姓名:
刘学超性别:
男
专家类别:
副研学历:
博士研究生
电话:
021-69987663传真:
021-69987661
电子邮件:
xcliu@mail.sic.ac.cn个人主页:
无
邮政编码:
200050通讯地址:
上海市定西路1295号


简历：
简历：
刘学超，博士，副研究员，硕士生导师。2003年毕业于同济大学，获学士学位；2008年毕业于中科院上海硅酸盐研究所，获博士学位；2008-2010在英国华威大学（TheUniversityofWarwick）物理系做博士后研究；2010年9月以上海硅酸盐研究所引进人才加入碳化硅晶体项目部，主要研究方向为宽禁带半导体单晶生长、薄膜制备与相关器件。在AppliedPhysicsLetters、JournalofAppliedPhysics、JournalofCrystalGrowth等国内外学术刊物上发表学术论文30余篇，申请发明专利7项。
研究方向：

?SiC半导体单晶生长、薄膜外延及器件?ZnO基稀磁半导体薄膜与自旋电子器件?AlN薄膜制备与应用
代表论文与专利：

1.Xue-ChaoLiu,M.Myronov,A.Dobbie,et.al.HighqualityGe/Si_0.4Ge_0.6multiplequantumwellsforphotonicapplication:growthbyreducedpressurechemicalvapordepositionandstructuralcharacteristics.J.Phys.D:Appl.Phys.44,055102(2011).2.Xue-ChaoLiu,Zhi-ZhanChen,Er-WeiShi,et.al.Structural,opticalandelectricalpropertiesofGa-dopedand(Ga,Co)-codopedZnOfilms.J.Cryst.Growth312,2817(2010).3.Xue-ChaoLiu,Er-WeiShi,Zhi-ZhanChen,et.al.ChargetransferpropertiesandeffectofdonorlocalizationonthemagneticpropertiesinZn-Co-Osystem.Appl.Phys.Lett.92,042502(2008).4.Xue-ChaoLiu,Er-WeiShi,Zhi-ZhanChen,et.al.EffectofoxygenpartialpressureonthelocalstructureandmagneticpropertiesofCo-dopedZnOfilms.J.Phys.:Condens.Matter20,025208(2008).5.Xue-ChaoLiu,Er-WeiShi,Zhi-ZhanChen,et.al.High-temperatureferromagnetismin(Co,Al)-codopedZnO.Appl.Phys.Lett.88,252503(2006).6.刘学超，施尔畏，陈之战，张华伟，范秋林，宋力昕．利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积(ICP-PVD)法制备ZnO基稀磁半导体薄膜(专利授权号:ZL200610116508.3)。7.刘学超，张华伟，施尔畏，陈之战，肖兵，宋力昕．一种溶胶-凝胶法制备具有高温铁磁性的ZnO:(Co,Al)纳米材料(专利授权号：ZL200610116507.9)。承担科研项目情况：

1、中科院知识创新重要方向项目：2011-20142、国家自然科学基金项目：2011-20133、上海硅酸盐所“百人计划”支持项目：2011-20124、上海硅酸盐所科技创新项目：2011-2012

研究方向：


职称：
副高

职务：


社会任职：


获奖及荣誉：

代表论著：


承担科研项目情况：


个人主页：