董建荣 单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
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个人简历/Personal resume 1989年毕业于西安电子科技大学半导体物理与半导体器件专业，获学士学位；1992年获得西安电子科技大学半导体器件与微电子学专业硕士学位，随后考入中国科学院半导体研究所， 从事III-V族可见光化合物半导体材料生长及表征；1996获博士学位；1996年至1997年为中科院半导体研究所助理研究员， 从事MBE 生长GaAs基HEMT 及InGaAlAs/InGaAs/InP；1997年9月至2007年6月，在新加坡材料研究院(Institute of Materials Research and Engineering) 先后任助理研究员( Research Associate), Research Scientist, 研究工作主要集中于MOCVD 生长InP 和GaAs 基III-V光电子材料, 材料表征及器件。2007年6月加入苏州纳米技术与纳米仿生研究所，任研究员，研究工作包括MOCVD生长III-V族化合物半导体材料，材料表征及相关器件。
2000年至2002年国际上首次实现了以叔丁基磷 (Tertiarybutyphosphine-TBP) 作V族源用MOCVD 生长的室温脉冲工作的650 nm AlGaInP/GaInP 量子阱红光激光器。2003年，将AlGaInP量子阱红光激光器的工作向前推进一步，在国际上首次实现了以叔丁基磷作V族源用MOCVD 生长的室温连续工作的670 nm AlGaInP 量子阱红光激光器，腔面未镀反射膜的激光器的单端面输出功率达18 mW。2004年用TBP和叔丁基砷(TBA) 生长出了室温连续工作的1550 nm InGaAsP/InGaAsP 量子阱DFB 激光器。同年，在国际上首次用TBP 和TBA生长出了室温连续工作的808 nm InGaAsP/GaInP/AlGaInP有源区无铝的量子阱激光器。2005年用TBA生长出了室温连续工作的 980 nm InGaAs/GaAs/AlGaAs 量子阱激光器。在MOCVD材料生长领域, 尤其是在低毒性V族有机源---叔丁基磷(TBP)和叔丁基砷(TBA)的推广方面取得了一些突破性的成果。为以后叔丁基磷和叔丁基砷在工业方面的广泛使用奠定了基础。



招生信息/Enrollment information MOCVD生长III-V族化合物半导体材料；材料表征及相关器件。



论文专著/The monograph 在国际期刊(Appl.Phys.Lett.,J.Appl.Phys.,J.Crystal Growth 等)上发表论文三十多篇, 其中第一作者十篇。