乔山 研究员
 

办公地点: 江湾校区先进材料楼334，邯郸校区先进材料楼205 电子邮件: qiaoshan@fudan.edu.cn 办公室电话: 51630254

附加信息:

教育背景:中国科学技术大学学士（1984）、中国科学院高能物理研究所硕士（1987）、东京大学博士（1997）。

研究领域:同步辐射应用，自旋分辨光电子谱学，磁园二色性谱学。

研究方向: 1）多通道型电子自旋分析器 2）纳米结构磁性物质的电子状态和磁性 3）单层石墨的rashba效应 4）拓扑绝缘体的电子自旋流

乔山，出生于甘肃省兰州市。参加了我国第一个同步辐射装置的建设，任中国科学院高能物理研究所研究实习员（1987-1990）、助理研究员（1990-1993）。1993年获得日本文部省奖学金东渡日本，在博士研究生阶段发明了世界最高效率的电子自旋分析器。博士毕业后，获得日本著名的理化学研究所基础科学特别研究员（博士后）职位（1997-1999）。后被日本广岛大学破格直接从博士后聘为助教授（1999-2005）、2005年转为教授（2005-2007）。回到复旦大学前，任美国洛伦茨伯克利国家实验室、斯坦福大学访问学者一年（2007-2008）。2008年5月起任复旦大学物理系特聘研究员、先进材料实验室PI 研究员、博士生导师。

Selected Publications:

Direct evidence of spin-polarized band structure of Sb(111) surface, T. Kadono, K. Miyamoto, R. Nishimura, K. Kanomaru, S. Qiao, K. Shimada, H. Namatame, A. Kimura, and M. Taniguchi, Appl. Phys. Lett. 93, 252107 (2008);

Tip-induced band bending effect and local electronic structure of Al nanoclusters on Si(111)， H. Narita, A. Kimura, M. Taniguchi, M. Nakatate, T. Xie, S. Qiao, H. Namatame, S. Yang, L. Zhang, E. G. Wang, Phys. Rev. B78, 115309(2008).

Direct observation of spin splitting in bismuth surface states, T. Hirahara, K. Miyamoto, I. Matsuda, T. Kadono, A. Kimura, T. Nagao, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, S. Qiao, K. Shimada, H. Namatame, M. Taniguchi, S. Hasegawa, Phys. Rev. B76, 153305(2007).

Electron correlation and magnetic properties of c(2×2)CuMn/Cu(001) two-dimensional surface alloys, A. Kimura, S. Asanao, T. Kambe, T. Xie, S. Watanabe, M. Taniguchi, S. Qiao, E. Hashimoto,H. Namatame,T. Muro, S. Imada and S. Suga, Phys. Rev. B76, 115416(2007).

Intermediate surface structure of Al nanoclusters restricted to Si(111) half-unit cells observed via scanning tunneling microscopy, H. Narita, A. Kimura, M. Taniguchi, M. Nakatake, T. Xie, S. Qiao, H. Namatame, Phys. Rev. B76, 115405(2007).