姓 名 张胜利 性 别 男
出生年月 1984年7月 籍贯 河南夏邑县
民 族 汉族 政治面貌 党员
最后学历 研究生毕业 最后学位 工学博士
技术职称 教授 导师类别 博士生导师
导师类型 校内 兼职导师 否
行政职务 Email zhangslvip@njust.edu.cn
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指导学科
学科专业(主) 0805|材料科学与工程 招生类别 博、硕士 所在学院 材料科学与工程学院格莱特研究院
研究方向 主要围绕课题组两大特色材料：二维半导体材料和全无机钙钛矿量子点展开研究：
1. 新型二维半导体材料的理论设计，实验制备，及其光电性质的研究；
2. 围绕显示和传感关键材料-全无机钙钛矿进行功能化调控；
3. 纳米能源材料、信息材料的第一性原理和实验研究；
4. 光电器件的仿真，半导体工艺和器件仿真TCAD；
5. 同步辐射实验在二维半导体和钙钛矿中的应用。



工作经历
2013年7月~ 至今： 南京理工大学 材料科学与工程学院

教育经历
2008年9月-2013年6月，北京化工大学 工学博士

社会、学会及学术兼职
全国材料新技术发展研究会，第一届理事会理事，2015年6月-2020年6月；
中国化学会会员

科研项目
近三年，主要围绕二维半导体，能源材料，功能信息材料，光电器件等主持项目如下：
1.江苏省优青基金，50万，在研，主持；
2. 国家自然科学基金-青年，25万，在研，主持；
3. 江苏省自然科学基金-青年， 20万，在研，主持；
4. 中国博士后基金，5万，在研，主持；
5. 江苏省博士后基金，1万，在研，主持；
6. 南京理工大学紫金之星，20万，在研，主持；
7. 中国博士后基金特别资助，15万，在研，主持；
8. 南京理工大学国际科技合作项目， 20万，在研，主持；
9. 国家自然科学基金委-国际合作项目， 100万，在研，参与；
10. 南京理工大学科研启动，5万，结题，主持；

