铌的溶胶置于80～120℃烘干，形成干凝胶；再将干凝胶于550～750℃热处理得到铌酸铋镁(Bi1.5MgNb1.5O7)纳米粉体。
本发明公开了一种多层陶瓷电容器介质，配方为：{[(1-x)BaTiO3+xNBT]+ywt％Nb2O5}+zwt％MgO+a wt％Glass+b wt％RE2O3+c wt％MnCO3；其中：x＝0.1～0.25；为[(1-x)BaTiO3+xNBT]的摩尔百分比含量；y＝2.2～2.8，是在[(1-x)BaTiO3+x NBT]的基础上，
本发明公开了一种采用反应烧结法制备高Q值钛酸镁基微波介质陶瓷的方法，步骤如下：(1)按照钛酸镁基微波介质陶瓷的原料组分及其质量百分比含量为MgTiO3-mwt％MO进行配料，其中：MO为添加剂CoO、NiO、ZnO、MnO2、ZrO2或者SnO2，0≤m≤10；
本发明公开了一种铌酸铋镁介质薄膜的制备方法，步骤为：(1)配制铌的柠檬酸水溶液；(2)向上述水溶液中加入乙二醇，加热搅拌；(3)配制镁和铋的乙二醇溶液；(4)将配置的镁和铋的乙二醇溶液加入到步骤(2)的液体中，得铋镁铌溶胶；(5)向铋镁铌溶胶中加入乙醇，加热搅拌得到铋
本发明公开了一种溶胶凝胶技术制备钽酸镁微波陶瓷粉体的方法，步骤如下：(1)配制钽的柠檬酸水溶液，柠檬酸与钽离子的摩尔比为2∶1～6∶1；(2)配制镁的柠檬酸水溶液，柠檬酸与硝酸镁的摩尔比为5∶1～10∶1，pH值为3～5；(3)制备Mg-Ta前驱体溶液、干凝胶以及纳米粉体。
本发明公开了一种具有超高介电常数的高频介质陶瓷，其原料组分及质量百分比含量为Ag2O 38～45％、Nb2O5 18～47％、Ta2O5 8～44％，在此基础上外加质量百分比含量为0.5～6.0％的CaF2。 制备步骤为：(1)配料、球磨；(2)烘干；(3)煅烧、合成(Nb，Ta)2O5前驱体；(4)二次配料，经球磨、煅烧，形成熔块Ag(Nb，Ta)O3；(5)添加CaF2，经球磨、烘干、制得陶瓷粉料；(6)压制生坯；(7)烧结制得介质陶瓷。本发明在中温下烧结(1060～1150℃)，
本发明公开了一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法，在玻璃衬底(1)上依次设置有ITO薄膜(2)、BST薄膜(3)和ITO电极(4)；所述ITO薄膜(2)的化学式为SnxIn1-xO，其中0.02
本发明公开了一种氧化锌薄膜图形化的方法：首先清洗基片及光刻显影，获得图形化的光刻胶；再将基片放入真空室中，进行ZnO薄膜的沉积，薄膜厚度为100nm～200nm；最后在有机溶剂中对基片进行超声剥离，得到图形化的氧化锌薄膜。本发明的图形精度高，器件具有良好的导电性和透光性，流程简单，介电性能优良，具有良好的应用前景。
本发明公开了一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法：首先采用Bi2O3,MgO,Nb2O5和TiO2，以传统的固相反应法，制备Bi1.5Mg0.5Nb0.5Ti1.5O7简称BMNT陶瓷靶材；再通过磁控溅射方法制备厚度为100～300nm的BMNT薄膜；再于气氛炉中700℃后退火处理，最后在BMNT薄膜上面制备金属电极。本发明通过将钛离子掺入铋基材料中，优化了铋基薄膜的调谐性，在1MV/cm的驱动电压下，其调谐率达到35％，优于相同条件下BMN薄膜的调谐率(25％)，介电调谐率得到了明显的改善。
本发明公开了一种BMN介质薄膜微波压控电容器的制备方法，首先制备底电极，再通过旋涂-热处理的方法制备铌酸铋镁介质薄膜层，再对介质薄膜层图形化，并于其上制备顶电极；器件尺寸为(550～1200)×(250～600)μm2，电容有效面积为(20～200)×(20～200)μm2。本发明的制备工艺简单、易于实现；制品在微波频段下品质因子(Q值)较高，调谐率适中，器件稳定性好，为现代微波通信系统的开发和应用提供了优良的元器件基础。
Multifarious polarizations in high-performance colossal permittivity titanium dioxide ceramics
Magnesium fluoride doped MgTiO3 ceramics with ultra-high Q value at microwave frequencies
The annealing temperature and films thickness effect on the surface morphology, preferential orientation and dielectric prope
Colossal permittivity in BaTiO3-0.5wt%Na0.5Ba0.5TiO3 ceramics with high insulation resistivity induced by reducing atmosphere
Bond theory, terahertz spectra, and dielectric studies in donor-acceptor (Nb-Al) substituted ZnTiNb2O8 system
Oxygen vacancy regulation and its high frequency response mechanism in microwave ceramics
Investigation of chemical bonds in the ordered Ba3Zn(Nb2-xMox)O9+x/2 ceramics and its effects on the microwave performance
The effect of segregation structure on the colossal permittivity properties of (La0.5Nb0.5)xTi1-xO2 ceramics
Crystal structure, mixture behavior, and microwave dielectric properties of novel temperature stable (1？x)MgMoO4？xTiO2 compos
Energy storage properties and relaxor behavior of lead-free Ba1？xSm2x/3Zr0.15Ti0.85O3 ceramics
Preparation and investigation of nano-thick FTO/Ag/FTO multilayer transparent electrodes with high figure of merit
A new low-loss dielectric material ZnZrTa2O8 for microwave devices
Microwave dielectric properties of (1-x)MgTiO3-x(Ca0.6Na0.2Sm0.2)TiO3 ceramic system
Microstructure and microwave dielectric characteristics of the CaxZn1xTiNb2O8 temperature stable ceramics
A new microwave dielectric material ZnZr0.8Sn0.2Nb2O8
Crystal structure and microwave dielectric properties of novel (1-x)ZnZrNb2O8-xTiO(2) ceramics
Crystal structure and microwave dielectric properties of the low dielectric loss ZnZr1-xSnxNb2O8 ceramics
Effect of Sn4+ and W6+ substitution on the dielectric properties of Bi2O3-ZnO-Nb2O5-based low firing ceramics
Effects of dwell time on dielectric properties and diffuse phase transition behavior of Li2CO3 doped BaZr0.2Ti0.8O3 ceramic
