基本资料

姓名： 单伟伟 性别： 女
学历： 博士 生日： 1982.2
职称： 教授 职务： 教研室副主任

电话： Email： wwshan@seu.edu.cn

研究方向

SoC芯片低功耗技术、近阈值到宽电压集成电路设计、高能效智能芯片和信息安全芯片设计。
个人简历

1999.9-2003.6，天津大学电信学院，获工学学士学位；
2003.0-2009.1 清华大学微电子学研究所，硕博连读，获工学博士学位；
2007.8-2008.8 美国马里兰大学ECE学院，联合培养博士生；
2009.2-2012.3 东南大学电子科学与工程学院，讲师；
2012.4-2019.5 东南大学电子科学与工程学院，副教授；
2013.1-至今东南大学电子科学与工程学院，硕导、博导；
2019.6-至今东南大学电子科学与工程学院，教授；
2018.2-2019.2 美国哥伦比亚大学，访问****。

研究成果

目前主持国家重大专项“面向智能终端的嵌入式高能效深度学习引擎开发与产业化”；主持江苏省****基金项目；主持国家自然科学基金面上项目："语音唤醒人工智能芯片的极低功耗设计技术"“近阈值超宽电压电路的PVT偏差弹性设计方法研究”、“基于自适应双向时钟拉伸的VLSI时序余量片上消除方法及其电路实现”等。
近五年来累计在28nm和40nm工艺（包括TSMC和SMIC）成功流片9次，在近阈值到宽电压低功耗定制电路、自适应电压调节芯片、高能效加密电路、和高能效智能芯片等方面积累了丰富经验，流片测试结果均发表在IEEE transactions高水平期刊和著名会议上。
在集成电路最顶级国际会议ISSCC2020上发表论文一篇（一作），并评为Highlight论文；在顶级期刊JSSC (IEEE Journal of solid-state circuits)上发表论文3篇（一作），其他IEEE transactions上发表若干篇。代表东南大学首次突破集成电路旗舰会议VLSI symposium和DAC两大会议。
获2014年国家科技进步二等奖和2018年江苏省科学技术奖一等奖；获A-SSCC2017杰出设计奖和GLSVLSI2018最佳论文候选奖；入选2012年江苏省高校'青蓝工程'优秀青年骨干教师培养对象。授权美国发明专利5项，中国发明专利30余项。

【诚招有志于数字集成电路设计、低功耗技术方面的博士、博士后】