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中国科学院金属研究所研究生导师简介-丛洪涛

中国科学院金属研究所 免费考研网/2016-05-09



丛洪涛
性 别男最高学历博士研究生
职 称研究员专家类别
部 门沈阳材料科学国家(联合)实验室 先进炭材料研究部
通讯地址辽宁省沈阳市沈河区文化路72号,中国科学院金属研究所,先进炭材料研究部
邮政编码110016电子邮件htcong@imr.ac.cn
电 话+86-**传 真+86-**

简历:
  教育经历:

  1978.02-1982.02 北京航空航天大学材料系 学士

  1984.09-1987.06 中国科学院金属研究所材料加工专业 硕士

  2000.09-2003.06 中国科学院金属研究所材料学专业 博士

  工作经历:

  1982-1984 国营黎明发动机公司 军品车间工艺员

  1987-1989 中国科学院金属研究所 实习研究员

  1989-1997 中国科学院金属研究所 助理研究员

  1997-2005 中国科学院金属研究所 副研究员

  2005-现在 中国科学院金属研究所 研究员

研究领域:
  纳米碳管及其增强金属基复合材料的制备、表征与应用探索;

  准一维纳米半导体材料的制备与物性。

承担科研项目情况:
  建立氢等离子蒸发法低成本、半连续大量制备高纯单壁纳米碳管的方法。在此基础上,改进制备方法,用纳米碳纤维取代石墨粉体为原料大量制备单壁纳米碳管,进一步提高了单壁纳米碳管的纯度与产量。制备出单壁纳米碳管/纳米Al复合材料,揭示了双纳米复合结构的增强效应;该材料有望成为与Si热膨胀匹配的电子封装材料。采用氢电弧放电法,在不加催化剂条件下,通过调控电弧自身电场方向与阳电极表面垂直等方法,制备出垂直于阳极的碳纳米管阵列。

  

  

  

  用过量催化剂的注射法,制备出铁准连续填充的较长纳米碳管阵列。控制合成了不同长径比铁纳米颗粒填充的碳纳米管阵列,并研究了铁颗粒的形状各向异性对铁填充碳纳米管矫顽力的影响。

  制备出高致密的大块纳米晶Al样品,揭示了纳米Al材料的热稳定化和强化机制。制备出GaN和AlN纳米棒阵列、AlN纳米锥阵列、AlN纳米带阵列、AlN纳米针阵列等多种准一维氮化物半导体纳米结构,研究了材料的光伏性能、光致发光性能及其复合材料的力学与热膨胀性能。

  

  作为主要完成人(成会明、李峰、刘畅、丛洪涛、任文才)所承担的“单壁和双壁碳纳米管的制备和研究”获2006年国家自然科学二等奖,“纳米碳管的制备、结构和物性研究”获2003年辽宁省自然科学一等奖(成会明、刘畅、李峰、丛洪涛、刘敏),中国材料研究学会优秀论文奖(丛洪涛,孙秀魁,徐坚,卢柯),中科院科技进步二等奖(第二完成人),授权发明专利12项(其中美国专利和欧盟专利各1项),在Science, Adv. Mater., Appl. Phys. Lett., Nano Lett., Chem. Phys. Lett., Carbon等国际核心期刊发表论文50余篇,被SCI他引800余次。

  

社会任职:


获奖及荣誉:
  1)成会明、李峰、刘畅、丛洪涛、任文才,“单壁和双壁碳纳米管的制备和研究”,国家自然科学二等奖,2006年

  2)成会明、刘畅、李峰、丛洪涛、刘敏,“纳米碳管的制备、结构和物性研究”,辽宁省自然科学一等奖,2003年

  3)丛洪涛,孙秀魁,徐坚,卢柯,“冷变形致密化纳米晶Al的拉伸性能”,中国材料研究学会,优秀论文奖,1998年

  4)杨维琛,丛洪涛,朱跃进,金花子,王兆玉,“电子气瓶特殊处理技术与配套件研究”,中国科学院,科学进步二等奖,1991年

代表论著:
  近年发表的主要有关论文(SCI收录):

  1) Xingke Cai, Hongtao Cong *, Chang Liu,Synthesis of vertically-aligned carbon nanotubes without a catalyst by hydrogen arc discharge,Carbon 2012, 50 (8), 2726-2730.

  2) Shi CX, Cong HT*, Tuning the coercivity of Fe-filled carbon-nanotube arrays by changing the shape anisotropy of the encapsulated Fe nanoparticles,J. Appl. Phys. 2008, 104: 034307-1-5

  3) Y.B. Tang, H.T. Cong*, Z.G.. Chen,H.M. Cheng, "An Array of Eiffel-Tower-Shape AlN Nanotips and Its Field Emission Properties",Appl. Phys. Lett. 86(23), 233104-1-3(2005)

  4) Y.B. Tang, X.H. Bo, C.S. Lee,* H.T. Cong,* H.M. Cheng, Z.H. Chen, W.J. Zhang, I. Bello, and S.T. Lee*, “Controllable Synthesis of Vertically Aligned p-Type GaN Nanorod Arrays on n-Type Si Substrates for Heterojunction Diodes” Adv. Funct. Mater. 18, 1–8( 2008)

  5) Y.B. Tang, Z.H. Chen, H.S Song, C.S. Lee,* H.T. Cong, H.M. Cheng, W.J. Zhang, I. Bello, ands S.T. Lee*, “Vertically Aligned p-Type Single-Crystalline GaN Nanorod Arrays on n-Type Si for Heterojunction Photovoltaic Cells” Nano Lett.8(12), 4191-5(2008)