Dielectric properties and diffuse phase transition behavior of CuO-doped lead-free Ba(ZrxTi1-x)O-3 ceramics
The effect of bimodal model on the ultra-broad temperature stable BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3-Nb2O5 system
The microscopic mechanism in the realization of ultra-wide temperature range stability in Bi3+, Na+, Zn2+, Nb5+ doped BaTiO3
Investigations of the divalent metal ions Zn2+, Co2+, Ni2+ doped ultra-wide temperature stable BBNN system
The relationship between the micro-mechanism and macroscopic dielectric properties in Ba1-xBixTi1-x-yZn0.75xW0.25x+yO3+y syst
Preferential orientation, microstructure and functional properties of SnO2:Sb thin film: The effects of post-growth annealing
Phase constitution, microstructures and microwave dielectric properties of CaxZn1xZr0.8Sn0.2Nb2O8 ceramics
High-Q microwave dielectrics in wolframite magnesium zirconium tantalate ceramics
Microwave dielectric properties of 0.93Mg0.95Zn0.05TiO3-0.07(Ca0.8Na0.1La0.1)TiO3ceramic system
Effects of substrate on the crystalline structure and microwave dielectric properties of Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7 sol–gel thin films
A microwave dielectric material Mg0.5Zn0.5ZrNb2O8
Influence of LaAlO3 additive to MgTiO3-CaTiO3 ceramics on sintering behavior and microwave dielectric properties
Structures, Phase Transformations, and Dielectric Properties of (1-x)Bi2Zn2/3Nb4/3O7 - x Bi1.5NiNb1.5O7 Pyrochlore Ceramics P
Effect of deposition pressure on the dielectric properties of bismuth magnesium niobium titanium thin films prepared by RF ma
Effect of film orientation on the dielectric properties of bismuth magnesium niobate thin films prepared by RF magnetron sput
A temperature stable microwave dielectric material Ni0.35Zn0.65TiNb2O8
ZnO-doped BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3-Nb2O5-based ceramics with temperature-stable high permittivity from-55 degrees C to 375 degre
The effect of glass addition on the ultra-broad temperature stability of BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3-Nb2O5-based ceramics
Effect of rf power on the dielectric properties of bismuth magnesium niobium titanium thin films deposited by RF magnetron sp
Characteristics of Transparent Conducting W-Doped SnO2 Thin Films Prepared by Using the Magnetron Sputtering Method
Investigation on tunable performance of BMN/BST multilayer and BMN–BST composite thin films
Enhanced tunable properties of Bi1.5MgNb1.5O7 thin films grown on Pt-Si substrates using amorphous TiOx buffer layers
Ba0.6Sr0.4TiO3-Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7 composite thin film capacitors with enhanced tunable performance for tunable device applicat
Microwave dielectric properties of ZnO-doped MgTiO3-(K0.5La0.5)TiO3 ceramic system
A new microwave dielectric material ZnZrNbTaO8
A？new？microwave？dielectric？material？LiNi0.5Ti0.5O2
A？novel？low-loss？spinel？microwave？dielectric？ceramic？CoZnTiO4
Multilayer thin films with periodic compositional PbZr0.52Ti0.48O3/Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7 layers for tunable application
Synthesis and characterization of high performance CaZrO3-doped X8R BaTiO3-based dielectric ceramics
Microstructure and microwave dielectric characteristics of (Zn1-xCox)ZrNb2O8 ceramics
Effects of sintering temperature on the microstructure and dielectric properties of BaZr0.2Ti0.8O3 ceramics
Influence of CaTiO3 modification on microstructures and microwave dielectric properties of Mg0.97Zn0.03TiO3 ceramics doped wi
Fully transparent thin–film varactors: fabrication and performance
