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中南大学物理与电子学院导师教师师资介绍简介-刘晓迟

本站小编 Free考研考试/2021-08-20


特聘副教授 硕士生导师
所在单位:物理与电子学院
职务:Associate Professor
学历:博士研究生毕业
办公地点:新校区物理与电子学院325
性别:女
联系方式:218147@csu.edu.cn
学位:博士学位
在职信息:在职
毕业院校:韩国成均馆大学
学科:电子科学与技术
物理学

曾获荣誉:
2016海外优秀自费留学生奖学金

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个人简介刘晓迟,女,中南大学物理与电子学院特聘副教授。2012年于大连理工大学获得材料物理专业学士学位,获大连市优秀毕业生称号。2018年博士毕业于韩国成均馆大学先进纳米技术研究中心,获理学博士学位。长期以来专注于低维材料纳米器件载流子输运研究。研究方向包括改善低维材料器件的接触电阻、半导体器件改性以及多种半导体功能器件。致力于实现低能耗、高性能、多功能的复微纳电子功能器件及系统。研究涉及微纳电子学、微纳加工技术及半导体器件物理等。在Advanced Materials, ACS Nano, APL等SCI期刊发表论文20余篇,拥有两项美国专利,多次在国际顶尖会议作发言报告。博士期间,多次参与实验室与三星电子合作项目并担任子项目负责人。2016年获得国家优秀自费留学生奖学金,2017年曾赴美国哥伦比亚大学交流访问学习。


论文成果
[1] X. Liu,D. Qu, L. Wang, M. Huang, Y. Yuan, P. Chen,Y. Qu?, J. Sun?, W. J. Yoo?, Charge density depinning in defective MoTe2 transistor by oxygen intercalation,Advanced Functional Materials, In press (2020)
[2] X. Liu, D. Qu, Y. Yuan,J. Sun?,Self-terminated surface monolayer oxidation induced robust degenerate doping in MoTe2 for low contact resistance,ACS Applied Materials & Interfaces, 12(23), 26586, (2020)
[3]X. Liu,Y. Yuan, Z. Wang, R. S. Deacon, W. J. Yoo,J. Sun?,Directly Probing Effective-Mass Anisotropy of Two-Dimensional ReSe2 in Schottky Tunnel Transistors,Physical Review Applied, 13, 044056, (2020)
[4]X. Liu,Y. -H. Yuan, D. Qu,J. Sun?,Ambipolar MoS2 Field Effect Transistor by Spatially Controlled Chemical Doping,Physica Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 13, **, (2019)
[5]X. Liu*, D. Qu*,M. S. Choi, C. Lee, H. Kim,W. J. Yoo?,Homogeneous Molybdenum Disulfide Tunnel Diode Formed via Chemical Doping,Applied Physics Letters, 112, 183103, (2018)
[6]X. Liu*, D. Qu*,H. -M. Li, I. Moon, F. Ahmed, C. Kim, M. Lee, Y. Choi, J. H. Cho, J. Hone,W. J. Yoo?,Modulation of Quantum Tunneling via a Vertical Two-Dimensional Black Phosphorus and Molybdenum Disulfide p–n Junction. ACS Nano, 11(9), 9143-9150. (2017)
[7]D. Qu*,X. Liu*, M. Huang, C. Lee, F. Ahmed, H. Kim, R. Ruoff, J. Hone,W. J. Yoo?,Carrier-Type Modulation and Mobility Improvement of Thin MoTe2,Advanced Materials, 29(39), **, (2017)
[8]X. Liu*, D. Qu*,J. Ryu, F. Ahmed, Yang Z, D. Lee,W. J. Yoo?,P-Type Polar Transition of Chemically Doped Multilayer MoS2 Transistor,Advanced Materials, 28(12), 2345-2351, (2016)
[9]X. Liu*,E. H. Hwang?, W. J. Yoo, S. Lee, B. -K. Cheong,High carrier mobility in Si-MOSFETs with a hexagonal boron nitride buffer layer, Solid State Communications, 209-210, 1-4, (2015)
[10]D. Qu*,X. Liu*,F. Ahmed, D. Lee,W. J. Yoo?,Self-screened high performance multi-layer MoS2 transistor formed by using a bottom graphene electrode, Nanoscale, 7(45), 19273-19281, (2015)


教育经历 [1] 2008.9-2012.6
大连理工大学 理学学士学位 | 大学本科毕业
[2] 2012.9-2018.2
成均馆大学 理学博士学位 | 博士研究生毕业
[3] 2017.3-2017.9
哥伦比亚大学 | 机械工程 | 访问**** | 访问****

研究方向 [1]基于低维度材料以及它们堆叠而成的范德华异质结和混合体系制备光电探测器、光伏器件。

[2]基于低维度材料(二维石墨烯、六方氮化硼,过渡金属硫化物等)以及它们堆叠而成的范德华异质结和混合体系制备场效应晶体管、遂穿晶体管。

[3]载流子在金属(石墨烯)/硅(二维半导体)界面的传导机理以及接触电阻理论;晶体管中载流子传导的散射理论。

[4]通过化学掺杂、等离子轰击等方法对二维半导体进行改性,调节其载流子类型、浓度,器件开闭比以及载流子迁移率。





特聘副教授 硕士生导师
所在单位:物理与电子学院
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