西安电子科技大学微电子学院导师教师师资介绍简介-宋建军

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本站小编 Free考研考试/2021-07-10

基本信息
姓名职位：宋建军副教授
硕导或博导：硕导
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：材料学
工作单位：西安电子科技大学微电子学院

联系方式
通信地址：西安电子科技大学397信箱
电子邮箱：jianjun_79_81@xidian.edu.cn
办公电话：
办公地点：

个人简介
分别于2005年3月和2008年12月，在西安电子科技大学获得硕士和博士学位，现在西安电子科技大学微电子学院从事微电子专业的科研和教学工作。主持、参与国家部委科研项目多项，在国内外核心刊物及国内外学术会议发表学术论文五十余篇，获授权国家专利多项。

当前主要研究方向
1．半导体器件与电路仿真技术
基于硅基器件与电路的设计与仿真，研究建立硅基器件等效电路模型及其参数模型，制定参数提取策略和方法、实现器件模型参数的提取和仿真。该方向培养的学生基础扎实、实践能力强，就业前景好。
2．低维半导体材料及器件物理
基于量子理论及固体物理，重点研究1维、2维半导体材料物理及器件电学特性。该方向培养的学生理论功底扎实，进一步深造的前景好。

科学研究
主持、参与的科研项目及成果：
1、ZnO压敏瓷性能提升关键技术研究
通过复合纳米添加湿法工艺，成功制备出了高通流能力的ZnO压敏防雷瓷片，该成果已获得应用。
2、Si 基外延生长动力学及UHVCVD设备
建立了UHVCVD系统应变材料外延生长动力学模型，提出了UHVCVD系统反应室抽真空工艺制度。
3、应变材料能带结构及载流子迁移率研究
突破了应变能带kp模型中大量符号Hamilton矩阵本征值的求解问题，提出并实现了应变材料能带结构的解析求解方案；
深入研究了应变材料载流子（电子、空穴）各散射机制，建立了应变材料载流子迁移率与晶面、晶向及应力的理论模型。

4、应变MOS反型层能带结构及载流子迁移率研究

提出了结合有限差分的包络函数方法，突破了单轴应变Si PMOS反型层价带百阶符号矩阵本征值的算法及实现方法。

采用基于三角形势阱近似的包络函数方法，解决了量子化效应致应变NMOS反型层子带电子有效质量变化的关键问题。

5、全平面应变TF-SOI BiCMOS设计与实现
5.1 SOI SiGe HBT频率特性
SOI SiGe HBT特征频率与掺杂浓度、集电极电流之间的关系
SOI SiGe HBT最高振荡频率与集电极电流之间的关系
SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT频率特性比较
5.2 SOI SiGe HBT线性度

SOI SiGe HBT正向厄利电压与集电区掺杂浓度及BC结反偏电压之间的关系
SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT正向厄利电压之间的比较
SOI SiGe HBT反向厄利电压与EB结反偏电压之间的关系
5.3 全平面应变BiCMOS设计

