基本信息Personal Information
教授博士生导师
硕士生导师
主要任职：无
性别：男
毕业院校：德国卡尔斯鲁厄工业大学
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：材料科学与工程学院
学科：材料物理与化学 微电子学与固体电子学
办公地点：辽宁省大连市高新园区凌工路2号
大连理工大学新三束实验室412
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个人简介Personal Profile
周大雨 博士，大连理工大学材料科学与工程学院 教授，博士生导师。大学本科及硕士毕业于电子科技大学电子材料与元器件专业，1999至2010年期间在德国先后攻读博士学位（卡尔斯鲁厄工业大学）、主持完成德国研究基金会（DFG）项目、担任德雷斯顿奇梦达公司（Qimonda Dresden）研发工程师。2010年7月作为引进人才进入大连理工大学材料学院工作，主持国家自然科学基金面上项目3项、国家自然科学基金中德双边国际会议项目1项、省部级项目5项、企业委托研发课题5项，指导博士研究生生9人（已毕业4人）、硕士生21人（已毕业15人）。与德国德累斯顿工业大学NaMLab研究所和卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）、澳大利亚悉尼大学、中国科学院上海硅酸盐研究所、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、英特尔半导体(大连)有限公司、大连达利凯普科技有限公司等机构建立有密切的科研合作和人员交流关系。
主要研究领域：电子功能材料与器件，包括：介电、压电和铁电材料与器件，片上微型超级电容器等。
在压电铁电陶瓷材料研究领域：以汽车发动机压电燃油喷射阀研发为背景，独立设计建造了大信号机电耦合加载实验平台，首次对压电执行器工业实际应用的PZT陶瓷材料在单轴预应力下的铁电行为和直流偏压下的铁弹性响应进行了深入研究；开创性地开展了多轴机电耦合加载试验，提出了压电陶瓷材料的屈服和硬化条件；在国际上率先对压电陶瓷的室温蠕变特性进行了系统深入的实验研究。以第一作者在Acta Materialia, Journal of Applied Physics, Journal of the European Ceramic Society, Journal of the American Ceramic Society, Journal of Materials Research等刊物发表论文15篇，是国际上压电铁电材料非线性行为研究领域最为广泛引用的参考文献，目前累计SCI他引700余次，单篇最高他引200余次；作国际会议报告8次。
在高-k电介质薄膜研究领域：参加了原世界第二大内存芯片制造商--德国Qimonda公司65nm和46nm两代内存产品的研发和量产定型，对存储电容器用HfO2和ZrO2 高-k薄膜的可靠性进行了系统评估；作为研发团队主要成员参加了HfO2基纳米薄膜铁电性质的原始发现和验证工作，在国内率先申请了该新型铁电材料的研究立项。已在Acta Materialia, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, IEEE Electron Device Lett. 等刊物发表论文16篇，第一作者6篇，单篇最高他引130余次；作国际会议报告5次。
论文发表详细情况参见：https://publons.com/researcher/**/dayu-zhou/
课题组自己建有超净间，拥有溶胶-凝胶工艺成套设备、双室磁控溅射沉积系统、中频孪生靶磁控溅射系统、小型双靶磁控溅射镀膜仪、美国Radiant铁电测试仪、变温探针台等先进的纳米薄膜和涂层材料制备及性能测试设备。
课题组可批量制备生产：（1）超低电阻率、原子级表面平滑的4英寸TiN电极薄膜；（2）超高比电容和倍率特性4英寸TiOxNy电极薄膜及微米图形化。
教育经历Education Background
工作经历Work Experience
1986.91989.7
吉林省吉林市舒兰矿务局第九中学
无
1999.112003.2
德国卡尔斯鲁厄工业大学
机械工程（材料方向）
博士
1995.91998.6
电子科技大学
电子材料与元器件
硕士
1989.91993.7
电子科技大学
电子材料与元器件
学士
2010.6至今
大连理工大学材料学院
教授
2009.122010.6
德国德累斯顿大学Namlab研究所
高级科学家
2007.42009.3
德国Qimonda公司
工程师
2004.12007.3
德国卡尔斯鲁厄研究中心
科研人员
2003.32003.12
德国卡尔斯鲁厄工业大学
博士后
1998.71999.10
电子科技大学信息材料工程学院
科研助教
1993.71998.7
电子科技大学信息材料工程学院
辅导员, 学生科长
研究方向Research Focus
社会兼职Social Affiliations
高-k电介质薄膜材料与器件
新型铁电薄膜材料与器件
微型超级电容器
超高导电性、原子级表面平滑TiN纳米电极薄膜
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当前位置: 周大雨_中文主页 >> 科学研究
研究领域
1、介电、压电和铁电材料与器件
2、片上微型超级电容器
论文成果 More>>
Zhou, Dayu,Mikolajick, T.,Schroeder, U.,Xu, Jin,Heitmann, J.,Jegert, G.,Weinreich, W.,Kerber, M.,Knebel, S.,Erben, E..Reliability of Al2O3-doped ZrO2 high-k dielectrics in three-dimensional stacked metal-insulator-metal capacitors[J],JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2010,108(12)
Zhou, Dayu,Mueller, J.,Xu, Jin,Knebel, S.,Braeuhaus, D.,Schroeder, U..Insights into electrical characteristics of silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films[J],APPLIED PHYSICS LETTERS,2012,100(8)
Zhou, Dayu,Xu, Jin,Li, Qing,Guan, Yan,Cao, Fei,Dong, Xianlin,Mueller, Johannes,Schenk, Tony,Schroeder, Uwe.Wake-up effects in Si-doped hafnium oxide ferroelectric thin films[J],APPLIED PHYSICS LETTERS,2013,103(19)
Zhou, Dayu.Electric field and temperature scaling of polarization reversal in silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films[J],ACTA MATERIALIA,2015,99:240-246
