垂直腔面发射激光器是2002年开始逐渐发展起来的新一代半导体激光器，与常规边发射半导体激光器相比具有光束质量好，易于二维集成等优点，在激光通信、激光显示、工业加工、国防应用等领域有广泛的应用前景，成为国际前沿研究热点。
发光室大功率半导体激光器及应用团队在国防基础科研、总装支撑、国家基金重点、吉林省科技厅重点等多个项目的支持，重点开展大功率、高光束质量垂直腔面发射激光(VCSEL)研制工作，从材料结构设计、器件结构设计等方面提出一系列创新，在高功率激光研究方面已获授权发明专利6项，发表文章13篇，并创造了多项国际指标，取得以下主要结果：
提出用于VCSEL的周期增益量子阱结构、非对称波导等新设计，研制出单管脉冲功率达92W创纪录输出；垂直腔面发射激光面阵功率达到123W，比国际记录提高了13%；集成面阵模块输出功率达到210W。相关成果被《Laser Focus World》及《Semiconductor Today》等多次专文评论报道。所研制的高光束质量大功率VCSEL在固体激光/光纤激光泵浦、光纤放大器泵浦、激光测距等领域得到了应用，并被国内多家用户用于固体泵浦、激光引信、生物荧光探测等领域，为推动相关技术发展奠定了扎实基础。
