第一章模拟集成电路有源器件和模型。熟悉二极管、双极性晶体管、MOS晶体管及模型。第二章集成电路工艺和版图。熟悉N阱CMOS工艺流程；熟悉模拟集成电路版图，包括DRC、LVS、ERC；了解Latch Up效应及解决方法。第三章简单电流源和单级放大器设计。熟悉CMOS单级放大器设计，包括共源级放大器、共栅极放大器、源级跟随级、叠加放大器等。第四章集成电路噪声分析和模型。熟悉噪声分析的时域参数、频域参数；熟悉电路器件的噪声模型；第五章运算放大器设计和补偿。熟悉经典两级运算放大器的设计；掌握弥勒补偿原理和实现。第六章高性能电流源和运算放大器设计。掌握一种高性能电流源原理和设计实现；熟悉折叠－叠加运算放大器；熟悉全差分运算放大器；了解共模反馈电路。第七章比较器设计。熟悉比较器电路设计；熟悉比较器性能指标与仿真测试方法。第八章采样保持电路、电压源电路设计。熟悉采样保持电路；熟悉Bandgap电压源电路原理和设计。

(无)

平时作业：30％，论文报告：20％，期中考试：10％，期末考试：40％。

• 1. David Johns, Ken Martin, “Analog Integrated Circuit Design”, Wiley, 19972. Behzad Razavi, “Design of Analog CMOS Integrated Circuits”, McGraw-Hill Science, 20003. R. Jocab Baker, Harry W. Li, David E.Boyce, “CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation”, 机械工业出版社, 20034. Phillip E. Allen, Douglas R. Holberg, “CMOS Analog Circuit Design”, Second Edition, 电子工业出版社, 2002