基本信息Personal Information
教授博士生导师
硕士生导师
主要任职：无
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学 电路与系统 凝聚态物理 导航、制导与控制 控制理论与控制工程
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个人简介Personal Profile
王德君，电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院教授，博士生导师。吉林大学半导体化学专业本科、硕士，清华大学材料学博士，先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学，现大连理工大学教授，博士生导师（微电子、控制、凝聚态物理）。
研究方向:
1. 智能电子控制及安全；传感器与传感网 Sensor Chip, Intelligent electronic safety control
2. 人工智能类脑芯片技术 AI-IC Technologies
3. 半导体碳化硅SiC、氮化镓GaN电子器件科学 Semiconductor SiC & GaN Device Physics and Technology;
4. 半导体缺陷物理学 Semiconductor Defect Physics
课题组重视学术交流、国际化和对外合作，近五年指导研究生解决核心关键科学技术问题多项，在国际顶级学术期刊发表学术论文十余篇，培养的研究生多次获得博士生优秀论文单项奖学金和国家优秀学生奖学金，深受业界欢迎。
Prof. Dejun WANG received the B.S. and M.S. degree in semiconductors from Jilin University, Changchun, China; and the Ph.D. degree in materials science from Tsinghua University, Beijing, China. He has worked in Peking University, Nagoya University and Nara Institute of Science and Technology.
Prof. Wang joined Dalian University of Technology (DUT) in 2004 as a professor in the field of microelectronics. His research interests are semiconductor defect physics, semiconductor SiC & GaN device physics and technology, Si3DP/GSIc technologies, sensor chip, and intelligent electronic safety control. The recent work mainly includes the physics and technology of SiO2/SiC interfaces, metal-SiC contacts, oxidation technology of SiC semiconductor, and the development of AI-IC Technologies.
Publications
[10] 刘冰冰 等. Passivation of SiC surface. Applied Physics Letters, 104: 202101 (2014)
[09] 江..滢 等. Field isolation for GaN MOSFETs. Semicond. Sci. & Tech., 29: 055002 (2014)
[08] 王青鹏 等. Characterization of GaN MOSFETs. IEEE Trans. on Electron Devices, 61: 498 (2014)
[07] 朱巧智 等. Electrical and physical properties of 4H-SiC MOS interface. Physica B, 432: 89 (2014)
[06] 李文波 等. Oxidation of step edges on SiC surfaces. Applied Physics Letters, 103: 211603 (2013)
[05] 朱巧智 等. Passivation of SiO2/SiC interface traps. Applied Physics Letters, 103: 062105 (2013)
[04] 黄玲琴 等. Barrier of metal/SiC contacts. Applied Physics Letters, 103: 033520 (2013)
[03] 李文波 等. Insight into the Oxidation and defects of SiC. Physical Review B, 87: 085320 (2013)
[02] 黄玲琴 等. SiC Ohmic contacts. Applied Physics Letters, 100: 263503 (2012)
[01] 朱巧智 等. SiO2/SiC interface transition region. Applied Physics Letters, 99: 082102 (2011)
译著：《半导体材料与器件表征技术》，大连理工大学出版社，2008年6月
原著：《Semiconductor Material and Device Characterization》by Dieter K. Schroder
教育经历Education Background
工作经历Work Experience
研究方向Research Focus
社会兼职Social Affiliations
半导体缺陷物理学 Semiconductor Defect Physics
半导体SiC、GaN器件科学 Semiconductor SiC & GaN Device Physics and Technology
AI芯片、集成电路技术 IC Technologies
智能电子控制及安全；传感器与传感网；Sensor Chip, Intelligent electronic safety control
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当前位置: DUT王德君 >> 科学研究
研究领域
1. Semiconductor Defect Physics;
2. Semiconductor Device Physics and Technology;
3. Integrated Circuit Technologies;
4. Sensor Chip, Intelligent electronic safety control
论文成果 More>>
Zhang, Yi-Jie,Yin, Zhi-Peng,Su, Yan,Wang, De-Jun.Passivation of carbon dimer defects in amorphous SiO2/4H-SiC(0001) interface: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2018,27(4)
Haipeng Zhang,王德君.A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability[J],Journal of Semiconductors,2018,39(7):740**