High dielectric constant and good thermal stability from-55 degrees C to 450 degrees C in BaTiO3-based ceramics
Effect of oxygen pressure on preferential orientation, microstructure and functional properties of Bi1.5MgNb1.5O7 thin films
Synthesis and characterization of X8R BaTiO3-based dielectric ceramics by doping with NiNb2O6nanopowders
Microwave dielectric properties of novel temperature stable high Q MgZr1+xNb2O8+2x ceramics
Effects of B2O3 additive on sintering behavior and microwave dielectric properties of LaAlO3-doped MgTiO3-CaTiO3 ceramics
LaAlO3 doped (Mg0.95Zn0.05)TiO3-CaTiO3 ceramic system with ultra-high-Q and temperature-stable characterization
Microstructure and microwave dielectric characteristics of ZnZrNb2O8 and (Zn0.95M0.05)ZrNb2O8 (M = Ni, Mg, Co and Mn) ceramic
Structure and properties analysis for Zn3Nb2O8and (Zn0.95M0.05)3Nb2O8 (M=Ni,Co, Mg and Mn) microwave dielectric materials
Super-broad temperature stability achieved by la-doped BaTiO3–Bi0.5 Na0.5TiO3–Nb2O5 based ceramics
Fabrication and characterization of electric field tunable Bi1.5MgNb1.5O7 transparent capacitors
Optimization of SnO2/Ag/SnO2 tri-layer films as transparent composite electrode with high figure of merit
Structural characterization and frequency response of sol-gel derived Bi3/2MgNb3/2O7 thin films
An ultra-broad working temperature dielectric material obtained with Praseodymium doped BaTiO3-(Bi0.5Na0.5)TiO3-Nb2O5 based c
Effect of Zn-excess on sintering behavior and microwave dielectric properties in Mg0.97Zn0.03TiO3 ceramics
Enhanced dielectric and electrical properties in CaZrO3-doped X8R BaTiO3-based ceramics sintered at medium temperature
Improved dielectric properties of (Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7 by the substitution of Zn2+ on the A site based on the structure
Effect of Sn4+ substitution on the dielectric properties of Bi2O3–ZnO–Nb2O5 pyrochlores
Effect of substrate on the dielectric properties of bismuth magnesium niobate thin films prepared by RF magnetron sputtering
Effect of thickness on the dielectric properties of bismuth magnesium niobium thin films deposited by rf magnetron sputtering
Structure analysis and microwave dielectric properties of CaxZn1？xSn0.08Ti1.92Nb2O10 ceramics
Microstructure and microwave dielectric characteristics of ZnTi(Nb1-xSbx)2O8 ceramics
Structural, electrical, photoluminescence and optical properties of n–type conducting, phosphorus-doped ZnO thin films prepar
Investigation on preparation and electric field tunable dielectric properties of novel bismuth magnesium niobate transparent
Structures, phase transformations, and dielectric properties of Bi-2(Zn1-xMgx)(2/3)Nb4/3O7 pyrochlore ceramics as temperature
Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7/Ba0.6Sr0.4TiO3 bilayer thin films prepared by pulsed laser deposition
Characterization of SnO2/Cu/SnO2 multilayers for high performancetransparent conducting electrodes
Crystal Structures, Phase Stability, and Dielectric Properties of the (1-x)Bi3/2MgNb3/2O7 -xBi2Zn2/3Nb4/3O7 Ceramic
Decisive role of MgO addition in the ultra-broad temperature stability of multicomponent BaTiO3-based ceramics
Investigation of low resistance transparent F-doped SnO2/Cu bi-layer films for flexible electronics
Effects of substrate temperature on the dielectric properties ofBi1.5MgNb1.5O7 thin films derived from pulsed laser depositio
Effect of Gd amphoteric substitution on structure and dielectric properties of BaTiO3-based ceramics
Ultra-broad temperature stability obtained with Ce-doped BaTiO3-based ceramics
