姓名:
于伟东性别:
男
专家类别:
副研学历:
研究生
电话:
无传真:
无
电子邮件:
无个人主页:
无
邮政编码:
200050通讯地址:
上海市定西路1295号


简历：
于伟东男，1970年出生，博士，中科院上海硅酸盐研究所副研究员，主要从事半导体氧化物薄膜物理性能及功能器件、纳米材料合成及其在传统陶瓷改性方面应用的研究。1990年～1997年在哈尔滨理工大学，攻读学士－硕士学位。1997年~2001年在哈尔滨工业大学材料系攻读工学博士学位，主要从事等离子体基离子注入和非平衡磁控溅射技术的研究。博士毕业后在中科院离子束重点实验室做博士后工作，主要从事SOI半导体材料、碳纳米管合成及其在新型显示器件中应用的研究。2002年底来中科院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室工作，主要进行从事半导体氧化物薄膜物理性能及功能器件、一维纳米材料的合成研究工作。2006年6月受“中科院高级研究学者项目”资助，赴日本京都大学进开展纳米材料微观结构表征合作研究工作。2009年2月赴佛山市禅城区科技局挂职副局长，负责上硅所科研成果在佛山的转移转化和项目组织实施，并组织开展建筑陶瓷功能化课题的研究和产业化技术开发。在“973”项目、国家自然科学基金和上海市科学技术委员会资助下，开展了Si基氧化物功能薄膜的外延生长和物理性能的研究。作为课题责人，在已完成的国家自然基金基金项目“单晶氧化锌纳米线的掺杂及其相关物理性能研究”中，开展了氧化锌基纳米材料合成、掺杂和物理性能表征的研究工作。在一维纳米材料自催化合成和自组装方面开展了具有创新意义的研究工作。在主持完成的上海市国际合作项目“新型硅集成ZnO基紫外光电探测材料和原型器件的研究”中，在硅衬底上制备出高质量p型掺杂和带隙可调的ZnO基薄膜，探索薄膜生长控制机理和掺杂机理。得到具有最佳光谱响应的薄膜体系，设计制作ZnO基光电紫外探测器原型器件。作为骨干参与了国家863计划项目“纳米结构氧化物薄膜及其在电阻式随机存储器中应用的关键技术”的研究。主要负责二元氧化物功能薄膜的制备、材料学特性表征以及RRAM原型器件的研究。在国内外学术刊物和会议上发表论文30余篇，专利申请8项，主持完成各类科研项目4项目，参与国家重大研究计划项目973、863项目各1项目。近年来主要的相关论文：（1）W.D.Yu,X.M.Li,andX.D.Gao，“Self-catalyticsynthesisandphotoluminescenceofZnOnanostructuresonZnOnanocrystalsubstrates”，AppliedPhysicsLetters，84（14），2658，(2004).（2）WeidongYu,XMLi,XDGao,Homogeneous-catalyticsynthesisoftetrapodlikeZnOnanocrystalsandtheirphotoluminescenceproperty,ChemicalPhysicsLetters,390,296(2004).（3）W.D.YU,X.M.LI,X.D.GAO,P.S.QIU,W.X.CHENG,andA.L.DING“EffectofsourcematerialsonthemorphologyandphotoluminescencepropertiesoftheZnOnanostructures”,APPLPHYSA-MATER,79,453（2004）.（4）WeidongYu,XMLi,XDGao,Synthesisandstructuralcharacteristicsofhigh-qualitytetrapodlikeZnOnanocrystalsonZnOandNiOnanocrystalsubstrates.JCRYSTGROWTH,,270，92-97（2004）.（5）WeidongYu,XMLi,XDGao,“CatalyticSynthesisandStructuralCharacteristicofhigh-qualitytetrapodllikeZnOnanocrystalsbyaModifiedVaporTransportprocess”CrystalGrowth&Design,5（1），151-155（2005）.（6）W.DYu,J.HZhang,X.Wang,X.M.Li,X.D.Gao，“Characterizationandfieldemissionpropertyofalignedporouscarbonnanotubesfilmbyhydrogenionsimplantation”APPLPHYSA-MATER,81，169-172（2005）.（7）WeidongYu,XiaominLi,XiangdongGao,andFengWu，“Large-ScaleSynthesisandMicrostructureofSnO₂NanowiresCoatedwithQuantum-SizedZnONanocrystalsonaMeshSubstrate”J.Phys.Chem.B,109,17078-17081（2005）.（8）WeidongYu,XiaominLi,XiangdongGao,“Microstructureandphotoluminescencepropertiesofbulk-quantitySnO₂nanowirescoatedwithZnOnanocrystals”,Nanotechnology16，2770-2774（2005）.专利：（1）鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置，03129171.6，第一发明人（2）一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射的方法，2004100177883，第一发明人（3）一种四脚状氧化锌纳米棒及其制备方法和制备装置，200610080725.1，第一发明人（4）晶体管控制碳纳米管场发射显示阵列及其实现方法，200310109479.4，共同发明人（5）一种p型氧化锌薄膜的制备方法，03151096.5,共同发明人（6）一种氧化锌同质结p-n结的制备方法。200310109139.1，共同发明人（7）电阻式随机存储器用合金电极材料及其制备技术，200810200174.7，第一发明人（8）用于电阻式存储器的电诱发电阻材料及其制备方法200810040958.8，共同发明人研究方向：（1）纳米材料合成及其在传统陶瓷改性方面的应用（2）半导体氧化物薄膜物理性能及功能器件（3）纳米结构氧化物薄膜及其在电阻式随机存储器中的应用联系方式：电话:021-52412441（上海），0757-82018041（佛山），13889921321（手机）传真:021-62513903，0757-82018041（佛山）电子邮件:ywd2003@mail.sic.ac.cn地址:中国上海定西路1295号,佛山市禅城区通济大院4楼邮编:200050（上海），528000（佛山）相关信息请链接李效民课题组：http://202.127.27.99/selfweb/ketizu/lixiaoming/index2.htm


研究方向：


职称：
副高级

职务：


社会任职：


获奖及荣誉：

代表论著：


承担科研项目情况：


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