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上海交通大学2010年827材料科学基础考研试题(回忆版)

上海交通大学 /2013-01-13

这么快试就考完了,跟做梦似的,结果很不好,过的可能是不大了,今晚一晚都没睡,睡不着,脑子现在都昏的不行了,虽然我成功的几率几乎为零,还是希望能给自己的考研之路留下点结果,将我记忆的材料基础真题写到这,希望对大家有些帮助。
交大材料的历年考题都很简单,也很基础,今年也一样,可也说非常简单,仍是25道选择,大题有5道,先说大题吧:
(1)很简单 在面心立方中画(1,-1,-1)密排面和其上[110]晶向,在体心立方中画(110)密排免和其上一个密排晶向【】,晶向指数可能不太对,不过就是密排面和密排晶向,这题很简单,但我理解错了,15分,所以很痛苦。
(2)画出铁碳相图,并标清各相区,再写出所有存在的恒温反应。
(3)扩散,很简单的用阿雷尼乌斯方程直接带计算结果
(4)位错反应,很简单,在各种材料辅导书中都很常见,交大真题也考了好多年
(5)这个是第十章的题,简单说明,金属、绝缘体、半导体电导率存在差别的原因。
选择有25个,只能大致能记多少说多少了:
1、下列哪个晶向在一个晶面上,就是考晶带定律
2、下列晶体不属于面心立方点阵(一个选项中列了三种如镁、铝、炭、让你选)
3、下列哪个是密排结构(A。铝,B镁,C想不起来了)
4、有序固溶体的组态熵(A,大于0.B,小于0,C等于0)
5、室温下能稳定存在的是(A、位错,B、晶界,C、空位)其实就是点缺陷有平衡浓度,是热力学稳定的缺陷
6、晶体都是有密排面按一定的顺序堆垛而成的,下列哪些是发生了层错(很简单,ABCABC....,或ABAB.....排列是正常的,不选就行了)
7、俩个垂直的刃型位错交割,(一定会,可能会,不会)形成割接
8、单晶体临界分切应力与(拉应力位向、金属材料、拉伸屈服应力)哪个有关、这个应该是材料,是表征材料的特征,不要选那俩个,这在交大的题库选择题里有个原题
9、细化晶粒可是其(屈服强度、抗拉强度、断裂强度)哪个提高
10、对称元素-3可以看做是(3+i)
11、晶粒长大可近似(时间的根号成正比)
12、粗糙界面大约各有有多少(1、二分之一、四分之一)原子,使自由能最低
13、固溶体非平衡凝固使凝固温度(高于、低于、等于)平衡凝固温度
14、合金凝固时,增加杂质含量会增加凝固温度范围,从而有利于形成(平面状,胞状还是树枝)
15,三元相图恒温反应平面,必包括(俩相,三相,四相)
16、金属经高温淬火在室温是会形成大量过饱和空位,为了说明最好用哪种方法检验(金相法,电阻法,膨胀法)
17、金属呈现颜色主要与(吸收波,反射波,投射波)波长有关
恩只记住这么多了,其他的记不清了,不过大家也别担心,看了上面的题以及交大以前的题,会发现都很简单,很基础,其他的都让人没印象,肯定也非常简单才没什么印象,上面的题号基本是按顺序来的,也有些反了,不过交大出题是按章节来的,从前到后,大家自己对着以前真题看下就会明白。
这俩天考试弄的我很失落,努力了一年,还是失败的结果,今晚实在是不想睡,到现在,马上学校还要做实验,匆匆写这么点,希望对要考交大材料的同学有帮助,我在复习时也受到了许多认识或不认识的人帮助,虽然不理想,但还是希望给别人些帮助,祝所有考研的人能够心想事成。
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一、选择题

1、六方晶向指数转换。指出所给选项中所给物质的均为面心立方点阵(每一选项有三种物质,这些物质都是书上第二章中介绍的物质包括金属和离子晶体。CaF2,Mg,NaCl,石墨,Cu,Fe的两种同素异构)

2、金属的颜色是由什么决定的(透射光,吸收光,反射光)

3、理想有序合金的组态熵(大于零,等于零,小于零)

4、选出所给的高分子材料为热塑性材料

5、临界分切应力于什么有关

6、热力学平衡条件下什么缺陷能够存在(晶界,空位,位错)

7、两个相互垂直的刃型位错形成割阶(一定会,可能会,不会)

8、细化晶粒能够提高(屈服强度,抗拉强度,断裂强度)

9、对于一面心立方的晶体中一螺型位错发生了交滑移选择合适的滑移面

10、多晶体再结晶晶粒长大过程中晶粒尺寸与时间的关系(D∝t,D∝t(2),D∝t(1/2))

11、扩散过程中无规行走R与时间和扩散系数的关系(R∝Dt,R∝(Dt)(1/2),R∝Dt(2))

二、应用题

1、分别画出体心立方晶胞和面心立方晶胞内的两个指定晶面和晶向。

2、画出Fe——Fe3C相图。标明各个相区。写出恒温反应的式。

3、题目中给出面心立方晶胞刃型位错线的晶向,同时给出柏氏矢量,证明这一位错是刃型的。并且写出其分解为扩展位错的反应式。

4、在Fe中渗碳。α—Fe扩散系数D0为0.2×10(-5),扩散激活能为84×10(3)。γ—Fe的D0为2×10(-5),扩散激活能为120×10(3)。计算α—Fe在900K和γ—Fe在1200K时的扩散系数。为了达到相同的渗碳层厚度。那种渗碳方式最节约时间。

5、金属具有高的导电率,绝缘体导电率很低,而半导体却适中。请解释一下具体原因

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2010年上海交通大学材料科学
一、选择题

1、六方晶向指数转换。指出所给选项中所给物质的均为面心立方点阵(每一选项有三种物质,这些物质都是书上第二章中介绍的物质包括金属和离子晶体。CaF2,Mg,NaCl,石墨,Cu,Fe的两种同素异构)

2、金属的颜色是由什么决定的(透射光,吸收光,反射光)

3、理想有序合金的组态熵(大于零,等于零,小于零)

4、选出所给的高分子材料为热塑性材料

5、临界分切应力于什么有关

6、热力学平衡条件下什么缺陷能够存在(晶界,空位,位错)

7、两个相互垂直的刃型位错形成割阶(一定会,可能会,不会)

8、细化晶粒能够提高(屈服强度,抗拉强度,断裂强度)

9、对于一面心立方的晶体中一螺型位错发生了交滑移选择合适的滑移面

10、多晶体再结晶晶粒长大过程中晶粒尺寸与时间的关系(D∝t,D∝t(2),D∝t(1/2))

11、扩散过程中无规行走R与时间和扩散系数的关系(R∝Dt,R∝(Dt)(1/2),R∝Dt(2))

二、应用题

1、分别画出体心立方晶胞和面心立方晶胞内的两个指定晶面和晶向。

2、画出Fe——Fe3C相图。标明各个相区。写出恒温反应的式。

3、题目中给出面心立方晶胞刃型位错线的晶向,同时给出柏氏矢量,证明这一位错是刃型的。并且写出其分解为扩展位错的反应式。

4、在Fe中渗碳。α—Fe扩散系数D0为0.2×10(-5),扩散激活能为84×10(3)。γ—Fe的D0为2×10(-5),扩散激活能为120×10(3)。计算α—Fe在900K和γ—Fe在1200K时的扩散系数。为了达到相同的渗碳层厚度。那种渗碳方式最节约时间。

5、金属具有高的导电率,绝缘体导电率很低,而半导体却适中。请解释一下具体原因 b     b   s. ka  o y a n .co    m
 

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