Yao, Yifan,Zhou, Dayu,Li, Shuaidong,Wang, Jingjing,Sun, Nana,Liu, Feng,Zhao, Xiuming.Experimental evidence of ferroelectricity in calcium doped hafnium oxide thin films[J],JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2019,126(15)
Liu, Xiaohua,Zhou, Dayu,Guan, Yan,Li, Shuaidong,Cao, Fei,Dong, Xianlin.Endurance properties of silicon-doped hafnium oxide ferroelectric and antiferroelectric-like thin films: A comparative study and prediction[J],ACTA MATERIALIA,2018,154:190-198
专利
一种采用低温煅烧锆溶胶制备二氧化锆纳米粉体的方法
著作成果
暂无内容
科研项目 More>>
HfO2基铁电薄膜极化翻转复杂演变行为的一阶回转曲线图谱法实验研究, 国家自然科学基金项目, 2019/08/16, 进行
硅掺杂二氧化铪反铁电纳米薄膜相变及储能特性研究, 国家自然科学基金项目, 2016/08/17, 进行
HfO2基新型铁电薄膜的自发极化机制和失效行为研究, 国家自然科学基金项目, 2012/09/25-2016/12/31, 完成
掺硅二氧化铪反铁电薄膜制备及储能性能研究, 2015/09/29, 进行
存算一体器件及其计算新架构, 国家科技部 , 2019/09/16, 进行
含原子层沉积薄膜的MIM电容器研究, 企事业单位委托科技项目, 2019/09/25-2020/09/24, 进行
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2、片上微型超级电容器
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论文成果
当前位置: 周大雨_中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果[1]Zhou, Dayu,Mikolajick, T.,Schroeder, U.,Xu, Jin,Heitmann, J.,Jegert, G.,Weinreich, W.,Kerber, M.,Knebel, S.,Erben, E..Reliability of Al2O3-doped ZrO2 high-k dielectrics in three-dimensional stacked metal-insulator-metal capacitors[J],JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2010,108(12)
[2]Zhou, Dayu,Mueller, J.,Xu, Jin,Knebel, S.,Braeuhaus, D.,Schroeder, U..Insights into electrical characteristics of silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films[J],APPLIED PHYSICS LETTERS,2012,100(8)
[3]Zhou, Dayu,Xu, Jin,Li, Qing,Guan, Yan,Cao, Fei,Dong, Xianlin,Mueller, Johannes,Schenk, Tony,Schroeder, Uwe.Wake-up effects in Si-doped hafnium oxide ferroelectric thin films[J],APPLIED PHYSICS LETTERS,2013,103(19)
[4]Zhou, Dayu.Electric field and temperature scaling of polarization reversal in silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films[J],ACTA MATERIALIA,2015,99:240-246
[5]Yao, Yifan,Zhou, Dayu,Li, Shuaidong,Wang, Jingjing,Sun, Nana,Liu, Feng,Zhao, Xiuming.Experimental evidence of ferroelectricity in calcium doped hafnium oxide thin films[J],JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2019,126(15)
[6]Liu, Xiaohua,Zhou, Dayu,Guan, Yan,Li, Shuaidong,Cao, Fei,Dong, Xianlin.Endurance properties of silicon-doped hafnium oxide ferroelectric and antiferroelectric-like thin films: A comparative study and prediction[J],ACTA MATERIALIA,2018,154:190-198
[7]Ali, Faizan,Dong, Xianlin,Liu, Xiaohua,Zhou, Dayu,Yang, Xirui,Xu, Jin,Schenk, Tony,Mueller, Johannes,Schroeder, Uwe,Cao, Fei.Silicon-doped hafnium oxide anti-ferroelectric thin films for energy storage[J],JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2017,122(14)
[8]Zhou, Dayu.The Rayleigh law in silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films[J],PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS,2015,9(10):589-593
[9]徐军,周大雨,陆文琪.Structrual and Electrical Properties of Reactive Magnetron Sputtered Yttrium-doped HfO2 Films[J],Chinese Physics B,2018,27(4):481031-481036
[10]Liang, Hailong,Xu, Jin,Zhou, Dayu,Wang, Xuexia,Liu, Xiaohua,Chu, Shichao,Liu, Xiaoying.Structure and electrical properties of pure and yttrium-doped HfO2 films by chemical solution deposition through layer by layer crystallization process[J],MATERIALS & DESIGN,2017,120:376-381