发表论文
截止到目前，已经在Chem. Soc. Rev.、Nat. Commun.、Angew. Chem. Int. Ed、Nano Lett.、Nano Energy、Adv. Funct. Mater.等SCI期刊上发表论文近80篇，总引用近3000次，H因子25，第一/共一/通讯作者论文如下：
1. Shengli Zhang (一作) et al. Atomically thin arsenene and antimonene: Semimetal-semiconductor and indirect–direct band-gap transitions. Angew. Chem. Int. Ed. 54, 3112-3115, 2015. SCI引用500次, ESI-0.1%热点论文, 影响因子IF=12.1
2. Shengli Zhang (一作) et al. Semiconducting group 15 monolayers: A broad range of band gaps and high carrier mobilities. Angew. Chem., Int. Ed. 55, 1666-1669, 2016. ESI-1%高被引用, 影响因子IF=12.1
3. Shengli Zhang (一作) et al. Antimonene Oxides: Emerging Tunable Direct Bandgap Semiconductor and Novel Topological Insulator. Nano Letters 17, 3434, 2017. ESI-1%高被引用, 影响因子IF=12.1
4. Shengli Zhang (一作) et al.. Recent progress in 2D group-VA semiconductors: from theory to experiment. Chemical Society Reviews, 47, 982-1021, 2018. ESI-0.1%热点论文, 影响因子IF=40.2
5. Shengli Zhang (一作) et al. Semiconductor-topological insulator transition of two-dimensional SbAs induced by biaxial tensile strain. Physical Review B, 93, 245303, 2016. ESI-1%高被引用
6. Shengli Zhang (一作) et al. Hydrogenated arsenenes as planar magnet and Dirac material. Applied Physics Letters 107, 022102-022105, 2015. ESI-1%高被引用
7. Shengli Zhang (共一) et al. Two-dimensional antimonene single crystals grown by van der Waals epitaxy. Nature Commun. 7, 13352, 2016. ESI-0.1%热点论文, 影响因子IF=12.4
8. Shengli Zhang (共一) et al. Lateral black phosphorene P–N junctions formed via chemical doping for high performance near-infrared photodetector. Nano Energy, 25, 34-41, 2016.
9. Shengli Zhang (共一) et al. A Promising Two-dimensional Solar Cell Donor: Black Arsenic–phosphorus Monolayer with 1.54 eV Direct Bandgap and Mobility Exceeding 14,000 cm²V⁻¹s⁻¹. Nano Energy, 28, 433-439, 2016.
10. Shengli Zhang (共一) et al. Van der Waals bilayer antimonene: A promising thermophotovoltaic cell material with 31% energy conversion efficiency. Nano Energy 38, 561-568, 2017.
11. Shengli Zhang (共一) et al. Few-layer antimonene: Anisotropic expansion and reversible crystalline-phase evolution enable large-capacity and long-life Na-ion batteries. ACS Nano 12, 1887-1893, 2018.
12. Shengli Zhang (共一) et al. WS₂ saturable absorber for dissipative soliton mode locking at 1.06 and 1.55 μm. Optics Express 23, 27509-27519, 2015.
13. Shengli Zhang (共一) et al. GeSe monolayer semiconductor with tunable direct band gap and small carrier effective mass. Applied Physics Letters 107, 122107-122118, 2015.
14. Shengli Zhang (一作) et al. Two-dimensional SiP: an unexplored direct band-gap semiconductor. 2D Materials, 4, 015030, 2017.
15. Shengli Zhang (一作) et al. Two-dimensional GeS with tunable electronic properties via external electric field and strain. Nanotechnology, 27, 274001, 2016.
16. Shengli Zhang (一作) et al. Structural and electronic properties of atomically thin germanium selenide polymorphs. Science China Materials 58, 929-935, 2015.
17. Shengli Zhang (一作) et al. Theoretical investigation of electronic structure and field emission properties of carbon nanotube–ZnO nanocontacts. Carbon, 49, 3835-3841, 2011.
18. Shengli Zhang (一作) et al. Theoretical investigation of growth, stability, and electronic properties of beaded ZnO nanoclusters. Journal of Materials Chemistry, 21, 16905-16910, 2011.
19. Shengli Zhang (一作) et al. Theoretical investigations of sp-sp² hybridized zero-dimensional fullerenynes. Nanoscale, 4, 2839-2842, 2012.
20. Shengli Zhang (一作) et al. First-principles study of field emission properties of graphene-ZnO nanocomposite. The Journal of Physical Chemistry C 114, 19284-19288, 2010.
21. Shengli Zhang (一作) et al. Field-emission mechanism of island-shaped graphene–BN nanocomposite. The Journal of Physical Chemistry C, 115, 9471-9476, 2011.
22. Shengli Zhang (一作) et al. Mechanistic investigations on the adsorption of thiophene over Zn₃NiO₄ bimetallic oxide cluster. Applied Surface Science 258, 10148-10153, 2012.
23. Shengli Zhang (一作) et al. First-principles study of cubane-type ZnO: Another ZnO polymorph. Chemical Physics Letters 557, 102-105, 2013.
24. Shengli Zhang (一作) et al. First-principles study of structural, electronic and vibrational properties of aluminum-doped silica nanotubes. Chemical Physics Letters 498, 172–177, 2010.
25. Shengli Zhang (一作) et al. Molecular dynamics simulations of silica nanotube: Structural and vibrational properties under different temperatures. Chinese Journal of Chemical Physics 23, 497-503, 2010.
26. Shengli Zhang (通讯) et al. DFT coupled with NEGF study of a promising two-dimensional channel material: Black phosphorene-type GaTeCl. Nanoscale, 10, 3350-3355, 2018.
27. Shengli Zhang (通讯) et al. Ultrathin tellurium dioxide: emerging direct bandgap semiconductor with high-mobility transport anisotropy. Nanoscale, 10, 8397-8403, 2018.
28. Shengli Zhang (通讯) et al. Boosting Two-dimensional MoS₂/CsPbBr₃ Photodetectors via Enhanced Light Absorbance and Interfacial Carrier Separation. ACS Applied Materials & Interfaces 10, 2801-2809, 2018.
29. Shengli Zhang (通讯) et al. Electronic structure and optical properties of graphene/stanene heterobilayer. Physical Chemistry Chemical Physics, 18, 16302-16309, 2016.
30. Shengli Zhang (通讯) et al. Ab Initio Study of the Adsorption of Small Molecules on Stanene. J. Phys. Chem. C, 120, 13987-13994, 2016.
31. Shengli Zhang (通讯) et al. Stability enhancement and electronic tunability of two-dimensional SbIV compounds via surface functionalization, Applied Surface Science, 427, 363-368, 2018.
32. Shengli Zhang (通讯) et al. Layer-controlled band alignment, work function and optical properties of few-layer GeSe. Physica B: Condensed Matter 519, 90-94, 2017.
33. Shengli Zhang (通讯) et al. First-principles study of SO2 sensors based on phosphorene and its isoelectronic counterparts: GeS, GeSe, SnS, SnSe, Chemical Physics Letters, 686, 83-87, 2017.
34. Shengli Zhang (通讯) et al. New ultra-incompressible phases of NbB4 predicted from first principles. Physics Letters A 381, 362-367, 2017.
35. Shengli Zhang (通讯) et al. Influences of the Pb 6s² lone pair effect and quantum size effect on the diffusion of oxygen atoms on Pb (111) films. RSC Advances 6, 78755-78761, 2016.
36. Shengli Zhang (通讯) et al. The electronic properties tuned by the phase transition between the semiconducting and metallic phase of monolayer MoS₂/WS₂. Phase Transitions 88, 726-734, 2015.

指导学生情况
在读硕士三名，在读博士三名
欢迎材料学院各个专业，及理学院，化院等本科生，硕士生和博士生
加入材料学院-纳米光电材料研究所（曾海波研究团队），联系邮箱zhangslvip@njust.edu.cn