杨超,王德君.Capacitance–Voltage Measurements and Bias Temperature Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors[A],Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018),2018,2018(July):13-26
Zhang Haipeng,Wang Dejun,Geng Lu,Lin Mi,Zhang Zhonghai,Lu Weifeng,Wang Xiaoyuan,Wang Ying,Zhang Qiang,Bai Jianling.High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results[A],2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA),2018
Wu, Zijian,Cai, Jian,Wang, Qian,Wang, Junqiang,Wang, Dejun.Wafer-Level Hermetic Package by Low-Temperature Cu/Sn TLP Bonding with Optimized Sn Thickness[J],JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,2017,46(10):6111-6118
王德君,何淼,秦芝,黄庆,都时禹.碳化铀核燃料缺陷结构的研究现状[J],核技术,2017,40(7):83-94
专利 More>>
一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法
镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法
一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法
一种自感知便携式图像无线监控设备及使用方法
一种降低SiO<sub>2</sub>/SiC界面态密度的方法
著作成果
半导体材料与器件表征技术
科研项目 More>>
存算一体器件及其计算新架构, 国家科技部 , 2019/09/16, 进行
SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究, 国家自然科学基金项目, 2018/08/16, 进行
SiC MOS器件界面缺陷及其钝化研究, 国家自然科学基金项目, 2014/09/01, 完成
系统级封装技术工艺加工, 企事业单位委托科技项目, 2011/11/03-2011/12/31, 进行
新一代半导体SiC材料表面处理技术, 省、市、自治区科技项目, 2007/01/01-2009/12/31, 完成
SiC半导体MOS结构界面态研究, 主管部门科技项目, 2007/01/01-2009/03/31, 完成
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研究领域
当前位置: DUT王德君 >> 科学研究 >> 研究领域1. Semiconductor Defect Physics;
2. Semiconductor Device Physics and Technology;
3. Integrated Circuit Technologies;
4. Sensor Chip, Intelligent electronic safety control
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论文成果
当前位置: DUT王德君 >> 科学研究 >> 论文成果[1]Zhang, Yi-Jie,Yin, Zhi-Peng,Su, Yan,Wang, De-Jun.Passivation of carbon dimer defects in amorphous SiO2/4H-SiC(0001) interface: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2018,27(4)
[2]Haipeng Zhang,王德君.A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability[J],Journal of Semiconductors,2018,39(7):740**
[3]杨超,王德君.Capacitance–Voltage Measurements and Bias Temperature Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors[A],Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018),2018,2018(July):13-26
[4]Zhang Haipeng,Wang Dejun,Geng Lu,Lin Mi,Zhang Zhonghai,Lu Weifeng,Wang Xiaoyuan,Wang Ying,Zhang Qiang,Bai Jianling.High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results[A],2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA),2018
[5]Wu, Zijian,Cai, Jian,Wang, Qian,Wang, Junqiang,Wang, Dejun.Wafer-Level Hermetic Package by Low-Temperature Cu/Sn TLP Bonding with Optimized Sn Thickness[J],JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,2017,46(10):6111-6118
[6]王德君,何淼,秦芝,黄庆,都时禹.碳化铀核燃料缺陷结构的研究现状[J],核技术,2017,40(7):83-94
[7]Wang, Junqiang,Wang, Qian,Wu, Zijian,Tan, Lin,Cai, Jian,Wang, Dejun.Plasma combined self-assembled monolayer pretreatment on electroplated-Cu surface for low temperature Cu-Sn bonding in 3D integration[J],APPLIED SURFACE SCIENCE,2017,403:525-530
[8]He M.,Du S.,Wang D..First-principles study of advanced nuclear materials: Defect behavior and fission products in U-Si system[A],International Symposium on Advanced Material Research, ISAMR 2017,2017,753 KEM:134-140
[9]Li, Wenbo,Wang, Dejun,Pan, Yan,Yang, Fei,Li, Ling,Wang, Fangfang,Zheng, Liu,Xia, Jinghua,Qin, Fuwen,Wang, Xiaolin,Li, Yongping,Liu, Rui.Passivation effects of phosphorus on 4H-SiC (0001) Si dangling bonds: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2017,26(3)
