蔡勇 单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
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邮箱：ycai2008@sinano.ac.cn



个人简历/Personal resume 1993年于东南大学电子工程系毕业，获得半导体物理与器件专业学士学位。同年加入南京电子器件研究所五中心，从事硅双极型微波功率晶体管研究工作。1998年考入北京大学微电子所硕士研究生，2000年转为博士研究生，于2003年获得微电子学与固体电子学专业博士学位。2003年至2006年在香港科技大学电子电机系做博士后，致力于III族氮化物器件与集成电路研究。2006年至2008年在香港应用科技研究院有限公司LED器件组任研发经理，带领研究小组进行大功率、高亮度GaN LED器件的研究与开发。2008年12月加入苏州纳米技术与纳米仿生研究所。


研究方向/Research direction 1. 半导体光电器件
2. 固态高频器件与电路


招生信息/Enrollment information 半导体器件与工艺


论文专著/The monograph 主要科研成果： 率先发现了氟离子对 AlGaN / GaN 异质结二维电子气的调制现象，并提出了物理解释；基于这一新发现，成功地研制出高性能增强型 AlGaN/GaN HEMTs。开发出GaN基单片集成新技术，研制出可在375 ℃ 高温下正常工作的GaN基DCFL电路。发明了利用化学机械研磨(CMP)实现垂直结构大功率GaN LED的新技术。在国内外专业期刊及会议发表学术论文三十余篇，申请美国专利六项,其中两项处于公告期，申请中国专利两项。