丁孙安 单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
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邮箱：adingsun2014@sinano.ac.cn



个人简历/Personal resume 1986年和1988年分别获得清华大学电子工程系学士和硕士学位；1992年获得中科院半导体所物理学博士学位。1994-1996于德国马普学会的弗里兹-哈伯研究所(Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft) 完成博士后工作，又先后在日本广岛大学 (日本科学技术振兴事业团研究员)和美国缅因大学从事科学研究工作。2000-2014年，在美国朗讯科技和英特尔公司从事技术研究和产品开发工作。 2014年入选苏州工业园区金鸡湖双百人才（国际型学科领军人才）。现任中科院苏州纳米所研究员、博士生导师，纳米真空互联实验站副总指挥。
主要成果：
1. 硅化物的表面界面研究荣获中国科学院自然科学成果奖；
2. 率先发表了不同结构 GaN 单晶薄膜的电子能带结构及 GaN/GaAs 异质结势垒的实验测量结果, 对后来的各种能带理论研究和新型发光器件研发起到了开创性的指导作用；
3. 首次用实验方法验证了纳米硅量子点的量子效应并获得其能带结构；
4. 深入研究金属氧化物单晶薄膜材料的表面与电学性质，并应用这种新材料开发出一种高灵敏度气体探测器上。


研究方向/Research direction 主要研究领域为半导体薄膜材料与器件物理，固体新材料生长、材料特性及表征、表面与界面分析。技术专长包括超高真空系统设计与应用，精密分析仪器与非常规测量设备的设计、安装、改进和操作。


招生信息/Enrollment information 1. 半导体薄膜材料制备；材料表征及相关器件特性研究
2 . 纳米材料的表面与界面性质研究
3. III-V 半导体能带工程与器件工艺开发


论文专著/The monograph 在国际期刊(Appl.Phys.Lett.， Phys Review， JVST， Appl.Phys., Surf. Sci. 等)上发表论文三十多篇。