Magnetodielectric effect in NaNbO3–NiFe2O4 particulate composite
Transparent conductive Sb-doped SnO2/Ag multilayer films fabricated by magnetron sputtering for flexible electronics
Resonance Magnetoelectric Effect in NaNbO3–NiFe2O4 Composite
Preparation and dielectric properties of BaCu(B2O5)-doped SrTiO3-based ceramics for energy storage,
Fabrication of p-type SnO2 films via pulsed laser deposition method by using Sb as dopant
Temperature Crystallized Voltage Tunable Bi1.5CuxMg1-xNb1.5O7 Thin Films Capable of Integration with Au Electrode
Large bandwidth dual frequency microstrip patch antenna using (Zn0.4Mg0.6)2SiO4 ceramics as substrate
Structure and Voltage Tunable Dielectric Properties of Sol–Gel Derived Bi1.5MgNb1.5O7 Thin Films
A Low Sintering Temperature Low Loss Microwave Dielectric Material ZnZrNb2O3
Phase constitution, structure analysis and microwave dielectric properties of Zn0.5Ti1？xZrxNbO4 ceramics
A New Temperature Stable Microwave Dielectric Material Mg0.5Zn0.5TiNb2O8
Dielectric relaxation in LiNbO 3–MgAl 2 O 4 nanocomposite
An Ultra-Broad Working Temperature Dielectric Material of BaTiO3-Based Ceramics with Nd2O3 Addition
Crystal structure and microwave dielectric properties of Zn0.9Ti0.8？xSnxNb2.2O8 ceramics
Effects of Zn/Mg Ratio on the Microstructure and Microwave Dielectric Properties of (Zn1-xMgx)2SiO4 Ceramics.
Enhanced tunability of Bi3/2MNb3/2O7 (M=Zn, Mg, Ni) thin films
Structure and properties analysis for low-loss (Mg1？xCox)TiO3 microwave dielectric materials prepared by reaction-sintering m
Dielectric properties and electrical behaviors of tunable Bi1.5MgNb1.5O7 thin films
A new microwave dielectric material Ni0.5Ti0.5NbO4
Relationship Between Bond Ionicity, Lattice Energy, and Microwave Dielectric Properties of Zn(Ta1-xNbx)2O6 Ceramics
Phase Evolution, Bond Valence and Microwave Characterization of (Zn1-xNix)Ta2O6 Ceramics
Raman Scattering, Electronic Structure and Microwave Dielectric Properties of Ba([Mg1-xZnx]1/3Ta2/3)O3 Ceramics
Doping behaviors of NiO and Nb2O5 in BaTiO3 and dielectric properties of BaTiO3-based X7R ceramics
Composite dielectrics (1？y)(Mg1？xZnx)1.8Ti1.1O4–yCaTiO3 suitable for microwave applications
Structure and properties analysis for MgTiO3 and (Mg0.97M0.03)TiO3 (M=Ni, Zn, Co and Mn) microwave dielectric materials.
Correlation between crystal structure and properties of ultra-high dielectric constant ceramics SrCO3-Bi2O3-Ag(Nb,Ta)O3
Sintering behaviour and microwave dielectric properties of sol-gel synthesized (Zn0.4Mg0.6)2SiO4 ceramics
Correlation of crystal structure and microwave dielectric properties for ZnTi(Nb1-xTax)2O8 ceramics
Influence of Bi2O3 addition on structure and dielectric properties of Ag(Nb0.8Ta0.2)O3 ceramics
A microwave dielectric material for microstrip patch antenna substrate
Synthesis, characterization, and microwave dielectric properties of Mg4Nb2O9 ceramics produced through the aqueous sol-gel pr
Reaction-sintering method for ultra-low loss (Mg0.95Co0.05)TiO3 ceramics
New Low-Loss Microwave Dielectric Material ZnTiNbTaO8.
Correlation of crystal structure and microwave dielectric properties for Zn(Ti1？xSnx)Nb2O8 ceramics
B2O3 additives on sintering and microwave dielectric behaviors of Mg4Nb2O9 ceramics synthesized through the aqueous sol–gel P
Effects of CaF2 addition on sintering behavior and microwave dielectric properties of ZnTa2O6 ceramics
Structural dependence of microwave dielectric properties of ixiolitestructured ZnTiNb2O8 materials: crystal structure refinem
Low Temperature Synthesis and Characterisation of Aqueous Sol–Gel Derived Bi1.5MgNb1.5O7 Nanopowders