[10]王德君.Passivation Technology and Electronic Properties of SiC MOS Interface Traps[A],International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China (IFWS 2017),2017,68-68
[11]王德君.First-principles study of advanced nuclear materials: Defect behavior and fission products in U-Si system[J],Key Engineering Materials,2017,753:134-140
[12]Cai, Jian,Wang, Qian,Wang, Dejun,Wang, Junqiang,Wu, Zijian.Effects of Current Stress for Low Temperature Cu/Sn/Cu Solid-State-Diffusion Bonding[A],2017 IEEE 67TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE (ECTC 2017),2017,1742-1747
[13]Wang, Junqiang,Wang, Qian,Wu, Zijian,Wang, Dejun,Cai, Jian.Solid-State-Diffusion Bonding for Wafer-Level Fine-Pitch Cu/Sn/Cu Interconnect in 3-D Integration[J],IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY,2017,7(1):19-26
[14]Huang, Lingqin,Geiod, Rechard,Wang, Dejun.Barrier inhomogeneities and interface states of metal/4H-SiC Schottky contacts[J],JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2016,55(12)
[15]Wang, Junqiang,Wang, Qian,Liu, Ziyu,Wu, Zijian,Cai, Jian,Wang, Dejun.Activation of electroplated-Cu surface via plasma pretreatment for low temperature Cu-Sn bonding in 3D interconnection[J],APPLIED SURFACE SCIENCE,2016,384:200-206
[16]Wang, Junqiang,Wang, Qian,Wang, Dejun,Cai, Jian.Study on Ar(5%H-2) Plasma Pretreatment for Cu/Sn/Cu Solid-State-Diffusion Bonding in 3D Interconnection[A],66th IEEE Electronic Components and Technology Conference (ECTC),2016,2016-August:1765-1771
[17]Jiang, Ying,Wang, Qingpeng,Zhang, Fuzhe,Li, Liuan,Shinkai, Satoko,Wang, Dejun,Ao, Jin-Ping.Improvement of device isolation using field implantation for GaN MOSFETs[J],SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2016,31(3)
[18]Liu, Bingbing,Qin, Fuwen,Wang, Dejun.Passivation of SiO2/4H-SiC interface defects via electron cyclotron resonance hydrogen-nitrogen mixed plasma pretreatment for SiC surface combined with post-oxidation annealing[J],APPLIED SURFACE SCIENCE,2016,364:769-774
[19]王德君.SiC半导体电子器件关键技术基础问题研究进展[A],第十届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会,2016,7(7):11-13
[20]秦福文,王德君.碳化硅MOS器件氧化层界面附近碳存在形式的理论研究进展[J],智能电网,2016,6(1):12-17
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专利
当前位置: DUT王德君 >> 科学研究 >> 专利一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法
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石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法
一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法
一种自感知便携式图像无线监控设备及使用方法
一种降低SiO<sub>2</sub>/SiC界面态密度的方法
一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法
一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法
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科研项目
当前位置: DUT王德君 >> 科学研究 >> 科研项目存算一体器件及其计算新架构, 国家重点研发计划, 2019/09/16, 进行
SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究, 国家自然科学基金, 2018/08/16, 进行
SiC MOS器件界面缺陷及其钝化研究, 国家自然科学基金, 2014/09/01, 完成
系统级封装技术工艺加工, 2011/11/03-2011/12/31, 进行
新一代半导体SiC材料表面处理技术, 辽宁省自然科学基金, 2007/01/01-2009/12/31, 完成
SiC半导体MOS结构界面态研究, 教育部留学归国人员科研启动基金项目, 2007/01/01-2009/03/31, 完成
2006年度教育部新世纪优秀人才支持计划, 教育部新世纪优秀人才支持计划项目, 2006/12/31-2009/12/31, 完成
新一代半导体SiC材料与器件基础问题, 2005/11/21-2008/06/26, 结题, 国家重大基础研究专项
中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用, 国家重点研发计划, 2016/07/22-2019/03/25, 进行
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