肖永光导师主页

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基本信息

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姓名: 肖永光
职称: 副教授
单位电话:
电子信箱: ygxiao@xtu.edu.cn
办公室: 微电子材料与器件系
个人主页: http://www.xtu.edu.cn/daoshi/?id=1788

个人简介

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个人简介

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肖永光，男，中共党员，博士/副教授，博士研究生导师，2008年6月毕业于湘潭大学材料与光电物理学院微电子学本科专业。2008年9月被推荐免试攻读湘潭大学材料与光电物理学院微电子学与固体电子学硕士专业，2010年9月转为材料科学与工程专业硕博连读博士研究生，于2013年6月获得博士学位。主要从事铁电场效应晶体管存储器的微观结构设计和性能优化研究。主持国家自然科学基金面上项目1项，国家自然科学基金青年项目1项，湘潭大学科研启动项目1项，同时作为骨干成员参与了多项国家自然科学基金研究。近年来，在Journal of Materials Chemistry C、Applied Physics Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、 Journal of Applied Physics等国内外著名刊物上发表学术论文50余篇，研究成果得到国内外同行的高度评价， 欢迎有志之士报考我的研究生，与我一起做研究。

研究方向

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1. 集成电路设计 2. 铁电场效应晶体管存储器(FeFET)、多铁隧道结及器件 3. 铁电薄膜的负电容效应

获奖情况

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[1] 王江，硕士研究生，2017年荣获湘潭大学第二十二届研究生校长奖优秀奖；

[2] 燕罗，硕士研究生，2020年荣获湘潭大学第二十五届研究生校长奖特等奖；
[3] 谭逢前，硕士研究生，2020年荣获湘潭大学第二十五届研究生校长奖优秀奖。

科研项目

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主持的科研项目
1. 2019.01-2022.12，氧化铪基铁电薄膜负电容效应及其超低功耗应用研究，国家自然科学基金面上项目(**)
2. 2015.01-2017.12，铁电场效应晶体管的负电容效应研究，国家自然科学基金青年项目(**)
3. 2019.09-2021.12，氧化铪基铁电栅场效应晶体管负电容的总剂量效应，湖南省教育厅重点项目(19A473)
4. 2019.11-2021.11，新型氧化铪基铁电场效应晶体管负电容的总剂量效应研究，西北核技术研究院国家重点实验室开放课题(SKLIPR1814)
5. 2019.01-2020.12，新型氧化铪基FeFET负电容的单粒子效应研究，教育部低维材料及应用技术重点实验室开放课题(KF**)
6. 2020.11.20-2022.12.31，第三代半导体材料碳化硅新CVD法制备技术攻关，湖南省高新技术产业科技创新引领计划(科技攻关类)项目(2020GK2052)