[11]Yan, Yong,Zhou, Dayu,Guo, Chunxia,Xu, Jin,Yang, Xirui,Liang, Hailong,Zhou, Fangyang,Chu, Shichao,Liu, Xiaoying.Thickness-dependent phase evolution and dielectric property of Hf0.5Zr0.5O2 thin films prepared with aqueous precursor[J],JOURNAL OF SOL-GEL SCIENCE AND TECHNOLOGY,2016,77(2):430-436
[12]Zhang, Yu,Xu, Jun,Zhou, Da-Yu,Wang, Hang-Hang,Lu, Wen-Qi,Choi, Chi-Kyu.Effects of Hf buffer layer at the Y-doped HfO2/Si interface on ferroelectric characteristics of Y-doped HfO(2 )films formed by reactive sputtering[J],CERAMICS INTERNATIONAL,2018,44(11):12841-12846
[13]Zhang, Yu,Xu, Jun,Zhou, Da-Yu,Wang, Hang-Hang,Lu, Wen-Qi,Choi, Chi-Kyu.Structural and electrical properties of reactive magnetron sputtered yttrium-doped HfO2 films[J],CHINESE PHYSICS B,2018,27(4)
[14]Sun, Nana,Xu, Jin,Zhou, Dayu,Zhao, Peng,Li, Shuaidong,Wang, Jingjing,Chu, Shichao,Ali, Faizan.DC reactively sputtered TiNx thin films for capacitor electrodes[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2018,29(12):10170-10176
[15]Zhou, D..Multicaloric effect in bi-layer multiferroic composites[J],APPLIED PHYSICS LETTERS,2015,107(18)
[16]Liang, Hailong,Xu, Jin,Zhou, Dayu,Sun, Xu,Chu, Shichao,Bai, Yizhen.Thickness dependent microstructural and electrical properties of TiN thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering[J],CERAMICS INTERNATIONAL,2016,42(2):2642-2647
[17]杨喜锐,周大雨,马晓倩,王雪霞,徐进,陈国清,侯晓多,刘晓英,高晓霞.Synthesis of dopant-free tetragonal zirconia nano-powders with aqueous precursor and their optical properties[J],Materials Research Expresss,2018,6:15041-15041
[18]Knebel, Steve,Zhou, Dayu,Schroeder, Uwe,Slesazeck, Stefan,Pesic, Milan,Agaiby, Rimoon,Heitmann, Johannes,Mikolajick, Thomas.Reliability Comparison of ZrO2-Based DRAM High-k Dielectrics Under DC and AC Stress[J],IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY,2017,17(2):324-330
[19]Zhang, Yu,Xu, Jun,Wang, You-Nian,Choi, Chi Kyu,Zhou, Da-Yu.Facing-target mid-frequency magnetron reactive sputtered hafnium oxide film: Morphology and electrical properties[J],JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY,2016,68(5):679-685
[20]Knebel, Steve,Schroeder, Uwe,Zhou, Dayu,Mikolajick, Thomas,Krautheim, Gunter.Conduction Mechanisms and Breakdown Characteristics of Al2O3-Doped ZrO2 High-k Dielectrics for Three-Dimensional Stacked Metal-Insulator-Metal Capacitors[J],IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY,2014,14(1):154-160
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科研项目
当前位置: 周大雨_中文主页 >> 科学研究 >> 科研项目HfO2基铁电薄膜极化翻转复杂演变行为的一阶回转曲线图谱法实验研究, 国家自然科学基金, 2019/08/16, 进行
硅掺杂二氧化铪反铁电纳米薄膜相变及储能特性研究, 国家自然科学基金, 2016/08/17, 进行
HfO2基新型铁电薄膜的自发极化机制和失效行为研究, 国家自然科学基金, 2012/09/25-2016/12/31, 完成
掺硅二氧化铪反铁电薄膜制备及储能性能研究, 辽宁省教育厅重点实验室基础研究项目, 2015/09/29, 进行
存算一体器件及其计算新架构, 国家重点研发计划, 2019/09/16, 进行
含原子层沉积薄膜的MIM电容器研究, 2019/09/25-2020/09/24, 进行
生物芯片用高比电容快频率响应特性氮化钛(TiN)电极的制备及微米图形化, 2019/09/01-2020/08/31, 进行
生物芯片用微米图形化氮化钛(TiN)电极制备, 2018/07/23-2019/07/22, 进行
生物芯片用高比电容氮化钛(TiN)电极制备, 2018/03/30-2020/03/29, 进行
翻译服务合同, 2014/12/01-2014/12/15, 进行
铁电性HfO2基薄膜的自发极化起源与宏观电学性能研究, 一般纵向, 2011/11/03-2013/10/20, 完成
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