  6) Y.B. Tang, H.T. Cong*, Z.G.. Zhao, H.M. Cheng, "Field emission from AlN nanorod array" Appl. Phy. Lett. 86(15), 153104-1-3 (2005 )

  7) Y.B. Tang, H.T. Cong*, Z.M. Wang, H.M. Cheng, “Catalyst-seeded synthesis and field emission properties of flowerlike Si-doped AlN nanoneedle array” Appl. Phys. Lett. 89(25), 253112-1-3(2006)

  8) Y.B. Tang, H.T. Cong*,H.M. Cheng, "Field emission from honeycomb-like network of vertically aligned AlN nanoplatelets" Appl. Phys. Lett. 89(9),093113-1-3(2006)

  9) Y.B. Tang, H.T. Cong*, Z.M. Wang, H.M. Cheng, "Synthesis of rectangular cross-section nanofibers AlN by chemical vapor deposition" Chem. Phys. Lett. 416, 171-5 (2005)

  10) Y.B. Tang, H.T. Cong*, F. Li, H.M. Cheng, “Synthesis and photoluminescent property of AlN nanobelt array on Si substrate” Diam. Relat. Mater. 16, 537-41 (2007)

  11) Y.B. Tang, Y.Q. Liu, C.H. Sun, H.T. Cong*, “AlN nanowires for Al-based composites with high strength and low thermal expansion” J. Mater. Res. 22, 2711-18 (2007)

  12) H.T.Cong*, H. B. Ma, X. C. Sun, “Synthesis of Aluminum Nitride Nanowires” Physica B 323, 354-6(2002)

  13) F.X. Geng, Z.G. Zhao, H.T. Cong*, J.X. Geng, H.M. Cheng “An environment-friendly microemulsion approach to α-FeOOH nanorods at room temperature", Materials Research Bulletin 41, 2238-43(2006)

  14) F.X. Geng, Z.G. Zhao, H.T. Cong, J.X. Geng, H.M. Cheng “A simple and low-temperature hydrothermal route for the synthesis of tubular α-FeOOH”, Mater. Lett. 61, 4794-6(2007)

  15) Liu QF, Ren WC, Chen ZG, Wang DW, Liu BL, Yu B, Li F, Cong HT, Cheng HM. Diameter-selective growth of single-walled carbon nanotubes with high quality by floating catalyst method. ACS Nano, 2008, 2(8): 1722-1728.

  16) Liu QF, Ren WC, Chen ZG, Liu BL, Yu B, Li F, Cong HT, Cheng HM. Direct synthesis of carbon nanotubes decorated with size-controllable Fe nanoparticles encapsulated by graphitic layers. Carbon, 2008, 46(11): 1417-1423.

  17) Liu QF, Chen ZG, Liu BL, Ren WC, Li F, Cong HT, Cheng HM. Synthesis of different magnetic carbon nanostructures by the pyrolysis of ferrocene at different sublimation temperatures. Carbon, 2008, 46(14): 1892-1902.

  18) Liu QF, Ren WC, Liu BL, Chen ZG, Li F, Cong HT, Cheng HM. Synthesis, purification and opening of short cup-stacked carbon nanotubes. J Nanosci. Nanotechnol. 2009, 9(8): 4554-60.

  19)Liu QF, Ren WC, Chen ZG, Yin LC, Li F, Cong HT, Cheng HM. Semiconducting properties of cup-stacked carbon nanotubes. Carbon, 2009, 47: 731-736





近期获得专利:

  1) 丛洪涛, 钟蓉, 马洪波, 卢柯.
  一种纳米碳管增强纳米金属基复合材料及制备方法 ( ZL 02 1 09806.9)

  2) 丛洪涛, 钟蓉, 成会明, 卢柯.
  一种单壁纳米碳管的制备方法 (ZL 02 1 09805.0)

  3) 丛洪涛, 陈志刚, 成会明
  一种双壁纳米碳管的低成本制备方法 (ZL 2004 1 **.3)

  4) 丛洪涛, 唐永炳, 成会明
  一种氮化铝增强金属铝的双纳米复合材料 (ZL: **9.2)

  5) 丛洪涛, 唐永炳, 成会明
  一种纳米棒阵列材料 (ZL: **5.9)

  6) H. M. Cheng, C. Liu, H.T. Cong, M. Liu, Y.Y. Fan, G. Su.
  “Production of single-walled carbon nanotubes by a hydrogen arc discharge method.”(美国No: US 6,517,8000 B1)

  7) H.M. Cheng, C. Liu, H.T. Cong, M. Liu, Y.Y. Fan, G. Su
  "Production of single-walled carbon nanotubes"  EP**B1

  8) 刘畅,丛洪涛,成会明
  “一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法”(No:ZL 99 1 13022. 7)

  9) 成会明,刘畅,范月英,刘敏,丛洪涛,苏革
  “一种单壁纳米碳管储氢材料的制备方法” (No:ZL 99 1 13021. 9)

  10) 成会明,刘畅,佟钰,丛洪涛
  “一种纳米炭管场发射材料”(ZL**.5)

  11) 成会明,刘畅,丛洪涛
  “一种超长定向单壁纳米炭绳的制备方法”(ZL**.8)

  12) 李菊英,丛洪涛,崔玉友,马洪波,杨锐
  “一种大量制备钛铝系金属间化合物纳米粉的方法”(ZL 03 1 33805. 4)

  13) 成会明,唐蓓,李峰,丛洪涛
   “一种以水为生长促进剂大量制备氮化硼纳米管的方法”(ZL 2005 1 **.2)

  14) 成会明,陈志刚,李峰,逯高清,丛洪涛,刘岗
   “一种可吸收可见光的光催化纳米氧化钛的电弧放电制备方法”(ZL 2005 1 **.9)

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