主要代表性论文

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[1] Y. G. Xiao*,F. Q. Tan, L. Yan, G. Li, M. H. Tang and Z. Li, Effect of depolarization field on steep switching characteristics in negative capacitance field effect transistors. Semiconductor Science and Technology, 35, 085005(1-7), 2020.
[2] L. Yan, P.-F. Liu, T. Bo, J. R. Zhang, M. H. Tang, Y. G. Xiao*, and B.-T. Wang, Emergence of superconductivity in a Dirac nodal-line Cu₂Si monolayer: ab initio calculations.Journal of Materials Chemistry C,7,10926-10932, 2019.
[3]L.Yan, T.Bo, W. X.Zhang, P.-F.Liu, Z. S.Lu,Y. G.Xiao*, M.H.Tang,and B.-T.Wang, Novel structures of two-dimensional tungsten boride and their superconductivity.Physical Chemistry Chemical Physics,21,15327-15338,2019.
[4] H. C. Dong, J. Z. Li, M. G. Chen, H. W. Wang, X. C. Jiang,Y. G. Xiao*, B. Tian, and X. X. Zhang, High-throughput production of ZnO-MoS₂-graphene heterostructures for highly efficient photocatalytic hydrogen evolution.Materials,12(2233), 1-12, 2019.
[5]L.Yan, T.Bo, P.-F.Liu, B.-T.Wang,Y. G. Xiao*and M.-H.Tang, Prediction of phonon-mediated superconductivity in two-dimensional Mo₂B₂.Journal of Materials Chemistry C,7, 2589-2595, 2019.
[6]Y. G. Xiao, D. B. Ma, J. Wang, G. Li, S. A. Yan, W. L. Zhang, Z. Li, and M. H. Tang, An improved model for the surface potential anddrain current in negative capacitance field effecttransistors.RSC Advances,6, 103210-103214, 2016.
[7]Y. G. Xiao, J. Wang, D. B. Ma, Z. Li, and M. H. Tang, Effect of zirconium or titanium component on electrical properties ofPbZr_1-xTi_xO₃gated negative capacitance ferroelectric field-effecttransistors.Materials Research Express,3, 105902(1-6), 2016.
[8]Y. G. Xiao, J. Wang, D. B. Ma, M. H. Tang, Z. Li, An interface charge model for ferroelectric field effect transistor.Integrated Ferroelectrics,17(1), 54-62, 2016.
[9]Y. G. Xiao, M. H. Tang, J. C. Li, C. P. Cheng, B. Jiang, H. Q. Cai, Z. H. Tang, X. S. Lv, and X. C. Gu, Temperature effect on electrical characteristics of negative capacitance ferroelectric field-effect transistors.Applied Physics Letters, 100 (8), 083508, 2012.
[10]Y. G. Xiao, Y. Xiong, M. H. Tang, J. C. Li, C. P. Cheng, B. Jiang, Z. H. Tang, X. S. Lv, H. Q. Cai, X. C. Gu, and Y. C. Zhou, Effect of doping concentration of substrate silicon on retention characteristics in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor capacitors.Applied Physics Letters, 100 (17), 173504, 2012.
[11]Y. G. Xiao, Z. J. Chen, M. H. Tang, Z. H. Tang, S. A. Yan, J. C. Li, X. C. Gu, Y. C. Zhou, and X. P. Ouyang, Simulation of electrical characteristics in negative capacitance surrounding-gate ferroelectric field-effect transistors.Applied Physics Letters, 101 (25), 253511, 2012.
[12]Y. G. Xiao, M. H. Tang, Y. Xiong, J. C. Li, C. P. Cheng, B. Jiang, H. Q. Cai, Z. H. Tang, X. S. Lv, X. C. Gu, and Y. C. Zhou, Use of negative capacitance to simulate the electrical characteristics in double-gate ferroelectric field-effect transistors.Current Applied Physics, 12, 1591-1595, 2012.
[13]Y. G. Xiao, Y. Xiong, M. H. Tang, J. C. Li, X. C. Gu, C. P. Cheng, B. Jiang, Z. H. Tang, X. S. Lv, H. Q. Cai, and J. He, Factors for the polarization lifetime in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor capacitors.Solid State Electronics, 73, 84-88, 2012.
[14]Y. G. Xiao, M. H. Tang, J. C. Li, B. Jiang and J. He, The influence of ferroelectric-electrode interface layer on the electrical characteristics of negative-capacitance ferroelectric double-gate field-effect transistors.Microelectronics Reliability, 52 (4), 757-760, 2012.
[15]Y. G. Xiao, M. H. Tang, H. Y. Xu, J. He, Ferroelectric properties and leakage behavior in poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) ferroelectric thin films with additive diethyl phthalate.Integrated Ferroelectrics, 125 (1), 89-97, 2011.



发明专利

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[1]肖永光，王江，马东波，唐明华.一种提高PZT铁电薄膜负电容的方法，中国，ZL9.5.
[2]唐明华，许玉琪，肖永光，张万里.一种双模UHF-RFID读写器的解码器及解码方法，中国，6.0.





成果获奖

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[1]唐明华,肖永光, 唐振华, 燕少安, 陈卓俊.先进信息功能材料及其低功耗高密度存储器件, 湖南省自然科学奖二等奖,2020.