学术论文
Sci检索期刊论文
[1]Song Jianjun, Zhang Heming, Hu Huiyong, Dai Xianying, and Xuan Rongxi, Determination of conduction band edge characteristics of strained Si/Si_1-xGe_x, Chinese Physics，2007 16(12): 3827-3831
[2]宋建军、张鹤鸣、戴显英、胡辉勇、宣荣喜，第一性原理研究应变Si/(111)Si_1-xGe_x能带结构，物理学报，2008 57(9): 5918-5922
[3]宋建军、张鹤鸣、戴显英、胡辉勇、宣荣喜，应变Si价带色散关系模型，物理学报，2008 57(11): 7228-7232
[4]Song JianJun，Zhang HeMing，Hu HuiYong，Fu Qiang，Calculation of band structure in (101)-biaxially strained Si，Science In China，2009 52(4): 546-550
[5]宋建军，张鹤鸣，胡辉勇，宣荣喜，戴显英，应变Si_1-xGe_x能带结构研究，物理学报，2009 58(11): 7947-7951
[6]宋建军，张鹤鸣，宣荣喜，胡辉勇，戴显英，应变Si/(001)Si_1-xGe_x空穴有效质量各向异性，物理学报，2009 58(7)：4958-4961
[7]宋建军，张鹤鸣，胡辉勇，宣荣喜，戴显英，应变Si_1-xGe_x/(111)Si空穴有效质量模型，物理学报，2010 59(1): 579-582
[8]宋建军，张鹤鸣，胡辉勇，戴显英，宣荣喜，应变Si/(001)Si_1-xGe_x本征载流子浓度模型，物理学报，2010 59(3): 2064~2067
[9]Song JianJun，Zhang HeMing，Hu HuiYong，Dai XianYing, Xuan Rongxi, Valence band structure of strained Si/(111)Si_1-xGe_x, Science In China, 2010 53(3): 454~457
[10]宋建军，张鹤鸣，戴显英，宣荣喜，胡辉勇，不同晶系应变Si状态密度研究，物理学报，2011 60(4): 047106
[11]宋建军，张鹤鸣，胡辉勇，王晓艳，王冠宇，四方晶系应变Si空穴散射机制，物理学报，2012 61(5): 057304
[12]SONG JianJun, ZHANG HeMing, HU HuiYong, WANG XiaoYan & WANG GuanYu, Hole Mobility Enhancement of Si by Rhombohedral Strain, Science in China, Physics Mechanics and Astronomy, 2012 55(8):1399-1403
[13]SONG JianJun, YANG Chao, ZHANG HeMing, HU HuiYong, ZHOU CHunYu & WANG Bin, Longitudinal, Transverse, Density-of-States, and Conductivity Masses of Electron in (001), (101) and (111) Biaxially-Strained-Si and Strained-Si_1-xGe_x, Science in China, Physics Mechanics and Astronomy, 2012 55(11):2033-2037
[14]Song Jian-Jun, Yang Chao, Wang Guan-Yu, Zhou Chun-Yu, Wang Bin, Hu Hui-Yong, and Zhang He-Ming，Conduction Band Model of [110]/(001) Uniaxially Strained Si，Japanese Journal of Applied Physics, 2012 51(10):104301
[15]Song Jian-Jun, Yang Chao, Hu Hui-Yong, Dai Xian-Ying, Wang Cheng and Zhang He-Ming，Penetration Depth at Various Raman Excitation Wavelengths and Stress Model for Raman Spectrum in Biaxially-Strained Si,Science in China, Physics Mechanics and Astronomy,2013 56(11): 1–6
[16]宋建军，杨超，朱贺，张鹤鸣，宣荣喜，胡辉勇，舒斌，SOI SiGe HBT结构设计及频率特性研究，物理学报
Ei检索期刊论文
[1]宋建军，张鹤鸣，舒斌，胡辉勇，戴显英，K.P dispersion relation near Δⁱ valley in Strained Si_1-xGe_x/Si，半导体学报，2008 29(3) 442-446
[2]Song Jianjun, Zhang Heming, Hu Huiyong, Dai XianYing, Xuan Rongxi, Chinese Journal of Semiconductors, Calculation of band edge levels of strained Si/(111)Si_1-xGe_x, 2010 31(1): 012001-3
[3]Song Jianjun,Zhang Heming, Dai Xianying, Hu Huiyong and Xuan Rongxi, Chinese Journal of Semiconductors, Band edge model of (101)-biaxial strained Si, 2008 29(9): 1670-1673
[4]Song Jianjun,zhu He,Zhang Heming,Dai Xianying,Hu HuiyongandXuan Rongxi,Model of Averaged Hole Mobility of Biaxially Strained Si,Journal of semiconductor, 2013 34(8): 1-4
ISTP检索会议论文
[1]JianJun Song, HeMing Zhang, HuiYong Hu, XianYing Dai, RongXi Xuan, Study on Hole Effective Mass of Strained Si_1-xGe_x/(101)Si，IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2009, Xi’an
[2]Jian-Jun Song, He-Ming Zhang, Hui-Yong Hu, Xian-Ying Dai, Rong-Xi Xuan, Intrinsic carrier concentration in strained Si_1-xGe_x/(101)Si, Materials Science Forum 2011 663-665: 470-472
[3]Jian-Jun Song, Heng-Sheng Shan, He-Ming Zhang, Hui-Yong Hu, Xian-Ying Dai, Rong-Xi Xuan, Model of DOS near the Top of Valence Band in Strained Si_1-xGe_x/(001)Si, Applied Mechanics and Materials, 2011 55-57: 979-982
[4]JianJun Song,Sun Liu, HeMing Zhang, Design and implementation of High-Speed Dual-Modulus, Applied Mechanics and Materials 2012 109: 271-275
[5]Jian-Jun Song, Hua-Ying Wu, He-Ming Zhang, Model of electron scattering of strained Si/Si_1-xGe_x(100), Applied Mechanics and Materials 2012 110-116 3338-3342
[6]ian-jun Song,Shuai Lei, He-ming Zhang, Anisotropic Hole Mobility in Strained Si_1-xGe_x/(001)Si, Solid State Phenomena 2012 181-182: 388-392
专利
[1]宋建军、王冠宇、张鹤鸣、胡辉勇、宣荣喜、周春宇。异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构（ZL20**890，授权时间：2013年2月）
[2]宋建军、王冠宇、张鹤鸣、胡辉勇、宣荣喜。多晶Si_1-xGe_x/金属并列覆盖双栅SSGOI nMOSFET器件结构（ZL72960，授权时间：2013年1月）
[3]宋建军、王冠宇、张鹤鸣、胡辉勇、宣荣喜、周春宇。一种垂直交叉堆叠栅应变SiGeC量子阱沟道CMOS器件结构（ZL20**830，授权时间：2013年2月）

荣誉获奖
应变Si材料与CMOS关键技术研究，教育部科学技术进步二等奖。

科研团队
硕士研究生
2012级：杨超，胡时舜，张波，曹世伟
2013级：朱贺，李佳楠，刘亚光，田春雷，张延年

课程教学
目前本人承担的教学任务：量子力学
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