个人信息

姓　　名: 方贺男 性　　別: 男 导师类型: 硕士生导师
技术职称: 副教授 电子邮箱: fanghn@njupt.edu.cn
学术型硕士招生学科: (080901)物理电子学
专业型硕士招生类别(领域): (085400)电子信息

个人简介:方贺男，男，1984年10月生，博士，南京邮电大学电子与光学工程学院副教授，2007年6月毕业于南京大学理科强化部物理学专业，获学士学位，2012年9月毕业于南京大学物理学院微电子学与固体电子学专业，获博士学位。2012年10月至南京邮电大学电子科学与工程学院工作，研究方向为半导体自旋电子学。现主持或已结题国家自然科学基金青年基金、江苏省自然科学基金青年基金、江苏省高校自然科学基金等多项科研项目。迄今，在New Journal of Physics、Journal of Physcis D: Applied Physics、Journal of Applied Physics、Materials Letters、Scientific Reports、Journal of Magnetism and Magnetic Materials等国际SCI期刊上发表论文20余篇，其中以第一作者发表13篇。


研究领域:主要从事半导体自旋电子学和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体的太赫兹介电响应的研究。包括：单晶势垒磁性隧道结的隧穿磁阻理论研究；磁性材料的磁结构对称性的理论研究；自旋注入材料的制备、表征以及基本物性研究；磁性隧道结的隧穿磁阻效应的理论研究；低维异质结构的自旋Andreev反射研究；Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体在太赫兹波段的介电响应以及光-物质相互作用研究等。主要成果为发展建立了新的基于光学方法的隧穿磁阻理论，该理论较好地解释了MgO基磁性隧道结的实验结果；利用朗道二级相变理论分析了各种晶体结构的铁氮化合物的磁结构对称性，得到了它们的磁点群以及易磁化轴方向；利用磁控溅射和氮化结合的方法在GaN衬底上制备了Fe3N薄膜，并通过表征得到了其矫顽力、方块电阻等磁电性质；利用太赫兹时域光谱技术研究了GaN薄膜在10K-300K温度下的太赫兹波段介电响应，并据此分析得出GaN薄膜的点缺陷性质。